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    • 4. 发明专利
    • 溫度測定構件、溫度測定裝置及溫度測定方法
    • 温度测定构件、温度测定设备及温度测定方法
    • TW200916745A
    • 2009-04-16
    • TW097121753
    • 2008-06-11
    • 神戶製鋼所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
    • 水野雅夫 MIZUNO, MASAO平野貴之 HIRANO, TAKAYUKI富久勝文 TOMIHISA, KATSUFUMI
    • G01K
    • G01K3/14G01K11/06G01K2213/00
    • 本發明,係提供一種:不需要外部配線,也沒有雜質和粉塵的產生,而能夠進行從低溫至高溫之廣溫度範圍下的最高到達溫度的測定之溫度測定構件、溫度測定裝置和溫度測定方法。本發明構成如下:以經由光學顯微鏡(3)、CCD攝像機(4)和IO埠(5)而被輸出到運算處理裝置(6)處的圖像資料為基礎,來藉由個數計算部(7)而計算出由於在形成有金屬薄膜之溫度測定構件(1)處所受到的熱過程所致的在金屬薄膜上所產生之突起形狀的面密度,並根據該面密度、和預先儲存在記憶體(8)中的相關於最高到達溫度與面密度之資料,來藉由溫度計算部(9)而求得被測溫對象的最高到達溫度。另外,本發明構成如下:使用在基板上成膜鋁薄膜而成的溫度測定構件,測定伴隨該溫度測定構件所受到之溫度過程而在薄膜表面所形成的突起所引起的薄膜的反射率之降低量,並基於此反射率的降低量,推定溫度過程之中最高到達溫度。
    • 本发明,系提供一种:不需要外部配线,也没有杂质和粉尘的产生,而能够进行从低温至高温之广温度范围下的最高到达温度的测定之温度测定构件、温度测定设备和温度测定方法。本发明构成如下:以经由光学显微镜(3)、CCD摄像机(4)和IO端口(5)而被输出到运算处理设备(6)处的图像数据为基础,来借由个数计算部(7)而计算出由于在形成有金属薄膜之温度测定构件(1)处所受到的热过程所致的在金属薄膜上所产生之突起形状的面密度,并根据该面密度、和预先存储在内存(8)中的相关于最高到达温度与面密度之数据,来借由温度计算部(9)而求得被测温对象的最高到达温度。另外,本发明构成如下:使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件,测定伴随该温度测定构件所受到之温度过程而在薄膜表面所形成的突起所引起的薄膜的反射率之降低量,并基于此反射率的降低量,推定温度过程之中最高到达温度。
    • 10. 发明专利
    • 顯示裝置之製法 METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
    • 显示设备之制法 METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
    • TW200816292A
    • 2008-04-01
    • TW096127571
    • 2007-07-27
    • 神戶製鋼所股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
    • 奧野博行 OKUNO, HIROYUKI
    • H01L
    • G03F7/0325G02F1/13439G02F2001/136295G03F7/0007
    • 本發明提供一種顯示裝置之製法,其可以省略遮罩金屬層,實現使鋁合金膜與透明導電膜直接接觸的顯示裝置的製造,並且可以組合防腐蝕性優良的處理液,來克服鋁合金膜所具有的耐腐蝕性不足的問題。在製造如下的顯示裝置時,即具有配置於玻璃基板上的由鋁合金膜構成的配線材料和利用透明導電膜構成的像素電極直接連接而成的構造,在該配線材料與像素電極的連接介面上,構成所述配線材料的鋁合金膜的合金成分的一部份或全部作為析出物或濃化層存在的顯示裝置,作為用於將配線圖型的形成中所用的光阻顯影的顯影液,使用含有 2-3.5 質量%的有機鹼和 2-10 質量%的碳數為 4-6 的糖醇且不含其它的多元醇的光阻用顯影液。
    • 本发明提供一种显示设备之制法,其可以省略遮罩金属层,实现使铝合金膜与透明导电膜直接接触的显示设备的制造,并且可以组合防腐蚀性优良的处理液,来克服铝合金膜所具有的耐腐蚀性不足的问题。在制造如下的显示设备时,即具有配置于玻璃基板上的由铝合金膜构成的配线材料和利用透明导电膜构成的像素电极直接连接而成的构造,在该配线材料与像素电极的连接界面上,构成所述配线材料的铝合金膜的合金成分的一部份或全部作为析出物或浓化层存在的显示设备,作为用于将配线图型的形成中所用的光阻显影的显影液,使用含有 2-3.5 质量%的有机碱和 2-10 质量%的碳数为 4-6 的糖醇且不含其它的多元醇的光阻用显影液。