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1. 发明专利

TW200306354A 內磁屏蔽用鋼板及其製造方法,內磁屏蔽,暨彩色陰極射線管 STEEL SHEET FOR INNER MAGNETIC SHIELD, MANUFATURING METHOD THEREOF, INNER MAGNETIC SHIELD AND COLOR CATHODE RAY TUBE 审中-公开
简体标题：内磁屏蔽用钢板及其制造方法,内磁屏蔽,暨彩色阴极射线管 STEEL SHEET FOR INNER MAGNETIC SHIELD, MANUFATURING METHOD THEREOF, INNER MAGNETIC SHIELD AND COLOR CATHODE RAY TUBE
公开(公告)号：TW200306354A
公开(公告)日：2003-11-16
申请号：TW092103394
申请日：2003-02-19
申请人：日本鋼管股份有限公司 NKK CORPORATION , 新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：松岡秀樹 HIDEKI MATSUOKA , 杉原玲子 REIKO SUGIHARA , 田原健司 KENJI TAHARA , 久保典子 NORIKO KUBO , 福水啓介 KEISUKE FUKUMIZU , 竹內輝夫 TERUO TAKEUCHI , 加藤廣明 HIROAKI KATO
IPC分类号： C22C , C21D , H01F , H01J
CPC分类号： C22C38/004 , B21B3/02 , C21D8/12 , C22C38/02 , C22C38/04 , H01F1/16 , H01J29/06 , H01J2229/8634
摘要：本發明之內磁屏蔽用鋼板，係在軋製方向及軋製直角方向的非經歷透磁率的比為0．7以下或是1．4以上，最好為0．5以下或是2．0以上，此等非經歷透磁率中較高一方的值為18000以上。而且，根據此種鋼板，在大致四角錐台狀的稜部以各面相互接合的形式，且使鋼板的非經歷透磁率高的方向與畫面短邊側構件的水平面方向一致，或是除此之外，使鋼板的非經歷透磁率高的方向與畫面長邊側構件的水平面方向一致，藉以構成內磁屏蔽。
简体摘要：本发明之内磁屏蔽用钢板，系在轧制方向及轧制直角方向的非经历透磁率的比为0．7以下或是1．4以上，最好为0．5以下或是2．0以上，此等非经历透磁率中较高一方的值为18000以上。而且，根据此种钢板，在大致四角锥台状的棱部以各面相互接合的形式，且使钢板的非经历透磁率高的方向与画面短边侧构件的水平面方向一致，或是除此之外，使钢板的非经历透磁率高的方向与画面长边侧构件的水平面方向一致，借以构成内磁屏蔽。

2. 发明专利

TW200303928A 低熱膨脹合金薄板及其製造方法 LOW THERMAL EXPANSION ALLOY SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：低热膨胀合金薄板及其制造方法 LOW THERMAL EXPANSION ALLOY SHEET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW200303928A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW092103869
申请日：2003-02-25
申请人：日本鋼管股份有限公司 NKK CORPORATION
发明人：小林聰雄 KOBAYASHI AKIO , 藤田耕一郎 FUJITA KOICHIRO , 山內克久 YAMAUCHI KATSUHISA , 有賀珠子 ARIGA TAMAKO , 富田邦和 TOMITA KUNIKAZU , 村田宰一 MURATA SAIICHI
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C22C38/004 , B21B3/02 , C21D9/46 , C22C38/002 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/105 , H01J29/07 , H01J2229/0733
摘要：本發明在於提供一種低熱膨脹合金薄板，其係實質上含有以質量％計之Ni：30～34％、Co：2～6％、Mn：0.6％以下、Al：0.1％以下、C：0.02％以下、Si：0.3％以下、P：0.01％以下、S：0.005％以下、Ni：0.01％以下，其餘部分為由Fe所構成，且，(200)面的聚集度為50％以上，(220)面的聚集度為20％以下者。本發明之低熱膨脹合金薄板，由於蝕刻速度快，蝕刻尺寸精度優異，故為用於布朗管(陰極射線管)的蔭罩(shadowmask)之佳適者。
简体摘要：本发明在于提供一种低热膨胀合金薄板，其系实质上含有以质量％计之Ni：30～34％、Co：2～6％、Mn：0.6％以下、Al：0.1％以下、C：0.02％以下、Si：0.3％以下、P：0.01％以下、S：0.005％以下、Ni：0.01％以下，其余部分为由Fe所构成，且，(200)面的聚集度为50％以上，(220)面的聚集度为20％以下者。本发明之低热膨胀合金薄板，由于蚀刻速度快，蚀刻尺寸精度优异，故为用于布朗管(阴极射线管)的荫罩(shadowmask)之佳适者。

