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1. 发明专利

TW200845361A 減少與金屬接觸之介電層中之裂縫之方法及結構 METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING CRACKS IN A DIELECTRIC LAYER IN CONTACT WITH METAL 审中-公开
简体标题：减少与金属接触之介电层中之裂缝之方法及结构 METHOD AND STRUCTURE FOR REDUCING CRACKS IN A DIELECTRIC LAYER IN CONTACT WITH METAL
公开(公告)号：TW200845361A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097108315
申请日：2008-03-10
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：貝瑞里爾斯 LILES, BARRY J. , 柯林惠倫 WHELAN, COLIN S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/65 , H01L23/5223 , H01L28/75 , H01L2924/0002 , Y10S257/906 , H01L2924/00
摘要：一種減少與金屬結構接觸之介電層中的裂縫之方法及結構。該金屬結構包括一第一金屬層;一第二金屬層,其係配置在該第一金屬層之上且與其接觸,該第二金屬層比該第一金屬層更硬挺;一第三金屬層,其係配置在該第二金屬層之上且與其接觸,該第二金屬層比該第三金屬層更硬挺。該金屬結構包括附加的金屬,其中該介電層係經配置在該金屬結構與該附加金屬之間。
简体摘要：一种减少与金属结构接触之介电层中的裂缝之方法及结构。该金属结构包括一第一金属层;一第二金属层,其系配置在该第一金属层之上且与其接触,该第二金属层比该第一金属层更硬挺;一第三金属层,其系配置在该第二金属层之上且与其接触,该第二金属层比该第三金属层更硬挺。该金属结构包括附加的金属,其中该介电层系经配置在该金属结构与该附加金属之间。

2. 发明专利

TW200832697A 在III-V族半導體之閘極結構形成中的原子層沈積 ATOMIC LAYER DEPOSITION IN THE FORMATION OF GATE STRUCTURES FOR III-V SEMICONDUCTOR 审中-公开
简体标题：在III-V族半导体之闸极结构形成中的原子层沉积 ATOMIC LAYER DEPOSITION IN THE FORMATION OF GATE STRUCTURES FOR III-V SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW200832697A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096140090
申请日：2007-10-25
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：肯默泰巴塔拜 TABATABAIE, KAMAL , 羅伯特霍洛克 HALLOCK, ROBERT B.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28587 , H01L29/66462
摘要：一種具有凹部及電介質膜之半導體結構係配置於半導體上且與該半導體相接觸。該電介質膜具有一孔徑於其中,該電介質膜的部分係配置相鄰於該孔徑且突出於該凹部之底層部分。一電接點具有其第一部分配置於該電介質膜之該相鄰部分上,第二部分配置於該凹部之該底層部分上,連同該電介質膜的部分係配置在該電接點的該第一部分與該電接點的該等第二部分之間,以及該電接點的第三部分係配置於該半導體結構中之該凹部的底部部分上且和該半導體結構中之該凹部的該底部部分相接觸。該電接點係藉由將導電材料原子層沈積於該電介質膜之上,並且經過在該電介質膜中的該孔徑來予以形成。
简体摘要：一种具有凹部及电介质膜之半导体结构系配置于半导体上且与该半导体相接触。该电介质膜具有一孔径于其中,该电介质膜的部分系配置相邻于该孔径且突出于该凹部之底层部分。一电接点具有其第一部分配置于该电介质膜之该相邻部分上,第二部分配置于该凹部之该底层部分上,连同该电介质膜的部分系配置在该电接点的该第一部分与该电接点的该等第二部分之间,以及该电接点的第三部分系配置于该半导体结构中之该凹部的底部部分上且和该半导体结构中之该凹部的该底部部分相接触。该电接点系借由将导电材料原子层沉积于该电介质膜之上,并且经过在该电介质膜中的该孔径来予以形成。

