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    • 1. 发明专利
    • 施加保護膜至半導體晶圓之方法及裝置
    • 施加保护膜至半导体晶圆之方法及设备
    • TW385296B
    • 2000-03-21
    • TW087107433
    • 1998-05-14
    • 琳得科公司
    • 齊藤博栗田剛岡本光司
    • H01LB26DB65H
    • H01L21/67132H01L21/67092Y10T156/1057Y10T156/108Y10T156/1343Y10T156/1734
    • 將保護膜施加至半導體晶圓的裝置及方法中,其中半導體晶圓放置於平台上方,壓輥以朝向平台的偏壓將保護膜壓著於晶圓上,移動平台以將保護膜施加於晶圓,張力輥安排在壓輥的前方,在保護膜上施加與進料方向相反的張力,在保護膜開始施加於半導體晶圓時,張力輥被設定在相對較高的值,以使保護膜保持在拉伸狀態,接著,在將保護膜施加於半導體晶圓期間,張力輥設定在相對較低的值,以使保護膜尚未施加到半導體晶圓的部分不致接觸到晶圓,接下來,在保護膜施加於晶圓後,使用切割刀按半導體晶圓的形狀切割保護膜,切割動作首先在Y方向移動切割刀,從定位平直部分的轉角部分C1切割到轉角部分C2,接著旋轉平台同時移動切割器與平台,將切割刀的切割方向對準半導體晶圓之圓周部分的切線方向,接著旋轉平台,沿著半導體晶圓的圓周部分切割保護膜。
    • 将保护膜施加至半导体晶圆的设备及方法中,其中半导体晶圆放置于平台上方,压辊以朝向平台的偏压将保护膜压着于晶圆上,移动平台以将保护膜施加于晶圆,张力辊安排在压辊的前方,在保护膜上施加与进料方向相反的张力,在保护膜开始施加于半导体晶圆时,张力辊被设置在相对较高的值,以使保护膜保持在拉伸状态,接着,在将保护膜施加于半导体晶圆期间,张力辊设置在相对较低的值,以使保护膜尚未施加到半导体晶圆的部分不致接触到晶圆,接下来,在保护膜施加于晶圆后,使用切割刀按半导体晶圆的形状切割保护膜,切割动作首先在Y方向移动切割刀,从定位平直部分的转角部分C1切割到转角部分C2,接着旋转平台同时移动切割器与平台,将切割刀的切割方向对准半导体晶圆之圆周部分的切线方向,接着旋转平台,沿着半导体晶圆的圆周部分切割保护膜。
    • 4. 发明专利
    • 照明裝置
    • 照明设备
    • TW313626B
    • 1997-08-21
    • TW085103444
    • 1996-03-22
    • 琳得科公司
    • 小林健治黑川修二
    • G01N
    • G01N21/8806
    • 一種照明裝置1,有一凸透鏡11設置為致使其光軸相對於一觀測部份3a( 例如半導體基片或類似部份)之法線成一角度θ,而有一攝影機5設於反射光線之路徑上。一發光部份13設於沿透鏡11之光軸時,便發生亮場照明。如果轉動旋鈕29,發光部份13便沿一滾珠螺桿25移動,從而使照明自亮場照明改變為暗場照明。轉動旋鈕37時,如果發光部份13移動接近透鏡11,射出透鏡11之光將會發散,如果發光部份13自透鏡11移開,將會會聚,如果發光部份13位於透鏡11之焦點,則將2會平行。以此方式改變發光部份13之位置,可改變照明角度及照明角度分布,並且根據物體3之光學特徵調整發光部份13之位置,藉以可獲得高對比影像。也可使用致動器,微電腦或類似裝置,藉以自動完成此等調整。
    • 一种照明设备1,有一凸透镜11设置为致使其光轴相对于一观测部份3a( 例如半导体基片或类似部份)之法线成一角度θ,而有一摄影机5设于反射光线之路径上。一发光部份13设于沿透镜11之光轴时,便发生亮场照明。如果转动旋钮29,发光部份13便沿一滚珠螺杆25移动,从而使照明自亮场照明改变为暗场照明。转动旋钮37时,如果发光部份13移动接近透镜11,射出透镜11之光将会发散,如果发光部份13自透镜11移开,将会会聚,如果发光部份13位于透镜11之焦点,则将2会平行。以此方式改变发光部份13之位置,可改变照明角度及照明角度分布,并且根据物体3之光学特征调整发光部份13之位置,借以可获得高对比影像。也可使用致动器,微电脑或类似设备,借以自动完成此等调整。