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1. 发明专利

TW200904511A 半導體排氣處理裝置审中-公开
简体标题：半导体排气处理设备
公开(公告)号：TW200904511A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096126632
申请日：2007-07-20
申请人：康肯環保設備有限公司 KANKEN TECHNO CO., LTD.
发明人：今村啓志 IMAMURA, HIROSHI
IPC分类号： B01D
摘要：【【課題】】本發明提供一種可有效、安全且確實地將含有PFCs的半導體排氣進行分解而予以無害化的半導體排氣處理裝置。【【解決手段】】本發明之半導體排氣處理裝置係具備:濕式入口洗氣器12,透過入口導管22與半導體製造裝置之腔室相連接,利用由噴霧噴嘴12b所噴射的水來洗淨由該腔室所排出的半導體排氣X;反應爐14,利用電熱加熱器34的熱,將經入口洗氣器12予以水洗後的半導體排氣X進行分解處理;濕式出口洗氣器16,將由反應爐14予以熱氧化分解之處理完畢的半導體排氣X進行水洗/冷卻;以及排氣風扇18,安裝在出口洗氣器16之氣體流通方向下游端部,且將半導體排氣X進行抽吸/排氣。
简体摘要：【【课题】】本发明提供一种可有效、安全且确实地将含有PFCs的半导体排气进行分解而予以无害化的半导体排气处理设备。【【解决手段】】本发明之半导体排气处理设备系具备:湿式入口洗气器12,透过入口导管22与半导体制造设备之腔室相连接,利用由喷雾喷嘴12b所喷射的水来洗净由该腔室所排出的半导体排气X;反应炉14,利用电热加热器34的热,将经入口洗气器12予以水洗后的半导体排气X进行分解处理;湿式出口洗气器16,将由反应炉14予以热氧化分解之处理完毕的半导体排气X进行水洗/冷却;以及排气风扇18,安装在出口洗气器16之气体流通方向下游端部,且将半导体排气X进行抽吸/排气。

2. 发明专利

TW200905723A 半導體排氣處理裝置审中-公开
简体标题：半导体排气处理设备
公开(公告)号：TW200905723A
公开(公告)日：2009-02-01
申请号：TW096126634
申请日：2007-07-20
申请人：康肯環保設備有限公司 KANKEN TECHNO CO., LTD.
发明人：今村啓志 IMAMURA, HIROSHI
IPC分类号： H01L
摘要：【【課題】】本發明提供一種可有效且確實地將半導體排氣進行分解而予以無害化之維修性佳的半導體排氣處理裝置。【【解決手段】】本發明之半導體排氣處理裝置的特徵係具備反應爐14,其構成為包含:筒狀反應爐本體30,在由耐火材料所包圍的內部設置將半導體排氣X予以熱分解的排氣處理室38,並且在底部彼此接近的位置開設氣體導入口40與氣體排出口42;電熱加熱器32,用以將排氣處理室38加熱;以及氣體導入管34,將其上端配設在排氣處理室38的上部,並且以使其下端朝反應爐本體30的外部突出的方式插入氣體導入口40,而將半導體排氣X導入排氣處理室38之上部。
简体摘要：【【课题】】本发明提供一种可有效且确实地将半导体排气进行分解而予以无害化之维修性佳的半导体排气处理设备。【【解决手段】】本发明之半导体排气处理设备的特征系具备反应炉14,其构成为包含:筒状反应炉本体30,在由耐火材料所包围的内部设置将半导体排气X予以热分解的排气处理室38,并且在底部彼此接近的位置开设气体导入口40与气体排出口42;电热加热器32,用以将排气处理室38加热;以及气体导入管34,将其上端配设在排气处理室38的上部,并且以使其下端朝反应炉本体30的外部突出的方式插入气体导入口40,而将半导体排气X导入排气处理室38之上部。