3. 发明专利

TW200741238A 對海生哺乳動物提供低衝擊機率的聲納系統及方法 SONAR SYSTEM AND METHOD PROVIDING LOW PROBABILITY OF IMPACT ON MARINE MAMMALS 审中-公开
简体标题：对海生哺乳动物提供低冲击概率的声纳系统及方法 SONAR SYSTEM AND METHOD PROVIDING LOW PROBABILITY OF IMPACT ON MARINE MAMMALS
公开(公告)号：TW200741238A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095138086
申请日：2006-10-16
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：詹姆士羅尼三世 ROONEY, III, JAMES H. , 潔西葛瑞克 GRATKE, JESSE T. , 雷恩李維斯 LEWIS, RYAN J. , 麥克珍尼克 JANIK, MICHAEL F. , 湯馬士彼得森 PEDERSON, THOMAS B. , 威廉盧斯基 ZURAWSKI, WILLIAM C. , 詹姆士米勒 MILLER, JAMES H.
IPC分类号： G01S
CPC分类号： G01S15/104 , G01S7/524 , G01S7/539
摘要：低海生哺乳動物衝擊機率(LPMMI)之聲音信號具有被選擇的調變分量,以減少來自海生哺乳動物之行為響應,該行為響應是在當發射另一聲音信號時發生,該另一聲音信號具有與該LPMMI波形大致相同的持續時間分量、大致相同的頻寬分量、以及大致相同的中心頻率分量,但具有包括頻率調變之調變分量。
简体摘要：低海生哺乳动物冲击概率(LPMMI)之声音信号具有被选择的调制分量,以减少来自海生哺乳动物之行为响应,该行为响应是在当发射另一声音信号时发生,该另一声音信号具有与该LPMMI波形大致相同的持续时间分量、大致相同的带宽分量、以及大致相同的中心频率分量,但具有包括频率调制之调制分量。

4. 发明专利

TW200727475A 具有改良場極板的半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING IMPROVED FIELD PLATES 审中-公开
简体标题：具有改良场极板的半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING IMPROVED FIELD PLATES
公开(公告)号：TW200727475A
公开(公告)日：2007-07-16
申请号：TW095105652
申请日：2006-02-20
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：黃丘卓 HWANG, KIUCHUL , 愛爾莎童 TONG, ELSA K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/812 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/42316
摘要：本發明揭示一種場效電晶體及其方法,此裝置具有源極和汲極電極以歐姆接觸一半導體。一閘極電極-場極板結構是配置於該源極與汲極電極之間。該閘極電極-場極板結構包括一介電質;一第一金屬以肖特基(Schottky)接觸該半導體;以及一第二金屬。該第二金屬具有一第一部分,配置於該第一金屬之一部分上方,並與其電連接;以及一第二部分,藉該介電質之一部分與該第一金屬之第二部分隔開,並且延伸越過該第一金屬的一邊緣至該第二金屬的一邊緣。該第一金屬的該邊緣是進一步來自該汲極電極,而不是該第二金屬的該邊緣,以提供一場極板於該場效電晶體。
简体摘要：本发明揭示一种场效应管及其方法,此设备具有源极和汲极电极以欧姆接触一半导体。一闸极电极-场极板结构是配置于该源极与汲极电极之间。该闸极电极-场极板结构包括一介电质;一第一金属以肖特基(Schottky)接触该半导体;以及一第二金属。该第二金属具有一第一部分,配置于该第一金属之一部分上方,并与其电连接;以及一第二部分,藉该介电质之一部分与该第一金属之第二部分隔开,并且延伸越过该第一金属的一边缘至该第二金属的一边缘。该第一金属的该边缘是进一步来自该汲极电极,而不是该第二金属的该边缘,以提供一场极板于该场效应管。

5. 发明专利

TW200638059A 校準雷達陣列之系統及技術 SYSTEM AND TECHNIQUE FOR CALIBRATING RADAR ARRAYS 审中-公开
简体标题：校准雷达数组之系统及技术 SYSTEM AND TECHNIQUE FOR CALIBRATING RADAR ARRAYS
公开(公告)号：TW200638059A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：TW094145122
申请日：2005-12-19
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：傑若米帕茲蓋 POZGAY, JEROME HOWARD , 衛斯理杜爾 DULL, WESLEY THOMAS
IPC分类号： G01S
CPC分类号： G01S13/003 , G01S7/4004 , G01S13/723 , G01S13/87
摘要：一種用以校準複數個雷達之系統及技術，提供一組由回返自複數個靶標之單靜態回波所衍生的同時方程式，該等同時方程式之解將提供與該複數個雷達相關聯的相對位置校準因數及時間延遲校準因數。該等相對位置校準因數及該等時間延遲校準因數允許該複數個雷達僅藉由相較於一理想相干處理增益之小量的處理增益損失來予以相干地結合。
简体摘要：一种用以校准复数个雷达之系统及技术，提供一组由回返自复数个靶标之单静态回波所衍生的同时方进程，该等同时方进程之解将提供与该复数个雷达相关联的相对位置校准因子及时间延迟校准因子。该等相对位置校准因子及该等时间延迟校准因子允许该复数个雷达仅借由相较于一理想相干处理增益之小量的处理增益损失来予以相干地结合。