3. 发明专利

TW546454B 熱交換管及使用該熱交換管之熱回收方法有权
简体标题：热交换管及使用该热交换管之热回收方法
公开(公告)号：TW546454B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW089116086
申请日：2000-08-10
申请人：日本鋼管股份有限公司
发明人：能登隆 , 西尾浩明
IPC分类号： F28F , F23G
CPC分类号： F28D21/0003 , F28F19/02 , F28F21/04 , F28F2255/18
摘要：本發明係關於一種使用具有2-60％之氣孔率之金屬及陶瓷之燒結體所成之熱交換管及表層部為由陶瓷與金屬之複合材料所成之熱交換管，尤其是，以耐熱合金管作為基底而用陶瓷與金屬之複合材料形成表層部時，用陶瓷與金屬之複合材料以非接合狀態覆蓋耐熱合金管之外表面，且該耐熱合金管與該複合材料為，在其界面中至少在一部分接觸之構造，或用熱膨脹緩衝材及陶瓷與金屬之複合材料依次以非接合狀態覆蓋，且該耐熱合金管與該熱膨脹緩衝材及／或該熱膨脹緩衝材與該複合材料為在其界面中至少一部分接觸之構造為宜。由於本發明之熱交換管，如在產業廢棄物之燃燒排氣等之高溫腐蝕環境下也可長時間實行穩定的熱回收者。
简体摘要：本发明系关于一种使用具有2-60％之气孔率之金属及陶瓷之烧结体所成之热交换管及表层部为由陶瓷与金属之复合材料所成之热交换管，尤其是，以耐热合金管作为基底而用陶瓷与金属之复合材料形成表层部时，用陶瓷与金属之复合材料以非接合状态覆盖耐热合金管之外表面，且该耐热合金管与该复合材料为，在其界面中至少在一部分接触之构造，或用热膨胀缓冲材及陶瓷与金属之复合材料依次以非接合状态覆盖，且该耐热合金管与该热膨胀缓冲材及／或该热膨胀缓冲材与该复合材料为在其界面中至少一部分接触之构造为宜。由于本发明之热交换管，如在产业废弃物之燃烧排气等之高温腐蚀环境下也可长时间实行稳定的热回收者。

4. 发明专利

TW544704B 陰罩用鋼板及其製造方法,陰罩暨陰極線管失效
简体标题：阴罩用钢板及其制造方法,阴罩暨阴极线管
公开(公告)号：TW544704B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091104001
申请日：2002-03-05
申请人：日本鋼管股份有限公司 , 新力股份有限公司
发明人：松岡秀樹 , 田中靖 , 杉原玲子 , 平谷多津彥 , 高柳賢一郎 , 岡田正道 , 加藤廣明
IPC分类号： H01J
CPC分类号： C22C38/04 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/18 , H01J9/142 , H01J29/07 , H01J2229/0733
摘要：本發明之目的在於提供一種磁蔽性優異的陰罩用鋼板，其係含有以重量%計之C：0.1%未滿、Si：0.2%未滿、Mn：0.4~2%、P：0.1%以下、S：0.03%以下、sol.Al：0.01%以下、N：0.003~0.02%，其餘部分實質上為Fe所構成，其非磁滯導磁率為5000以上者。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种磁蔽性优异的阴罩用钢板，其系含有以重量%计之C：0.1%未满、Si：0.2%未满、Mn：0.4~2%、P：0.1%以下、S：0.03%以下、sol.Al：0.01%以下、N：0.003~0.02%，其余部分实质上为Fe所构成，其非磁滞导磁率为5000以上者。

