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1. 发明专利

TW200936812A 蝕刻劑及蝕刻方法 ETCHING AGENT AND ETCHING METHOD 审中-公开
简体标题：蚀刻剂及蚀刻方法 ETCHING AGENT AND ETCHING METHOD
公开(公告)号：TW200936812A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097149639
申请日：2008-12-19
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：松田修 MATSUDA, OSAMU , 菊池信之 KIKUCHI, NOBUYUKI , 林田一良 HAYASHIDA, ICHIRO , 白旗里志 SHIRAHATA, SATOSHI
IPC分类号： C23F , H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134
摘要：本發明之目的在於提供一種能夠對半導體基板上的鈦(Ti)系金屬膜或是鎢(W)系金屬膜進行蝕刻之半導體基板用蝕刻劑,以及使用該蝕刻劑之蝕刻方法,本發明為一種半導體基板用蝕刻劑,係由包含(A)過氧化氫、(B)具有羥基之膦酸系螯合劑及(C)鹼性化合物,以及(D-1)銅防蝕劑或/及(D-2)具有羥基之膦酸系螯合劑以外之不具有氧化力之2種以上的陰離子物種0.01重量%至3重量%之溶液所形成;此外,本發明為一種蝕刻方法,係使用該半導體基板用蝕刻劑對半導體基板上的Ti系金屬膜或是W系金屬膜進行蝕刻;再者,本發明係關於一種半導體基板用蝕刻劑調製液,係由包含(B)具有羥基之膦酸系螯合劑及(C)鹼性化合物,以及(D-1)銅防蝕劑或/及(D-2)具有羥基之膦酸系螯合劑以外之不具有氧化力之2種以上的陰離子物種之溶液所形成。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种能够对半导体基板上的钛(Ti)系金属膜或是钨(W)系金属膜进行蚀刻之半导体基板用蚀刻剂,以及使用该蚀刻剂之蚀刻方法,本发明为一种半导体基板用蚀刻剂,系由包含(A)过氧化氢、(B)具有羟基之膦酸系螯合剂及(C)碱性化合物,以及(D-1)铜防蚀剂或/及(D-2)具有羟基之膦酸系螯合剂以外之不具有氧化力之2种以上的阴离子物种0.01重量%至3重量%之溶液所形成;此外,本发明为一种蚀刻方法,系使用该半导体基板用蚀刻剂对半导体基板上的Ti系金属膜或是W系金属膜进行蚀刻;再者,本发明系关于一种半导体基板用蚀刻剂调制液,系由包含(B)具有羟基之膦酸系螯合剂及(C)碱性化合物,以及(D-1)铜防蚀剂或/及(D-2)具有羟基之膦酸系螯合剂以外之不具有氧化力之2种以上的阴离子物种之溶液所形成。