3. 发明专利

TW200734032A 六氯化二矽氣體之除害方法及其裝置审中-公开
简体标题：六氯化二硅气体之除害方法及其设备
公开(公告)号：TW200734032A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW096105117
申请日：2007-02-12
申请人：康肯環保設備有限公司 KANKEN TECHNO CO., LTD. , 東亞合成股份有限公司 TOAGOSEI CO., LTD.
发明人：今村啓志 , 竹內裕昭 , 石川幸二 ISHIKAWA, KOJI , 鈴木浩 SUZUKI, HIROSHI , 守谷聰 , 原田勝可 HARADA, KATSUYOSHI
IPC分类号： B01D , C23C , H01L
CPC分类号： B01D53/68 , B01D2257/204 , C23C16/4412 , F23G7/063 , F23L7/002
摘要：【課題】開發一種:不會產生爆炸性矽草酸、或有毒、腐蝕性的氯氣之HCD的加熱分解方法。【解決手段】將含有六氯化二矽的排放氣體(L),使其不含水分,而導入反應處理區域(K)內、同時將含有水分的含氧氣體(G)供給於該反應處理區域(K),在反應處理區域(K)內至少氧化分解排放氣體(L)中的六氯化二矽作為其特徵;於被保持在排放氣體(L)中的HCD分解溫度之反應處理區域(K)供給含有若干之水分的有氧氣體(G)與含有HCD的排放氣體(L),而能不產生矽草酸和氯地,分解為鹽酸與二氧化矽及水,而安全地進行含有HCD的排放氣體處理之物。
简体摘要：【课题】开发一种:不会产生爆炸性硅草酸、或有毒、腐蚀性的氯气之HCD的加热分解方法。【解决手段】将含有六氯化二硅的排放气体(L),使其不含水分,而导入反应处理区域(K)内、同时将含有水分的含氧气体(G)供给于该反应处理区域(K),在反应处理区域(K)内至少氧化分解排放气体(L)中的六氯化二硅作为其特征;于被保持在排放气体(L)中的HCD分解温度之反应处理区域(K)供给含有若干之水分的有氧气体(G)与含有HCD的排放气体(L),而能不产生硅草酸和氯地,分解为盐酸与二氧化硅及水,而安全地进行含有HCD的排放气体处理之物。

4. 发明专利

TW200900135A 氣體處理裝置审中-公开
简体标题：气体处理设备
公开(公告)号：TW200900135A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW096147472
申请日：2007-12-12
申请人：康肯環保設備有限公司 KANKEN TECHNO CO., LTD.
发明人：加藤利明 KATO, TOSHIAKI , 今村啓志 IMAMURA, HIROSHI
IPC分类号： B01D
CPC分类号： B01D53/14 , B01D53/32 , B01D2257/20 , B01D2258/0216 , B01D2259/818
摘要：提供:管理容易、維護的頻度低,而且可處理從半導體製造程序等的工業程序排出之各式各樣的種類的處理對象氣體之泛用性高的氣體處理裝置。在具有:圍繞著大氣壓電漿P以及朝向大氣壓電漿P而供給的處理對象氣體F,而在該內部進行處理對象氣體F的熱分解的反應器12之氣體處理裝置10中,在反應器12,係設置用以將其內面以水W覆蓋的水供給手段16,而且在電漿產生裝置14的內部使大氣壓電漿P產生之後,將此大氣壓電漿P經由反應器12的電漿導入孔26而與處理對象氣體F獨立地導入反應器12內。藉由此種構成,於反應器12的內面略全體形成所謂的「浸濕壁」。因此,在可防止:處理對象氣體F中的固形成分接觸於反應器12的內面而附著、堆積的同時,可延遲該內面的劣化。另外,可防止:使大氣壓電漿P產生的電極等與處理對象氣體接觸而腐蝕。
简体摘要：提供:管理容易、维护的频度低,而且可处理从半导体制造进程等的工业进程排出之各式各样的种类的处理对象气体之泛用性高的气体处理设备。在具有:围绕着大气压等离子P以及朝向大气压等离子P而供给的处理对象气体F,而在该内部进行处理对象气体F的热分解的反应器12之气体处理设备10中,在反应器12,系设置用以将其内面以水W覆盖的水供给手段16,而且在等离子产生设备14的内部使大气压等离子P产生之后,将此大气压等离子P经由反应器12的等离子导入孔26而与处理对象气体F独立地导入反应器12内。借由此种构成,于反应器12的内面略全体形成所谓的“浸湿壁”。因此,在可防止:处理对象气体F中的固形成分接触于反应器12的内面而附着、堆积的同时,可延迟该内面的劣化。另外,可防止:使大气压等离子P产生的电极等与处理对象气体接触而腐蚀。

5. 发明专利

TW200831178A 半導體製造廢氣之除害裝置审中-公开
简体标题：半导体制造废气之除害设备
公开(公告)号：TW200831178A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096145411
申请日：2007-11-29
申请人：康肯環保設備有限公司 KANKEN TECHNO CO., LTD.
发明人：加藤利明 KATO, TOSHIAKI , 別府達郎 BEPPU, TATSURO , 今村啓志 IMAMURA, HIROSHI
IPC分类号： B01D , B01J , H05H
CPC分类号： B01D53/68 , B01D53/32 , B01D2258/0216 , B01D2259/818 , Y02C20/30
摘要：本發明係提供一種半導體製造廢氣之除害裝置,能確實並高效率除去包含PFCs等大流量之半導體製造廢氣的有害物,並可長時間連續運轉且省空間性亦優異。本發明之特徵為具備:複數個除害單元(12),其係由電漿噴流炬(18)、與設於電漿噴流炬(18)之電漿噴流噴出側,以圍繞電漿噴流(P)及朝向此電漿噴流(P)供應之廢氣(F),並在其內部進行廢氣(F)之熱分解的反應筒(24)所構成,並透過設有用來開閉流路之入口閥(40)的個別入口配管(38)以連接於半導體製造裝置(16);以及個別出口配管(37),其係設有用來開閉流路之出口閥(35)以連通於各反應筒(24)之排出側端部。
简体摘要：本发明系提供一种半导体制造废气之除害设备,能确实并高效率除去包含PFCs等大流量之半导体制造废气的有害物,并可长时间连续运转且省空间性亦优异。本发明之特征为具备:复数个除害单元(12),其系由等离子喷流炬(18)、与设于等离子喷流炬(18)之等离子喷流喷出侧,以围绕等离子喷流(P)及朝向此等离子喷流(P)供应之废气(F),并在其内部进行废气(F)之热分解的反应筒(24)所构成,并透过设有用来开闭流路之入口阀(40)的个别入口配管(38)以连接于半导体制造设备(16);以及个别出口配管(37),其系设有用来开闭流路之出口阀(35)以连通于各反应筒(24)之排出侧端部。