5. 发明专利

TW522431B 一次元張架平板掩罩式之彩色陰極射線管及彩色陰極射線管用補强帶失效
简体标题：一次元张架平板掩罩式之彩色阴极射线管及彩色阴极射线管用补强带
公开(公告)号：TW522431B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW090114031
申请日：2001-06-11
申请人：日本鋼管股份有限公司 , 松下電器產業股份有限公司
发明人：田中靖 , 松岡秀樹 , 田原健司 , 北島進 , 若園弘美
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J29/87
摘要：彩色陰極射線管為具備有：在內面具有螢光面的玻璃球管；及，被設在前述玻璃球管內的框體狀之掩膜框；及，在前述掩膜框對向的二邊被架張固定的蔭罩；及，被設在前述玻璃球管外周面的補強帶；前述補強帶在0.30e的磁場中，導磁率為430以上640以下。
简体摘要：彩色阴极射线管为具备有：在内面具有萤光面的玻璃球管；及，被设在前述玻璃球管内的框体状之掩膜框；及，在前述掩膜框对向的二边被架张固定的荫罩；及，被设在前述玻璃球管外周面的补强带；前述补强带在0.30e的磁场中，导磁率为430以上640以下。

6. 发明专利

TW494414B 無方向性電磁鋼板及其製造方法有权
简体标题：无方向性电磁钢板及其制造方法
公开(公告)号：TW494414B
公开(公告)日：2002-07-11
申请号：TW090114696
申请日：2001-06-18
申请人：日本鋼管股份有限公司
发明人：尾田善彥 , 寒川孝 , 日裏昭 , 田中靖夫 , 小野義彥 , 占部俊明
IPC分类号： H01F , C22C
摘要：本發明為關於含有質量%，C：0.005%以下、Si：1.5-3%、Mn：0.05-1.5%、p：0.05%以下、S：0.02%以下、Al：0.1-2%、N：0.005%以下、Cr：0.4-1.4%、且殘餘部分實質上為Fe之無方向性電磁鋼板，含有C：0.005%以下，Si4光以下、Mn：0.05-2%、P：0.1%、S：0.02%以下、A1：0.1-2%、N：0.005%以下、Cr：0.4-5%、令Ti/C為1-30的 Ti、且Mn/S≧10、殘餘部分實質上為Fe之無方向性電磁鋼板；或含有C：0.01%以下Si：1-4.0%、Mn：1%以下、P：0.05%以下、S：0.02%以下、A1：0.1-2%、N：0.005的以下、Cr：0.2-5%且含有Cu：0.05-0.5%、Sb：0.002-0.1%、 Sn：0.002-0.1%中之至少一種元素，且殘餘部分實質上為 Fe之無方向性電磁鋼板等。此等無方向性電磁鋼板為打穿加工性和疲勞特性優良，且於1000Hz以下之周波數中之斜拉退火前後鐵損失低，故最適於汽車用馬達和冷氣機用馬達之鐵心材料等。
简体摘要：本发明为关于含有质量%，C：0.005%以下、Si：1.5-3%、Mn：0.05-1.5%、p：0.05%以下、S：0.02%以下、Al：0.1-2%、N：0.005%以下、Cr：0.4-1.4%、且残余部分实质上为Fe之无方向性电磁钢板，含有C：0.005%以下，Si4光以下、Mn：0.05-2%、P：0.1%、S：0.02%以下、A1：0.1-2%、N：0.005%以下、Cr：0.4-5%、令Ti/C为1-30的 Ti、且Mn/S≧10、残余部分实质上为Fe之无方向性电磁钢板；或含有C：0.01%以下Si：1-4.0%、Mn：1%以下、P：0.05%以下、S：0.02%以下、A1：0.1-2%、N：0.005的以下、Cr：0.2-5%且含有Cu：0.05-0.5%、Sb：0.002-0.1%、 Sn：0.002-0.1%中之至少一种元素，且残余部分实质上为 Fe之无方向性电磁钢板等。此等无方向性电磁钢板为打穿加工性和疲劳特性优良，且于1000Hz以下之周波数中之斜拉退火前后铁损失低，故最适于汽车用马达和冷气机用马达之铁心材料等。