2. 发明专利

TW200801068A 聚合性不飽和化合物及其製造方法 POLYMERIZABLE UNSATURATED COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题：聚合性不饱和化合物及其制造方法 POLYMERIZABLE UNSATURATED COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200801068A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096110466
申请日：2007-03-27
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：保幸宏 HOSAKA, YOSHIHIRO , 村信孝 SHIMAMURA, NOBUTAKA , 井上健一 INOUE, KENICHI
IPC分类号： C08G , G03F
CPC分类号： C08G63/193 , C08G63/547 , C08G63/912 , C08K5/29 , C08L67/04 , C08L79/00 , C08L2666/20
摘要：本發明之目的係提供一種耐熱性高且藉由光或熱可良好硬化之新穎聚合性不飽和化合物及可容易調整該等化合物之分子量、酸値等之新穎製造方法,本發明係由含有通式(1)表式之構成單位而成的化合物及其製造方法之發明:096110466P01.bmp【【式中,R^1、R^2、R^1'及R^2'各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、烷基或烷氧基,R^3及R^4各自獨立地表示氫原子或通式(2)表示之基096110466P02.bmp{式中,R^6表示氫原子、碳原子數1至6之烷基、通式(3)096110466P03.bmp(式中,R^7表示乙烯基羰基或異丙烯基羰基,T3表示碳原子數1至6之直鏈狀伸烷基)或通式(4)表示之基096110466P04.bmp(式中,R^7表示乙烯基羰基或異丙烯基羰基,T4表示碳原子數1至6之直鏈狀伸烷基)},T1及T2各自獨立地表示碳原子數1至6之直鏈狀伸
烷基或伸芳基,U表示結合鍵或式(1-1)至(1-8)中任一個表示之2價基096110466P05.bmp(式中,R^5及R^5'各自獨立地表示氫原子或鹵素原子),V1及V2各自獨立地表示氧原子或-NH-基,Y1表示氧原子、-NH-基或通式(5)表示之基096110466P06.bmp(式中,R^8表示氫原子或R^7),Y表示氧原子、-NH-基或通式(6)表示之基,096110466P07.bmp(式中,R^9表示氫原子或R),Z表示4價烴基,a及b各自獨立地表示0或1,k表示自然數。惟,式中,R^6、R^8、R^9中至少有一個為具有雙鍵之基】】。
简体摘要：本发明之目的系提供一种耐热性高且借由光或热可良好硬化之新颖聚合性不饱和化合物及可容易调整该等化合物之分子量、酸値等之新颖制造方法,本发明系由含有通式(1)表式之构成单位而成的化合物及其制造方法之发明:096110466P01.bmp【【式中,R^1、R^2、R^1'及R^2'各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基或烷氧基,R^3及R^4各自独立地表示氢原子或通式(2)表示之基096110466P02.bmp{式中,R^6表示氢原子、碳原子数1至6之烷基、通式(3)096110466P03.bmp(式中,R^7表示乙烯基羰基或异丙烯基羰基,T3表示碳原子数1至6之直链状伸烷基)或通式(4)表示之基096110466P04.bmp(式中,R^7表示乙烯基羰基或异丙烯基羰基,T4表示碳原子数1至6之直链状伸烷基)},T1及T2各自独立地表示碳原子数1至6之直链状伸烷基或伸芳基,U表示结合键或式(1-1)至(1-8)中任一个表示之2价基096110466P05.bmp(式中,R^5及R^5'各自独立地表示氢原子或卤素原子),V1及V2各自独立地表示氧原子或-NH-基,Y1表示氧原子、-NH-基或通式(5)表示之基096110466P06.bmp(式中,R^8表示氢原子或R^7),Y表示氧原子、-NH-基或通式(6)表示之基,096110466P07.bmp(式中,R^9表示氢原子或R),Z表示4价烃基,a及b各自独立地表示0或1,k表示自然数。惟,式中,R^6、R^8、R^9中至少有一个为具有双键之基】】。

3. 发明专利

TW200602384A 重氫化聚醯亞胺化合物及其衍生物 HEAVY HYDROGENATED POLYIMIDE COMPOUND AND ITS DERIVATIVES 审中-公开
简体标题：重氢化聚酰亚胺化合物及其衍生物 HEAVY HYDROGENATED POLYIMIDE COMPOUND AND ITS DERIVATIVES
公开(公告)号：TW200602384A
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：TW094116426
申请日：2005-05-20
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：無藤和重 MUTO, KAZUSHIGE , 前澤典明 MAESAWA, TSUNEAKI , 伊藤伸浩 ITO, NOBUHIRO , 綿引勉 WATAHIKI, TSUTOMU , 廣田耕作 HIROTA, KOSAKU , 佐治木弘尚 SAJIKI, HIRONAO
IPC分类号： C08G , C07B
CPC分类号： C07D487/04 , C07D209/48 , C08G73/10 , C08G73/1007 , G02B6/1221
摘要：本發明之目的在提供一種聚醯亞胺化合物，其透明性、低吸濕性及耐熱性佳、光傳送損失少、折射率高、且對基體．基板等之密接性優良，因此可作為光波導(optical wave guide)用聚合物之原料；本發明亦為式〔2〕所示重氫化聚醯胺酸化合物094116426-p01.bmp(式中R^1表示可具有重氫原子之4價脂環族烴基或芳族烴基，R^2表示具有重氫原子之2價芳族烴基，m表示1或1以上之整數)之製造方法，其特徵為由下述式〔3〕所示之可重氫化之酸酐094116426-p02.bmp(式中R^1表示可具有重氫原子之4價脂環族烴基或芳族烴基)，與式〔4〕所示之重氫化二胺化合物094116426-p03.bmp(式中R^2表示具有重氫原子之2價芳族烴基)反應製成；及式〔1〕所示重氫化聚醯亞胺化合物094116426-p04.bmp(式中n表示1或1以上之整數，R^1與R^2與前述相同)之製造方法，其特徵為使如上所製成之重氫化聚醯胺酸化合物進行閉環反應而製成；及式〔1〕所示之重氫化聚醯亞胺化合物之製造方法，其特徵為由上述式〔3〕之酸酐與上述式〔4〕所示之重氫化二胺化合物反應後再經閉環反應製成；及以上述製造方法製成之重氫化聚醯亞胺化合物作為製成光波導原料用聚合物之用途；及含該重氫化聚醯亞胺製成之光波導用膜；以及重氫化聚醯亞胺化合物及重氫化聚醯胺酸化合物。094116426-p01.bmp
简体摘要：本发明之目的在提供一种聚酰亚胺化合物，其透明性、低吸湿性及耐热性佳、光发送损失少、折射率高、且对基体．基板等之密接性优良，因此可作为光波导(optical wave guide)用聚合物之原料；本发明亦为式〔2〕所示重氢化聚酰胺酸化合物094116426-p01.bmp(式中R^1表示可具有重氢原子之4价脂环族烃基或芳族烃基，R^2表示具有重氢原子之2价芳族烃基，m表示1或1以上之整数)之制造方法，其特征为由下述式〔3〕所示之可重氢化之酸酐094116426-p02.bmp(式中R^1表示可具有重氢原子之4价脂环族烃基或芳族烃基)，与式〔4〕所示之重氢化二胺化合物094116426-p03.bmp(式中R^2表示具有重氢原子之2价芳族烃基)反应制成；及式〔1〕所示重氢化聚酰亚胺化合物094116426-p04.bmp(式中n表示1或1以上之整数，R^1与R^2与前述相同)之制造方法，其特征为使如上所制成之重氢化聚酰胺酸化合物进行闭环反应而制成；及式〔1〕所示之重氢化聚酰亚胺化合物之制造方法，其特征为由上述式〔3〕之酸酐与上述式〔4〕所示之重氢化二胺化合物反应后再经闭环反应制成；及以上述制造方法制成之重氢化聚酰亚胺化合物作为制成光波导原料用聚合物之用途；及含该重氢化聚酰亚胺制成之光波导用膜；以及重氢化聚酰亚胺化合物及重氢化聚酰胺酸化合物。094116426-p01.bmp