6. 发明专利

TW200625640A 場效電晶體 FIELD EFFECT TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：场效应管 FIELD EFFECT TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200625640A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094117102
申请日：2005-05-25
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：黃丘卓 HWANG, KIUCHUL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/8252 , H01L27/095
摘要：一種半導體結構，具有增強模式電晶體裝置設置於第一區域中以及空乏模式電晶體裝置設置於結構橫向配置之第二區域中。增強模式電晶體裝置InGaP止蝕刻／肖特基接觸層設置於通道層上；與InGaP不同之第一層設置於InGaP層上；空乏模式電晶體裝置止蝕刻層係設置於該第一層上；以及第二層設置於該空乏模式電晶體裝置止蝕刻層上。該空乏模式電晶體裝置具有閘極凹處，通過第二層以及空乏模式電晶體裝置止蝕刻層以及終止於第一層中。該增強模式電晶體裝置具有閘極凹處，通過該第二層、該空乏模式電晶體裝置止蝕刻層、該第一層以及終止於該InGaP層中。
简体摘要：一种半导体结构，具有增强模式晶体管设备设置于第一区域中以及空乏模式晶体管设备设置于结构横向配置之第二区域中。增强模式晶体管设备InGaP止蚀刻／肖特基接触层设置于信道层上；与InGaP不同之第一层设置于InGaP层上；空乏模式晶体管设备止蚀刻层系设置于该第一层上；以及第二层设置于该空乏模式晶体管设备止蚀刻层上。该空乏模式晶体管设备具有闸极凹处，通过第二层以及空乏模式晶体管设备止蚀刻层以及终止于第一层中。该增强模式晶体管设备具有闸极凹处，通过该第二层、该空乏模式晶体管设备止蚀刻层、该第一层以及终止于该InGaP层中。

7. 发明专利

TW200515999A 具聚酯-聚芳基酸酯纖維之雷達罩及製備彼等之方法 PADOME WITH POLYESTER-POLYARYLATE FIBERS AND A METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
简体标题：具聚酯-聚芳基酸酯纤维之雷达罩及制备彼等之方法 PADOME WITH POLYESTER-POLYARYLATE FIBERS AND A METHOD OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200515999A
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：TW093121409
申请日：2004-07-16
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：馬文I 福瑞德伯格 FREDBERG, MARVIN I. , 彼得H 希漢 SHEAHAN, PETER H. , 沙倫A 艾斯渥思 ELSWORTH, SHARON A. , 凱章張 CHANG, KAICHANG
IPC分类号： B32B
CPC分类号： B32B27/40 , B32B27/12 , B32B27/322 , B32B2262/0215 , H01Q1/427 , Y10T442/20 , Y10T442/3528
摘要：本發明係關於一種包含可撓曲複合織物材料之雷達罩，其中該可撓曲複合織物材料包含聚酯–聚芳基酸酯纖維於可撓曲樹脂基材中。
简体摘要：本发明系关于一种包含可挠曲复合织物材料之雷达罩，其中该可挠曲复合织物材料包含聚酯–聚芳基酸酯纤维于可挠曲树脂基材中。

