专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW200935483A 離子源生成方法及裝置 METHOD AND DEVICE OF ION SOURCE GENERATION 审中-公开
简体标题：离子源生成方法及设备 METHOD AND DEVICE OF ION SOURCE GENERATION
公开(公告)号：TW200935483A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097104687
申请日：2008-02-05
申请人：漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC , 美國漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC.
发明人：鄭乃元 CHENG, NAI YUAN , 楊允儒 YANG, YUN JU , 沈政輝 SHEN, CHENG HUI , 洪俊華 HONG, JUNHUA , 陳炯 CHEN, JIONG , 盛天予 SHENG, TIENYU , 陳麗暖 CHEN, LINUAN
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/02 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/08 , H01J2237/24585
摘要：一種離子源生成方法及裝置,利用離子束電流偵測器、溫度感測器、溫度控制器及冷卻系統增益離子植入機之離子反應室中的離子團簇之比例,於離子植入時,淺接合植入之效能亦隨之提高。
简体摘要：一种离子源生成方法及设备,利用离子束电流侦测器、温度传感器、温度控制器及冷却系统增益离子植入机之离子反应室中的离子团簇之比例,于离子植入时,浅接合植入之性能亦随之提高。

2. 发明专利

TW200807478A 使用條狀和點狀離子束之離子植入裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR ION BEAM IMPLANTATION USING RIBBON AND SPOT BEAMS 审中-公开
简体标题：使用条状和点状离子束之离子植入设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR ION BEAM IMPLANTATION USING RIBBON AND SPOT BEAMS
公开(公告)号：TW200807478A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096121211
申请日：2007-06-12
申请人：漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：陳炯 CHEN, JIONG
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/1472 , H01J2237/04756 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/1503 , H01J2237/201 , H01J2237/20221 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
摘要：一種離子植入裝置其係揭露具有多段操作模式,離子植入裝置具有離子源及離子分析裝置以汲取出帶狀離子束。離子植入裝置包含磁體分析裝置以選擇具有特定質譜分析比的離子通過一質量狹縫以投射於基材上,多極透鏡提供控制離子束均勻度及對準性。本發明揭露兩個路徑的離子束,而其第二個路徑整合一可過濾能量的減速或加速系統。最後植入的方法係揭露對靶材的一維掃瞄轉換至二維掃瞄的植入模式。
简体摘要：一种离子植入设备其系揭露具有多段操作模式,离子植入设备具有离子源及离子分析设备以汲取出带状离子束。离子植入设备包含磁体分析设备以选择具有特定质谱分析比的离子通过一质量狭缝以投射于基材上,多极透镜提供控制离子束均匀度及对准性。本发明揭露两个路径的离子束,而其第二个路径集成一可过滤能量的减速或加速系统。最后植入的方法系揭露对靶材的一维扫瞄转换至二维扫瞄的植入模式。

3. 发明专利

TW200725705A 離子佈植冷卻系統 ION IMPLANTATION COOLING SYSTEM 审中-公开
简体标题：离子布植冷却系统 ION IMPLANTATION COOLING SYSTEM
公开(公告)号：TW200725705A
公开(公告)日：2007-07-01
申请号：TW094144896
申请日：2005-12-16
申请人：漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY INC.
发明人：鄧念濠 TANG, DANIEL , 陳炯 CHEN, JOHN , 林偉政 LIN, WEI CHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種離子佈植冷卻系統,至少包含:一晶圓,做為離子佈植所使用之基材;一派利電熱幫浦,該派利電熱幫浦與該晶圓連接,用以轉移離子佈植於該晶圓所產生之熱量;以及一散熱器,該散熱器與該派利電熱幫浦連接,用以吸收該派利電熱幫浦之熱量;其中派利電熱幫浦包含:一個低溫面板及一個高溫面板,晶圓固設於低溫面板上,及該高溫面板與散熱器連接。此一冷卻系統乃是利用派利電熱幫浦,可以使得晶圓與晶圓接觸的表面能夠保持低於散熱器的溫度,能夠進一步達成更低溫離子植入製程的目的。
简体摘要：一种离子布植冷却系统,至少包含:一晶圆,做为离子布植所使用之基材;一派利电热帮浦,该派利电热帮浦与该晶圆连接,用以转移离子布植于该晶圆所产生之热量;以及一散热器,该散热器与该派利电热帮浦连接,用以吸收该派利电热帮浦之热量;其中派利电热帮浦包含:一个低温皮肤及一个高温皮肤,晶圆固设于低温皮肤上,及该高温皮肤与散热器连接。此一冷却系统乃是利用派利电热帮浦,可以使得晶圆与晶圆接触的表面能够保持低于散热器的温度,能够进一步达成更低温离子植入制程的目的。

4. 发明专利

TW200939312A 離子植入法 ION IMPLANT METHOD 审中-公开
简体标题：离子植入法 ION IMPLANT METHOD
公开(公告)号：TW200939312A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097109176
申请日：2008-03-14
申请人：漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：沈政輝 SHEN, CHENG HUI
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01J37/1474 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/15 , H01J2237/20214 , H01J2237/30488 , H01J2237/31703 , H01J2237/31706 , H01L21/265
摘要：一種離子植入法,此方法利用連續的兩次離子植入掃描間,離子植入掃瞄前,旋轉基板並將離子束之掃描路徑於平行基板平面且垂直掃描方向位移一錯位間距,如此在基板上形成交錯但不重疊之離子植入線,因而提高基板上離子植入劑量分布均勻度。
简体摘要：一种离子植入法,此方法利用连续的两次离子植入扫描间,离子植入扫瞄前,旋转基板并将离子束之扫描路径于平行基板平面且垂直扫描方向位移一错位间距,如此在基板上形成交错但不重叠之离子植入线,因而提高基板上离子植入剂量分布均匀度。