4. 发明专利

TWI246525B 混合型鹽 HYBRID ONIUM SALT 失效
简体标题：混合型盐 HYBRID ONIUM SALT
公开(公告)号：TWI246525B
公开(公告)日：2006-01-01
申请号：TW091132235
申请日：2002-10-31
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：石原正巳 MASAMI ISHIHARA , 前澤典明 TSUNEAKI MAESAWA , 浦野洋治 URANO, YOJI
IPC分类号： C08G , C07C , C08F
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C381/12 , C08F2/50 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392
摘要：本發明提供一種混合型鹽及含該鹽之聚合引發劑或產酸劑，本發明之混合型鹽可作為例如光誘導陽離子性聚合引發劑、化學增幅型光阻用產酸劑等之用途，此混合型鹽為在一分子內含有碘鹽及鹽而如式[1]所示者：〔式中之R1至R3表互為獨立之鹵素原子、烷基、鹵化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基或可取代之胺基，Q1表連接鍵、氧原子、硫原子或低級伸烷基鏈，T1表可具有選自鹵素原子、烷基、鹵化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基及可取代之胺基之取代基之伸烷基或伸芳基，R4表可具有選自鹵素原子、烷基、鹵化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基及可取代之胺基之取代基之烷基、烯基、芳基、芳烷基，或式[2](式中之R5至R7表互為獨立之鹵素原子、烷基、鹵化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基或可取代之胺基，Q2表連接鍵、氧原子、硫原子或低級伸烷基鏈，T2表可具有選自鹵素原子、烷基、鹵化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基及可取代之胺基之取代基之伸烷基或伸芳基，A3表抗衡陰離子，m表0至4整數，2個n表各為獨立之0至5整數。)所示之基，A1及A2表各為獨立之抗衡陰離子，m與n與前述相同。〕。
简体摘要：本发明提供一种混合型盐及含该盐之聚合引发剂或产酸剂，本发明之混合型盐可作为例如光诱导阳离子性聚合引发剂、化学增幅型光阻用产酸剂等之用途，此混合型盐为在一分子内含有碘盐及盐而如式[1]所示者：〔式中之R1至R3表互为独立之卤素原子、烷基、卤化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基或可取代之胺基，Q1表连接键、氧原子、硫原子或低级伸烷基链，T1表可具有选自卤素原子、烷基、卤化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基及可取代之胺基之取代基之伸烷基或伸芳基，R4表可具有选自卤素原子、烷基、卤化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基及可取代之胺基之取代基之烷基、烯基、芳基、芳烷基，或式[2](式中之R5至R7表互为独立之卤素原子、烷基、卤化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基或可取代之胺基，Q2表连接键、氧原子、硫原子或低级伸烷基链，T2表可具有选自卤素原子、烷基、卤化烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷硫基、芳硫基及可取代之胺基之取代基之伸烷基或伸芳基，A3表抗衡阴离子，m表0至4整数，2个n表各为独立之0至5整数。)所示之基，A1及A2表各为独立之抗衡阴离子，m与n与前述相同。〕。