7. 发明专利

TW489201B 熱處理設備、多孔性蓄熱體之設置方法、經熱處理的物體之製造方法、多孔性蓄熱體之選定方法、以及使用過之多孔性蓄熱體構件有权
简体标题：热处理设备、多孔性蓄热体之设置方法、经热处理的物体之制造方法、多孔性蓄热体之选定方法、以及使用过之多孔性蓄热体构件
公开(公告)号：TW489201B
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW089117813
申请日：2000-08-31
申请人：日本鋼管股份有限公司 , 日本燃燒爐工業股份有限公司 , 日本子股份有限公司
发明人：鈴川豐 , 森功 , 名越正泰 , 多田健 , 須藤淳 , 笠井義幸 , 梅原一彥
IPC分类号： F28D
摘要：本發明係具備了具有內藏多孔性蓄熱體的直火式燃燒器之蓄熱型燃燒裝置經複數個附設之加熱室，對於加熱室內之物體施以熱處理之熱處理設備，複數個直火式燃燒器或者複數個蓄熱型燃燒裝置之多孔性蓄熱體的實質上平均表層孔徑為不相同。如此，於孔塞原因物質容易附著區域處，配置直火式燃燒器或者將蓄熱型熱交換器所擁有多孔性蓄熱體之形態作改變即不易附著，或者，即使附著也能使孔塞現象不致於顯著化。
简体摘要：本发明系具备了具有内藏多孔性蓄热体的直火式燃烧器之蓄热型燃烧设备经复数个附设之加热室，对于加热室内之物体施以热处理之热处理设备，复数个直火式燃烧器或者复数个蓄热型燃烧设备之多孔性蓄热体的实质上平均表层孔径为不相同。如此，于孔塞原因物质容易附着区域处，配置直火式燃烧器或者将蓄热型热交换器所拥有多孔性蓄热体之形态作改变即不易附着，或者，即使附着也能使孔塞现象不致于显着化。

8. 发明专利

TW473605B 廢棄物處理裝置有权
简体标题：废弃物处理设备
公开(公告)号：TW473605B
公开(公告)日：2002-01-21
申请号：TW088109190
申请日：1999-06-03
申请人：日本鋼管股份有限公司
发明人：鈴木實 , 寺和廣 , 藤澤能成 , 中原啓介
IPC分类号： F23G , F23J
CPC分类号： F23L9/02 , F23G5/16 , F23G2202/104 , F23G2900/00001 , F23G2900/50204 , F23J1/00 , F23L2900/07001 , F23L2900/15042 , Y02E20/322
摘要：廢棄物處理裝置包括廢棄物焚化爐、灰處理爐以及吹氣裝置。廢棄物焚化爐被用以焚燒廢棄物而產生灰、可燃氣體以及廢氣。灰處理爐直接連接於該廢棄物焚化爐，而被用以處理灰。吹氣裝置以可形成迴旋火焰或管狀火陷之方式將氣體吹入灰熔融爐。灰處理爐為灰熔融爐或灰熱處理爐。
简体摘要：废弃物处理设备包括废弃物焚化炉、灰处理炉以及吹气设备。废弃物焚化炉被用以焚烧废弃物而产生灰、可燃气体以及废气。灰处理炉直接连接于该废弃物焚化炉，而被用以处理灰。吹气设备以可形成回旋火焰或管状火陷之方式将气体吹入灰熔融炉。灰处理炉为灰熔融炉或灰热处理炉。

