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1. 发明专利

TW200939546A 用於半導體發光裝置的接點 CONTACT FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：用于半导体发光设备的接点 CONTACT FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200939546A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097148862
申请日：2008-12-15
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：雷飛兒I 亞迪斯 ALDAZ, RAFAEL I. , 約翰E 愛普勒 EPLER, JOHN E. , 派翠克N 葛理洛特 GRILLOT, PATRICK N. , 麥可R 克萊米斯 KRAMES, MICHAEL R.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一AlGaInP發光裝置係形成為一薄型覆晶裝置。該裝置包括一半導體結構,該半導體結構包含佈置於一n型區域與一p型區域之間的一AlGaInP發光層。電連接至該等n與p型區域之n與p接點皆形成於該半導體結構之同一側上。該半導體結構係經由該等接點連接至底座。自該半導體結構移除該生長基板並省略厚透明基板,以使得在該裝置中的半導體層之總厚度在一些具體實施例中小於15 ��m,在一些具體實施例中小於10 ��m。該半導體結構之頂部側可以係織構化。
简体摘要：一AlGaInP发光设备系形成为一薄型覆晶设备。该设备包括一半导体结构,该半导体结构包含布置于一n型区域与一p型区域之间的一AlGaInP发光层。电连接至该等n与p型区域之n与p接点皆形成于该半导体结构之同一侧上。该半导体结构系经由该等接点连接至底座。自该半导体结构移除该生长基板并省略厚透明基板,以使得在该设备中的半导体层之总厚度在一些具体实施例中小于15 ��m,在一些具体实施例中小于10 ��m。该半导体结构之顶部侧可以系织构化。

2. 发明专利

TW200929521A 發光二極體陣列 LIGHT EMITTING DIODE ARRAY 审中-公开
简体标题：发光二极管数组 LIGHT EMITTING DIODE ARRAY
公开(公告)号：TW200929521A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097131786
申请日：2008-08-20
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：瑟吉J 比爾惠山 BIERHUIZEN, SERGE J. , 賈雅德哈柏爾 HARBERS, GERARD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F21K9/00 , F21Y2105/10 , F21Y2105/12 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種發光二極體(LED)之一維陣列係經組態以使得該等LED放置成彼此緊密地接近,例如150 ��m或更少,且放置該等LED之至少一側使其與基板的邊緣緊密地接近,例如150 ��m或更少。由於該等LED接近該基板之該邊緣,多個一維陣列可被並排地結合在一起,以形成一個二維陣列,其中來自相鄰的一維陣列之該等LED係緊密地定位在一起。藉由最小化相同的一維陣列與相鄰的一維陣列上的該等LED之間的該等間隙,該裝置之亮度係被提高而使得該裝置適用於高輻射亮度應用。此外,維維相對於傳統單片二維陣列,利用許多一維陣列以形成一較大二維陣列可增加產量。
简体摘要：一种发光二极管(LED)之一维数组系经组态以使得该等LED放置成彼此紧密地接近,例如150 ��m或更少,且放置该等LED之至少一侧使其与基板的边缘紧密地接近,例如150 ��m或更少。由于该等LED接近该基板之该边缘,多个一维数组可被并排地结合在一起,以形成一个二维数组,其中来自相邻的一维数组之该等LED系紧密地定位在一起。借由最小化相同的一维数组与相邻的一维数组上的该等LED之间的该等间隙,该设备之亮度系被提高而使得该设备适用于高辐射亮度应用。此外,维维相对于传统单片二维数组,利用许多一维数组以形成一较大二维数组可增加产量。

