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    • 2. 发明专利
    • 釕承載於中孔洞MCM-41奈米金屬觸媒之方法及於對二甲苯氫化反應之應用 PREPARATION OF RUTHENIUM SUPPORTED ON MESOPOROUS MCM-41 AND ITS APPLICATION IN HYDROGENATION OF P-XYLENE
    • 钌承载于中孔洞MCM-41奈米金属触媒之方法及于对二甲苯氢化反应之应用 PREPARATION OF RUTHENIUM SUPPORTED ON MESOPOROUS MCM-41 AND ITS APPLICATION IN HYDROGENATION OF P-XYLENE
    • TW201244822A
    • 2012-11-16
    • TW100117028
    • 2011-05-13
    • 國立中央大學
    • 談駿嵩陳郁文林新惟顏旭
    • B01JC07C
    • B82Y30/00B01J29/043B01J35/0013B01J35/006B01J37/16B01J2229/18B01J2229/186B82Y40/00C07C5/10C07C29/20C07C51/36C07C2529/74C07C2601/14Y02P20/544C07C35/21C07C61/08C07C13/18
    • 本發明揭示一種以化學流體沉積法製備釕承載於中孔洞MCM-41之奈米金屬觸媒,及於對二甲苯氫化反應之方法;其包括製備奈米觸媒方法一:選用金屬前驅物為乙醯丙酮釕(Ruthenium Acetylacetonate,Ru(acac)3)而觸媒擔體為MCM-41,製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒,先以適量之溶劑(例如:四氫呋喃)將配好的金屬前驅物與擔體於超音波震盪,再將溶劑抽乾後,即得到分散良好的粉末;將此粉末置入高壓反應器中,升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時,通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。或製備奈米觸媒方法二:選用金屬前驅物為Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)(1,5-cyclooctadiene)ruthenium,Ru(cod)(tmhd)2,而觸媒擔體為MCM-41,製備1 wt.%至10 wt.%奈米釕觸媒。將配好的金屬前驅物與擔體置入高壓反應器中,升溫到100℃至300℃。當溫度升至反應溫度時,通入預先混合之30 bar至100 bar氫氣與80 bar至300 bar二氧化碳。其以化學流體沉積法製備之觸媒,能均勻地將奈米金屬粒子含浸至中孔洞基材中,相對於傳統觸媒製程能有效節省時間並提高反應轉化率。此製備之觸媒用於對二甲苯之氫化,其中釕對MCM-41之重量百分比介於1 wt.%至10 wt.%,氫氣壓力介於10 bar至100 bar,溫度介於20℃至100℃。
    • 本发明揭示一种以化学流体沉积法制备钌承载于中孔洞MCM-41之奈米金属触媒,及于对二甲苯氢化反应之方法;其包括制备奈米触媒方法一:选用金属前驱物为乙酰丙酮钌(Ruthenium Acetylacetonate,Ru(acac)3)而触媒担体为MCM-41,制备1 wt.%至10 wt.%奈米钌触媒,先以适量之溶剂(例如:四氢呋喃)将配好的金属前驱物与担体于超音波震荡,再将溶剂抽干后,即得到分散良好的粉末;将此粉末置入高压反应器中,升温到100℃至300℃。当温度升至反应温度时,通入预先混合之30 bar至100 bar氢气与80 bar至300 bar二氧化碳。或制备奈米触媒方法二:选用金属前驱物为Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)(1,5-cyclooctadiene)ruthenium,Ru(cod)(tmhd)2,而触媒担体为MCM-41,制备1 wt.%至10 wt.%奈米钌触媒。将配好的金属前驱物与担体置入高压反应器中,升温到100℃至300℃。当温度升至反应温度时,通入预先混合之30 bar至100 bar氢气与80 bar至300 bar二氧化碳。其以化学流体沉积法制备之触媒,能均匀地将奈米金属粒子含浸至中孔洞基材中,相对于传统触媒制程能有效节省时间并提高反应转化率。此制备之触媒用于对二甲苯之氢化,其中钌对MCM-41之重量百分比介于1 wt.%至10 wt.%,氢气压力介于10 bar至100 bar,温度介于20℃至100℃。