5. 发明专利

TWI287831B 離子佈植冷卻系統 ION IMPLANTATION COOLING SYSTEM 有权
简体标题：离子布植冷却系统 ION IMPLANTATION COOLING SYSTEM
公开(公告)号：TWI287831B
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW094144896
申请日：2005-12-16
申请人：漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY INC.
发明人：鄧念濠 TANG, DANIEL , 陳炯 CHEN, JOHN , 林偉政 LIN, WEI CHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種離子佈植冷卻系統，至少包含：一晶圓，做為離子佈植所使用之基材；一派利電熱幫浦，該派利電熱幫浦與該晶圓連接，用以轉移離子佈植於該晶圓所產生之熱量；以及一散熱器，該散熱器與該派利電熱幫浦連接，用以吸收該派利電熱幫浦之熱量；其中派利電熱幫浦包含：一個低溫面板及一個高溫面板，晶圓固設於低溫面板上，及該高溫面板與散熱器連接。此一冷卻系統乃是利用派利電熱幫浦，可以使得晶圓與晶圓接觸的表面能夠保持低於散熱器的溫度，能夠進一步達成更低溫離子植入製程的目的。
简体摘要：一种离子布植冷却系统，至少包含：一晶圆，做为离子布植所使用之基材；一派利电热帮浦，该派利电热帮浦与该晶圆连接，用以转移离子布植于该晶圆所产生之热量；以及一散热器，该散热器与该派利电热帮浦连接，用以吸收该派利电热帮浦之热量；其中派利电热帮浦包含：一个低温皮肤及一个高温皮肤，晶圆固设于低温皮肤上，及该高温皮肤与散热器连接。此一冷却系统乃是利用派利电热帮浦，可以使得晶圆与晶圆接触的表面能够保持低于散热器的温度，能够进一步达成更低温离子植入制程的目的。

6. 发明专利

TW200905734A 離子植入方法 ION IMPLANTATION METHOD 审中-公开
简体标题：离子植入方法 ION IMPLANTATION METHOD
公开(公告)号：TW200905734A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096127172
申请日：2007-07-26
申请人：漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY., INC
发明人：林偉政 LIN, WEI CHENG , 沈政輝 SHEN, CHENG HUI
IPC分类号： H01L
摘要：一種離子植入方法,用於將離子植入一靶材,此離子植入方法,係利用轉動靶材並配合一等速率掃描將複數離子植入靶材;或,亦可在不轉動靶材的前提下使用變動速率將複數離子植入靶材。不需提供濃度均勻分布的離子束即可製造出特殊劑量分布之離子植入結果,可減少製程時間且提高製程良率。
简体摘要：一种离子植入方法,用于将离子植入一靶材,此离子植入方法,系利用转动靶材并配合一等速率扫描将复数离子植入靶材;或,亦可在不转动靶材的前提下使用变动速率将复数离子植入靶材。不需提供浓度均匀分布的离子束即可制造出特殊剂量分布之离子植入结果,可减少制程时间且提高制程良率。

7. 发明专利

TWI256697B 離子植入製程中防止晶圓表面受微塵粒子撞擊方法 METHOD FOR PREVENTING WAFER DEFECT FOR A BATCH-TYPE ION IMPLANTER SPINNING DIRECTION PARTICLE 有权
简体标题：离子植入制程中防止晶圆表面受微尘粒子撞击方法 METHOD FOR PREVENTING WAFER DEFECT FOR A BATCH-TYPE ION IMPLANTER SPINNING DIRECTION PARTICLE
公开(公告)号：TWI256697B
公开(公告)日：2006-06-11
申请号：TW094102206
申请日：2005-01-25
申请人：漢辰科技股份有限公司 ADVANCED ION BEAM TECHNOLOGY INC.
发明人：林偉政 LIN, WEI CHENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/022
摘要：本發明提出一種防止晶圓表面受微塵粒子撞擊方法，以解決整批式離子植入晶圓表面受微塵粒子撞擊造成缺陷的問題，其係藉由配合晶圓傾斜的方向，機動地調整轉盤系統的旋轉方向，使欲形成深顯微尺寸電路構造的晶圓的離子植入面始終不會受到微塵粒子的撞擊。本發明之方法包括：當進行正傾斜角植入時，轉盤系統旋轉的方向，調整為順時針方向，當進行負傾斜角植入時，轉盤系統旋轉的方向，調整為逆時針方向。如此，晶圓的離子植入面始終不會在轉盤系統旋轉時面對微塵粒子的撞擊，而可達成本發明之整批式離子植入製程中防止晶圓表面受微塵粒子撞擊方法之目的。
简体摘要：本发明提出一种防止晶圆表面受微尘粒子撞击方法，以解决整批式离子植入晶圆表面受微尘粒子撞击造成缺陷的问题，其系借由配合晶圆倾斜的方向，机动地调整转盘系统的旋转方向，使欲形成深显微尺寸电路构造的晶圆的离子植入面始终不会受到微尘粒子的撞击。本发明之方法包括：当进行正倾斜角植入时，转盘系统旋转的方向，调整为顺时针方向，当进行负倾斜角植入时，转盘系统旋转的方向，调整为逆时针方向。如此，晶圆的离子植入面始终不会在转盘系统旋转时面对微尘粒子的撞击，而可达成本发明之整批式离子植入制程中防止晶圆表面受微尘粒子撞击方法之目的。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式