3. 发明专利

TW200928517A 利用低高度側發光之發光二極體的薄型背光 THIN BACKLIGHT USING LOW PROFILE SIDE EMITTING LEDS 审中-公开
简体标题：利用低高度侧发光之发光二极管的薄型背光 THIN BACKLIGHT USING LOW PROFILE SIDE EMITTING LEDS
公开(公告)号：TW200928517A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW097136707
申请日：2008-09-24
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：塞吉拜惠森 BIERHUIZEN, SERGE
IPC分类号： G02F
CPC分类号： G02B6/0021 , G02B6/0018 , G02B6/0023 , G02B6/0031 , G02B6/0065 , G02B6/0068 , G02B6/0073 , G02B6/0083 , G02F1/133603 , G02F1/133615 , H01L2224/14
摘要：本發明揭示一種含有低高度側發光之發光二極體之背光,其具有經改進之亮度均勻性。在一具體實施例中,該背光包含一固體透明光導(42),其具有在該光導之一底部表面中的複數個開口,各開口含有一側發光之發光二極體(10)。稜鏡或其他光學特徵(44、48)係形成在各開口之頂部壁中以將光導中之光反射朝向該光導的一輸出表面,以致該側發光之發光二極體不在該背光的輸出處出現為暗點。為了避免來自LED之該等側朝向該光導的輸出表面的任何直接發射出現為亮區域,光學特徵(80、88、94、97)係在開口之邊緣處或在光導的輸出表面中形成,以致該直接發光不從該光導輸出。實質上相同的單元可利用圍繞一或多個LED之單元壁(67、72)在該光導中形成。
简体摘要：本发明揭示一种含有低高度侧发光之发光二极管之背光,其具有经改进之亮度均匀性。在一具体实施例中,该背光包含一固体透明光导(42),其具有在该光导之一底部表面中的复数个开口,各开口含有一侧发光之发光二极管(10)。棱镜或其他光学特征(44、48)系形成在各开口之顶部壁中以将光导中之光反射朝向该光导的一输出表面,以致该侧发光之发光二极管不在该背光的输出处出现为暗点。为了避免来自LED之该等侧朝向该光导的输出表面的任何直接发射出现为亮区域,光学特征(80、88、94、97)系在开口之边缘处或在光导的输出表面中形成,以致该直接发光不从该光导输出。实质上相同的单元可利用围绕一或多个LED之单元壁(67、72)在该光导中形成。

4. 发明专利

TWI311378B 使用光子結晶結構改進發光二極體效率 IMPROVED LED EFFICIENCY USING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE 有权
简体标题：使用光子结晶结构改进发光二极管效率 IMPROVED LED EFFICIENCY USING PHOTONIC CRYSTAL STRUCTURE
公开(公告)号：TWI311378B
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW092109072
申请日：2003-04-18
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：麥可R. 凱蒙斯 MICHAEL R. KRAMES , 邁黑爾M. 席格拉斯 MIHAIL M. SIGALAS , 强納森J. 威爾 JONATHAN J. WIERER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/08 , H01L2224/48091 , H01L2933/0083 , Y10S438/943 , H01L2924/00014
摘要：本發明揭示一種光子結晶發光二極體(“PXLED")。該光子結晶發光二極體包括一週期結構,例如像一空洞的晶格,在一發光二極體的半導體層中形成。該週期結構的參數,使得由該光子結晶發光二極體發射的光子能量,位於接近該週期結構的帶狀結構的能量帶邊緣。金屬電極層對該等光子結晶發光二極體的效率有很大影響。並且,由GaN形成的光子結晶發光二極體具有一低的表面復合速度,因此可達到高效率。該等光子結晶發光二極體係利用創新的製造技術形成,例如像用於一圖案化光罩層上的磊晶側向共生技術,產生具有低瑕疵密度的半導體層。倒置該光子結晶發光二極體以曝光光罩層的圖案或是使用塔爾波特(Talbot)效應建立一對齊的第二圖案光罩層,可允許形成具有低瑕疵密度的光子結晶發光二極體。
简体摘要：本发明揭示一种光子结晶发光二极管(“PXLED")。该光子结晶发光二极管包括一周期结构,例如像一空洞的晶格,在一发光二极管的半导体层中形成。该周期结构的参数,使得由该光子结晶发光二极管发射的光子能量,位于接近该周期结构的带状结构的能量带边缘。金属电极层对该等光子结晶发光二极管的效率有很大影响。并且,由GaN形成的光子结晶发光二极管具有一低的表面复合速度,因此可达到高效率。该等光子结晶发光二极管系利用创新的制造技术形成,例如像用于一图案化光罩层上的磊晶侧向共生技术,产生具有低瑕疵密度的半导体层。倒置该光子结晶发光二极管以曝光光罩层的图案或是使用塔尔波特(Talbot)效应创建一对齐的第二图案光罩层,可允许形成具有低瑕疵密度的光子结晶发光二极管。