8. 发明专利

TW200503003A 電氣變壓器 ELECTRICAL TRANSFORMER 审中-公开
简体标题：电气变压器 ELECTRICAL TRANSFORMER
公开(公告)号：TW200503003A
公开(公告)日：2005-01-16
申请号：TW093102422
申请日：2004-02-03
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：鮑里斯傑科布森 JACOBSON, BORIS SOLOMON , 布魯斯奇諾拉 CHIGNOLA, BRUCE WILLIAM , 加洛達克桑 DAKESSIAN, GARO , 丹尼斯科林 KLING, DENNIS ROBERT , 凱文馬汀 MARTIN, KEVIN EDWARD , 亞伯哈特普雷傑 PRAEGER, EBERHARDT , 威廉威斯洛斯基 WESOLOWSKI, WILLIAM EDWARD
IPC分类号： H01F
CPC分类号： H01F17/0033 , H01F17/062 , H01F2038/006
摘要：敘述一種電氣變壓器，具有一配置在一對電介質間之鐵芯，各電介質具有配置在多個電氣隔離層之各層上的多個電氣隔離之導電體段。在鐵芯中具有一孔穴，其延伸在第一及第二電介質之間，並且有一電介體配置在此孔穴中。電介體中配置有多個第三電氣隔離之導電體段，其第一端電連接至多個第一電氣隔離之導電體段且第二端電連接至多個第二電氣隔離之導電體段，並使用該導電體段做為變壓器之線圈。
简体摘要：叙述一种电气变压器，具有一配置在一对电介质间之铁芯，各电介质具有配置在多个电气隔离层之各层上的多个电气隔离之导电体段。在铁芯中具有一孔穴，其延伸在第一及第二电介质之间，并且有一电介体配置在此孔穴中。电介体中配置有多个第三电气隔离之导电体段，其第一端电连接至多个第一电气隔离之导电体段且第二端电连接至多个第二电气隔离之导电体段，并使用该导电体段做为变压器之线圈。

9. 发明专利

TW200405669A 總合增量調變器 SIGMA DELTA MODULATOR 审中-公开
简体标题：总合增量调制器 SIGMA DELTA MODULATOR
公开(公告)号：TW200405669A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092118895
申请日：2003-07-10
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY
发明人：喬治歐羅斯 OLLOS, GEORGE , 賴瑞戴胡夫 DAYHUFF, LARRY W.
IPC分类号： H03M
CPC分类号： H03M3/324 , H03M3/43 , H03M3/438
摘要：一種總合增量調變器，具有積分器，積分器具有耦合類比訊號的第一輸入及耦合參考電壓的第二輸入。比較器具有耦合至積分器的輸出的第一輸入及耦合至參考電壓的第二輸入。比較器根據其第一及第二輸入處的訊號之相對量值而產生具有邏輯狀態的訊號。在佇鎖脈沖的佇鎖轉換期間，邏輯狀態會佇鎖在比較器的輸出。在饋送給量化器的時計脈沖之取樣轉換時，一位元量化器儲存比較器輸出處的邏輯狀態。時計脈沖與佇鎖脈沖會彼此同步。每一件鎖轉換會於對應的取樣轉換之前發生。
简体摘要：一种总合增量调制器，具有积分器，积分器具有耦合模拟信号的第一输入及耦合参考电压的第二输入。比较器具有耦合至积分器的输出的第一输入及耦合至参考电压的第二输入。比较器根据其第一及第二输入处的信号之相对量值而产生具有逻辑状态的信号。在伫锁脉冲的伫锁转换期间，逻辑状态会伫锁在比较器的输出。在馈送给量化器的时计脉冲之采样转换时，一比特量化器存储比较器输出处的逻辑状态。时计脉冲与伫锁脉冲会彼此同步。每一件锁转换会于对应的采样转换之前发生。

10. 发明专利

TWI270653B 發射器平台 LAUNCHER PLATFORM 有权
简体标题：发射器平台 LAUNCHER PLATFORM
公开(公告)号：TWI270653B
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：TW092107884
申请日：2003-04-07
申请人：雷森公司 RAYTHEON COMPANY , 通用動力軍備和工業製造公司 GENERAL DYNAMICS ARMAMENT AND TECHNICAL PRODUCTS, INC.
发明人：約翰夫P. 史密斯 JOSEPH P. SMITH , 約翰K. 寇里吉 JOHN K. COOLIDGE , 史坦利G. 透那 STANLEY G. TURNER
IPC分类号： F41F
摘要：一種發射器平台，包括一支撐結構件，及安裝在支撐結構件之數個軌道，以支撐位於其上之飛彈；各鄰接軌道被提起高於其他軌道，以容納額外的飛彈與不同型式飛彈，同時保持低重心。
简体摘要：一种发射器平台，包括一支撑结构件，及安装在支撑结构件之数个轨道，以支撑位于其上之导弹；各邻接轨道被提起高于其他轨道，以容纳额外的导弹与不同型式导弹，同时保持低重心。

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