6. 发明专利

TW200848150A 氣體處理裝置、使用該裝置之氣體處理系統以及氣體處理方法审中-公开
简体标题：气体处理设备、使用该设备之气体处理系统以及气体处理方法
公开(公告)号：TW200848150A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097104367
申请日：2008-02-04
申请人：康肯環保設備有限公司 KANKEN TECHNO CO., LTD.
发明人：今村啓志 IMAMURA, HIROSHI , 別府達郎 BEPPU, TATSURO
IPC分类号： B01D
CPC分类号： F23G7/061 , B01D53/14 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2257/204 , B01D2257/404 , B01D2257/708
摘要：本發明之課題在於提供出,除能將各種不同種類的處理對象氣體確實熱分解以外,且處理效率極高又安全性非常優異之氣體處理裝置以及氣體處理系統。本發明之氣體處理裝置以及氣體處理系統,其特徵在於,係具備:在內部形成有氣體處理空間S之本體16a的壁面之互相接近的位置穿設氣體導入口16b和氣體排出口16c之反應器16;一端以圍繞氣體導入口16b的方式安裝於本體16a的內部壁面,另一端配置於接近本體16a之與氣體導入口16b相對向的壁面的位置,藉此配設成橫穿氣體處理空間S之電熱式的筒狀加熱器18;以及用來對筒狀加熱器18的內部空間供應由燃料及空氣所混合成的燃料氣體F之燃料氣體供應裝置20。
简体摘要：本发明之课题在于提供出,除能将各种不同种类的处理对象气体确实热分解以外,且处理效率极高又安全性非常优异之气体处理设备以及气体处理系统。本发明之气体处理设备以及气体处理系统,其特征在于,系具备:在内部形成有气体处理空间S之本体16a的壁面之互相接近的位置穿设气体导入口16b和气体排出口16c之反应器16;一端以围绕气体导入口16b的方式安装于本体16a的内部壁面,另一端配置于接近本体16a之与气体导入口16b相对向的壁面的位置,借此配设成横穿气体处理空间S之电热式的筒状加热器18;以及用来对筒状加热器18的内部空间供应由燃料及空气所混合成的燃料气体F之燃料气体供应设备20。

7. 发明专利

TW200829325A 氣體處理裝置及氣體處理方法审中-公开
简体标题：气体处理设备及气体处理方法
公开(公告)号：TW200829325A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：TW096112509
申请日：2007-04-10
申请人：康肯環保設備有限公司 KANKEN TECHNO CO., LTD.
发明人：加藤利明 , 後藤清一 , 今村啓志 IMAMURA, HIROSHI
IPC分类号： B01D , B01J
摘要：本發明的課題是在於提供,採用以氮氣作為作動氣體來使用之大氣壓電漿,不會產生副產物之氮氧化物,而可將處理對象氣體熱分解之氣體處理裝置。用以解決課題之手段為,藉由下述結構,可做成用以解決前述課題之氣體處理裝置10,其該裝置是具有圍繞大氣壓電漿P及對大氣壓電漿P所供給的處理對象氣體F並在其內部進行處理對象氣體F的熱分解之反應器22,對以氮氣作為作動氣體G來使用的電漿分解機12,設置:在氧氣及水分未混入至包含由電漿分解機12所排出的熱分解後之處理對象氣體F與作動氣體G的排氣體R之狀態,將排氣體R冷卻至至少不會產生氮氧化物的溫度為止之溫度冷卻部14。
简体摘要：本发明的课题是在于提供,采用以氮气作为作动气体来使用之大气压等离子,不会产生副产物之氮氧化物,而可将处理对象气体热分解之气体处理设备。用以解决课题之手段为,借由下述结构,可做成用以解决前述课题之气体处理设备10,其该设备是具有围绕大气压等离子P及对大气压等离子P所供给的处理对象气体F并在其内部进行处理对象气体F的热分解之反应器22,对以氮气作为作动气体G来使用的等离子分解机12,设置:在氧气及水分未混入至包含由等离子分解机12所排出的热分解后之处理对象气体F与作动气体G的排气体R之状态,将排气体R冷却至至少不会产生氮氧化物的温度为止之温度冷却部14。

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