5. 发明专利

TW200919784A 利用低輪廓側向發射發光二極體之薄型閃光燈或視訊記錄光源 THIN FLASH OR VIDEO RECORDING LIGHT USING LOW PROFILE SIDE EMITTING LED 审中-公开
简体标题：利用低轮廓侧向发射发光二极管之薄型闪光灯或视频记录光源 THIN FLASH OR VIDEO RECORDING LIGHT USING LOW PROFILE SIDE EMITTING LED
公开(公告)号：TW200919784A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097121969
申请日：2008-06-12
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：歐雷格伯瑞索維奇薛金 SHCHEKIN, OLEG BORISOVICH , 約翰愛普樂 EPLER, JOHN , 葛雷葛莉W 安格 ENG, GREGORY W. , 塞吉拜惠森 BIERHUIZEN, SERGE , 賈雅德哈柏爾 HARBERS, GERARD
IPC分类号： H01L , G02B
CPC分类号： G02B6/0073 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/13 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要：本發明係關於用於照相機之對被照明對象不呈現為一光點源之極薄型閃光燈模組。因此,該閃光對該對象較不令人排斥。在一實施例中,發光表面面積係大約5公釐�10公釐。光學地耦合至固態光導之低輪廓、側向發射LED使得該閃光燈模組能夠薄於2公釐。該閃光燈模組亦可被持續地供給能量用於視訊記錄。該模組係尤其有用於手機照相機及其他薄型照相機。
简体摘要：本发明系关于用于照相机之对被照明对象不呈现为一光点源之极薄型闪光灯模块。因此,该闪光对该对象较不令人排斥。在一实施例中,发光表面面积系大约5公厘�10公厘。光学地耦合至固态光导之低轮廓、侧向发射LED使得该闪光灯模块能够薄于2公厘。该闪光灯模块亦可被持续地供给能量用于视频记录。该模块系尤其有用于手机照相机及其他薄型照相机。

6. 发明专利

TWI307969B 使用奈米微粒之發光裝置 LIGHT-EMITTING DEVICES UTILIZING NANOPARTICLES 有权
简体标题：使用奈米微粒之发光设备 LIGHT-EMITTING DEVICES UTILIZING NANOPARTICLES
公开(公告)号：TWI307969B
公开(公告)日：2009-03-21
申请号：TW092115309
申请日：2003-06-05
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：哥德O. 慕勒 GERD O. MUELLER , 瑞奇娜B. 慕勒-馬奇 REGINA B. MUELLER-MACH , 迪翠屈伯翠恩 DIETRICH BERTRAM , 湯姆斯爵斯托 THOMAS JUESTEL , 彼得J. 席米德特 PETER J. SCHMIDT , 喬欽歐比茲 JOACHIM OPITZ
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2933/0091
摘要：本發明揭示包括一光源、第一材料以及第二材料之微粒的發光裝置,該第一材料對於第一光線的一部分是透明的,並用來接收第一光線的一部分,該第二材料的微粒被分散到該第一材料中。在第一光線的波長下,第二材料的折射率大於第一材料的折射率。該第二材料的微粒具有約小於該波長的直徑。第三材料的微粒也被分散到該第一材料中。
简体摘要：本发明揭示包括一光源、第一材料以及第二材料之微粒的发光设备,该第一材料对于第一光线的一部分是透明的,并用来接收第一光线的一部分,该第二材料的微粒被分散到该第一材料中。在第一光线的波长下,第二材料的折射率大于第一材料的折射率。该第二材料的微粒具有约小于该波长的直径。第三材料的微粒也被分散到该第一材料中。