9. 发明专利

TW393562B 直立型冶金爐用之爐體構造構件失效
简体标题：直立型冶金炉用之炉体构造构件
公开(公告)号：TW393562B
公开(公告)日：2000-06-11
申请号：TW087121603
申请日：1998-12-24
申请人：日本鋼管股份有限公司 , 日本鑄造股份有限公司
发明人：炭隆志 , 荒木常夫 , 酒井敦 , 深川謙一
IPC分类号： F27D , C21B , F27B
CPC分类号： F27D1/12 , C21B7/10 , F27D1/141 , F27D1/16 , F27D2009/0045
摘要：本發明係關於一種直立型冶金爐用之爐體構造構件；也就是說，本發明之直立型冶金爐用之爐體構造構件，係由以下所敘述之構件而組成的：
金屬構造構件(l)，而該金屬構造構件(l)，係在內部中，具備有冷媒用流路；以及，
爐內側之耐火材料(2)，而該爐內側之耐火材料(2)，係配置於前述之金屬構造構件(l)之冷卻用運轉作業面上；以及，
金屬製之連結支持用構件(3)，而該金屬製之連結支持用構件(3)，係呈突出地設置於前述之金屬構造構件(l)之冷卻用運轉作業面上，並且，藉由將前述之金屬製之連結支持用構件(3)，插入至該形成於前述之爐內側之耐火材料(2)之背面部位上之安裝用切口溝槽或者安裝用孔洞中，以便於使得前述之爐內側之耐火材料(2)，支持住前述之金屬構造構件(l)；以及，
斷熱用構件(4)，而該斷熱用構件(4)，係介在裝設於前述之金屬製之連結支持用構件(3)和前述之安裝用切口溝槽或者安裝用孔洞之內面之間。
简体摘要：本发明系关于一种直立型冶金炉用之炉体构造构件；也就是说，本发明之直立型冶金炉用之炉体构造构件，系由以下所叙述之构件而组成的：金属构造构件(l)，而该金属构造构件(l)，系在内部中，具备有冷媒用流路；以及，炉内侧之耐火材料(2)，而该炉内侧之耐火材料(2)，系配置于前述之金属构造构件(l)之冷却用运转作业面上；以及，金属制之链接支持用构件(3)，而该金属制之链接支持用构件(3)，系呈突出地设置于前述之金属构造构件(l)之冷却用运转作业面上，并且，借由将前述之金属制之链接支持用构件(3)，插入至该形成于前述之炉内侧之耐火材料(2)之背面部位上之安装用切口沟槽或者安装用孔洞中，以便于使得前述之炉内侧之耐火材料(2)，支持住前述之金属构造构件(l)；以及，断热用构件(4)，而该断热用构件(4)，系介在装设于前述之金属制之链接支持用构件(3)和前述之安装用切口沟槽或者安装用孔洞之内面之间。

10. 发明专利

TW357336B 非依電性記憶體元件、非依電性記憶體晶胞及調整非依電性記憶體晶胞與多個電晶體各別之臨界値的方法失效
简体标题：非依电性内存组件、非依电性内存晶胞及调整非依电性内存晶胞与多个晶体管各别之临界値的方法
公开(公告)号：TW357336B
公开(公告)日：1999-05-01
申请号：TW083104409
申请日：1994-05-16
申请人：日本鋼管股份有限公司
发明人：後藤寬 , 淺川俊文
IPC分类号： G11C , G11B
CPC分类号： G11C16/3477 , G11C11/5621 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/0491 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/24 , G11C16/28 , G11C16/3468 , G11C27/005 , G11C2211/565
摘要：在一由浮接閘類型記憶格組成之非揮發性半導體記憶體元件，在洩極或源極被充電後，它將被置於一電性浮接狀態然後施加一交替改變正負電位之訊號至這些記憶格之控制閘以減少儲存在浮接閘之電荷，藉以使這些記憶格之臨界電壓收斂至一預定值。因此，可在一短時間在記憶元件確實執行一寫入／清除操作。
简体摘要：在一由浮接闸类型记忆格组成之非挥发性半导体内存组件，在泄极或源极被充电后，它将被置于一电性浮接状态然后施加一交替改变正负电位之信号至这些记忆格之控制闸以减少存储在浮接闸之电荷，借以使这些记忆格之临界电压收敛至一预定值。因此，可在一短时间在记忆组件确实运行一写入／清除操作。

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