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1. 发明专利

TW575456B 結晶法及其裝置有权
简体标题：结晶法及其设备
公开(公告)号：TW575456B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW090123449
申请日：2001-09-24
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：古屋貴久
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D9/0059 , B01D9/0063 , B01D9/0068
摘要：一種結晶法，其包含將溶液或由不完全結晶作用之溶質所形成之漿體導入結晶槽、在結晶槽中溶質結晶、形成包含晶體之漿體及溶劑、排出所形成之漿體，其中在結晶作用實行時，一部份或全部形成之漿體被帶出結晶槽而被導入晶體再循環裝置，分離在漿體中之晶體或濃縮在晶體再循環裝置之漿體，而分離的晶體或濃縮的漿體再循環至結晶槽。
由於配置晶體再循環裝置，當分離的晶體或濃縮漿體由晶體再循環裝置再循環至結晶槽時而實行結晶作用，晶體的滯留時間及漿體在結晶槽的濃度可增加。藉由控制再循環晶體之流速，可增加粒徑分佈，可獲得具有所欲得到的平均粒徑之晶體，且可避免在結晶槽及與結晶槽相連裝置之液面部分之黏附。
简体摘要：一种结晶法，其包含将溶液或由不完全结晶作用之溶质所形成之浆体导入结晶槽、在结晶槽中溶质结晶、形成包含晶体之浆体及溶剂、排出所形成之浆体，其中在结晶作用实行时，一部份或全部形成之浆体被带出结晶槽而被导入晶体再循环设备，分离在浆体中之晶体或浓缩在晶体再循环设备之浆体，而分离的晶体或浓缩的浆体再循环至结晶槽。由于配置晶体再循环设备，当分离的晶体或浓缩浆体由晶体再循环设备再循环至结晶槽时而实行结晶作用，晶体的滞留时间及浆体在结晶槽的浓度可增加。借由控制再循环晶体之流速，可增加粒径分布，可获得具有所欲得到的平均粒径之晶体，且可避免在结晶槽及与结晶槽相连设备之液面部分之黏附。

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