7. 发明专利

TW200845426A 包含濾光器之發光裝置 LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING A FILTER 审中-公开
简体标题：包含滤光器之发光设备 LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING A FILTER
公开(公告)号：TW200845426A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096149049
申请日：2007-12-20
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：多麗A 崔迪爾 TROTTIER, TROY A. , 瑪提斯H 庫柏 KEUPER, MATTHIJS H.
IPC分类号： H01L , F21V , G02B
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種半導體結構10,其包括佈置於一n型區域與一p型區域之間的一發光區域12。經組態用以吸收該發光區域發射的第一束光之一部分並發射第二束光的一波長轉換材料20、24、27係佈置在該第一束光之一路徑中。一濾光器22、26、32、34係佈置在該第一與第二束光之一路徑中。在某些具體實施例中,該濾光器吸收或反射具大於一預定强度之一强度的第一束光部分。在某些具體實施例中,該濾光器吸收或反射該第二束光之一部分。在某些具體實施例中,將一數量之濾光器材料佈置在該第一與第二束光之該路徑中,然後偵測穿過該濾光器的該第一與第二束光之相關色溫(CCT)。可移除濾光器材料以將該偵測之相關色溫修正為一預定相關色溫。
简体摘要：本发明揭示一种半导体结构10,其包括布置于一n型区域与一p型区域之间的一发光区域12。经组态用以吸收该发光区域发射的第一束光之一部分并发射第二束光的一波长转换材料20、24、27系布置在该第一束光之一路径中。一滤光器22、26、32、34系布置在该第一与第二束光之一路径中。在某些具体实施例中,该滤光器吸收或反射具大于一预定强度之一强度的第一束光部分。在某些具体实施例中,该滤光器吸收或反射该第二束光之一部分。在某些具体实施例中,将一数量之滤光器材料布置在该第一与第二束光之该路径中,然后侦测穿过该滤光器的该第一与第二束光之相关色温(CCT)。可移除滤光器材料以将该侦测之相关色温修正为一预定相关色温。

8. 发明专利

TW200842404A 包含回收不需要之光的色彩選擇面板之照明裝置 ILLUMINATION DEVICE INCLUDING A COLOR SELECTING PANEL FOR RECYCLING UNWANTED LIGHT 审中-公开
简体标题：包含回收不需要之光的色彩选择皮肤之照明设备 ILLUMINATION DEVICE INCLUDING A COLOR SELECTING PANEL FOR RECYCLING UNWANTED LIGHT
公开(公告)号：TW200842404A
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW096150611
申请日：2007-12-27
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：瑟吉J 比爾惠山 BIERHUIZEN, SERGE J. , 賈雅德哈柏斯 HARBERS, GERARD
IPC分类号： G02B , H04N
CPC分类号： G02B27/102 , H04N9/3108 , H04N9/3111 , H04N9/3158
摘要：本發明揭示一種照明源100,其包含至少一發光二極體104,例如以產生短波長光之LED之陣列。一或多個波長轉換元件114A,如磷光體元件,將來自該(等)LED 104之短波長光之至少一部分轉換成較長波長,如紅色與綠色。位於該(等)LED與該(等)波長轉換元件間之一分色元件110透射來自該(等)LED之光並反射來自該(等)波長轉換元件之較長波長。一色彩選擇面板120選擇將由該照明裝置100產生並經回收以另尋由該(等)波長轉換元件114A來轉換或由該分色元件110來反射之機會之光的色彩。該色彩選擇面板120可就空間域與時域中之一或二者來操作。
简体摘要：本发明揭示一种照明源100,其包含至少一发光二极管104,例如以产生短波长光之LED之数组。一或多个波长转换组件114A,如磷光体组件,将来自该(等)LED 104之短波长光之至少一部分转换成较长波长,如红色与绿色。位于该(等)LED与该(等)波长转换组件间之一分色组件110透射来自该(等)LED之光并反射来自该(等)波长转换组件之较长波长。一色彩选择皮肤120选择将由该照明设备100产生并经回收以另寻由该(等)波长转换组件114A来转换或由该分色组件110来反射之机会之光的色彩。该色彩选择皮肤120可就空间域与时域中之一或二者来操作。

9. 发明专利

TWI301340B 波長轉換半導體發光裝置之選擇性濾波 SELECTIVE FILTERING OF WAVELENGTH-CONVERTED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES 有权
简体标题：波长转换半导体发光设备之选择性滤波 SELECTIVE FILTERING OF WAVELENGTH-CONVERTED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TWI301340B
公开(公告)日：2008-09-21
申请号：TW092126367
申请日：2003-09-24
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：崔伊A. 托特勒 TROY A. TROTTIER , 葛德O. 穆勒 GERD O. MUELLER , 蕾晶娜B. 穆勒-瑪奇 REGINA B. MUELLER-MACH , 麥克R. 克拉瑪斯 MICHAEL R. KRAMES
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2224/14
摘要：本發明係揭示一種發光裝置,該裝置包含一半導體發光
裝置晶片,該晶片具有一上表面及一側表面;一波長轉換
材料,其覆蓋在該晶片之上表面及側表面的至少一部份
上;及一濾波材料,其覆蓋在該波長轉換材料之上。該晶
片係能夠發射出具一第一波長之光線,該波長轉換材料係
能夠吸收具有該第一波長之光線,而發射具有第二波長之
光線,及該濾波材料係能夠吸收具有該第一波長之光線。
在其他實施例中,一發光裝置包含一濾波材料,該材料能
夠反射具有一第一波長之光線,及傳送具有一第二波長之
光線。
简体摘要：本发明系揭示一种发光设备,该设备包含一半导体发光设备芯片,该芯片具有一上表面及一侧表面;一波长转换材料,其覆盖在该芯片之上表面及侧表面的至少一部份上;及一滤波材料,其覆盖在该波长转换材料之上。该晶片系能够发射出具一第一波长之光线,该波长转换材料系能够吸收具有该第一波长之光线,而发射具有第二波长之光线,及该滤波材料系能够吸收具有该第一波长之光线。在其他实施例中,一发光设备包含一滤波材料,该材料能够反射具有一第一波长之光线,及发送具有一第二波长之光线。

10. 发明专利

TW200805706A 用於發光裝置之發光陶瓷元件 LUMINESCENT CERAMIC ELEMENT FOR A LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：用于发光设备之发光陶瓷组件 LUMINESCENT CERAMIC ELEMENT FOR A LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200805706A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW095144067
申请日：2006-11-29
申请人：飛利浦露明光學公司 PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY, LLC
发明人：麥可R. 克萊米斯 KRAMES, MICHAEL R. , 彼得J. 西米德特 SCHMIDT, PETER J.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C09K11/7774 , C04B35/44 , C04B35/597 , C04B35/63416 , C04B35/645 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6581 , C04B2235/662 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7731 , C09K11/7734 , C09K11/7792 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體結構,其包括一安置n型區與p型區之間的發光層,該半導體結構附著至一化合物基板,該化合物基板包括一向裝置提供機械支撐之主體及一包括發光材料之陶瓷層。在一些實施例中,該化合物基板包括一結晶晶種層,該結晶晶種層上生長有該半導體結構。陶瓷層安置於晶種層與主體之間。在一些實施例中,於習知生長基板上生長半導體結構厚,將化合物基板附著至該結構。在一些實施例中,化合物基板與半導體結構間隔開且不向該結構提供機械支撐。在一些實施例中,陶瓷層具有小於500��m之厚度。
简体摘要：一种半导体结构,其包括一安置n型区与p型区之间的发光层,该半导体结构附着至一化合物基板,该化合物基板包括一向设备提供机械支撑之主体及一包括发光材料之陶瓷层。在一些实施例中,该化合物基板包括一结晶晶种层,该结晶晶种层上生长有该半导体结构。陶瓷层安置于晶种层与主体之间。在一些实施例中,于习知生长基板上生长半导体结构厚,将化合物基板附着至该结构。在一些实施例中,化合物基板与半导体结构间隔开且不向该结构提供机械支撑。在一些实施例中,陶瓷层具有小于500��m之厚度。

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