5. 发明专利

TW200404054A 芳環之重氫化方法 METHOD FOR DEUTERATION OF AROMATIC RING 审中-公开
简体标题：芳环之重氢化方法 METHOD FOR DEUTERATION OF AROMATIC RING
公开(公告)号：TW200404054A
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：TW092118153
申请日：2003-07-03
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：伊藤伸浩 NOBUHIRO ITO , 前澤典明 TSUNEAKI MAESAWA , 無藤和重 KAZUSHIGE MUTO , 廣田耕作 KOSAKU HIROTA , 佐治木弘尚 HIRONAO SAJIKI
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C5/00 , C07B59/00 , C07B59/001 , C07B2200/05 , C07C37/00 , C07C51/00 , C07C51/347 , C07C209/68 , C07C315/04 , C07C63/08 , C07C63/06 , C07C317/14 , C07C211/46 , C07C211/51 , C07C39/04 , C07C39/28
摘要：本發明係有關使用經活化之觸媒將具有芳環之化合物重氫化之方法，其特徵為使具有芳環之化合物在與選自經活化之鉑觸媒、銠觸媒、釕觸媒、鎳觸媒及鈷觸媒之觸媒共存下與重氫源反應之具有芳環之化合物之重氫化方法。
简体摘要：本发明系有关使用经活化之触媒将具有芳环之化合物重氢化之方法，其特征为使具有芳环之化合物在与选自经活化之铂触媒、铑触媒、钌触媒、镍触媒及钴触媒之触媒共存下与重氢源反应之具有芳环之化合物之重氢化方法。

6. 发明专利

TWI312907B 雙醯亞胺化合物,使用該醯亞胺化合物之酸產生劑,抗蝕組成物,以及使用該組成物之圖案形成方法 BISIMIDE COMPOUND, ACID GENERATOR AND RESIST COMPOSITION USING SAME, AND PATTERN FORMATION METHOD USING SAME COMPOSITION 有权
简体标题：双酰亚胺化合物,使用该酰亚胺化合物之酸产生剂,抗蚀组成物,以及使用该组成物之图案形成方法 BISIMIDE COMPOUND, ACID GENERATOR AND RESIST COMPOSITION USING SAME, AND PATTERN FORMATION METHOD USING SAME COMPOSITION
公开(公告)号：TWI312907B
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW091134726
申请日：2002-11-29
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. , 松下電器產業股份有限公司 PANASONIC CORPORATION
发明人：前澤典明 TSUNEAKI MAESAWA , 浦野文良 FUMIYOSHI URANO , 遠藤政孝 MASAYUKI ENDO , 子勝 MASARU SASAGO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07D209/48 , C07D487/04 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , Y10S430/121
摘要：本發明為關於一種可作為製造半導體元件等時所使用之化學放大型抗蝕組成物中之酸產生劑或作為合成耐熱性高分子之原料之新穎雙醯亞胺化合物,及使用該雙醯亞胺化合物之酸產生劑及抗蝕組成物,以及使用該組成物之圖案形成方法,同時亦關於作為合成該雙醯亞胺化合物之中間體,如耐熱性高分子、感光材料等機能性化合物之中間體等之雙(N-羥基)鄰苯二甲醯亞胺化合物。因此,本發明提供一種如式[1]所示之雙醯亞胺化合物、使用該化合物所製造之酸產生劑及抗蝕組成物,以及使用該組成物之圖案形成方法。

[式中,2個R各表獨立之氫原子或如式[2]所示之基
-SO2R1 [2]
(式中,R1表碳原子數1至12之烷基,碳原子數1至12之鹵化烷基,可具有選自鹵素原子、烷基、鹵化低級烷基、烷氧基、鹵化低級烷氧基、低級烯基、硝基、N,N-二甲基胺基及乙醯胺基之取代基之芳基、芳烷基或芳族雜環基,樟腦基或二疊氮基);A1表碳原子數4至10之四價脂環烴基、碳原子數7至8之四價有橋脂環烴基、碳原子數6至14之四價芳族烴基,或式[3]所示之基

(式中,A2表連接鍵、-O-或-C(CF3)2-);限制條件為:R為氫原子時,A1表式[3]所示之基;式[2]中R1所示之烷基在A1表碳原子數7至8之四價有橋脂環烴基時,碳原子數為6至12,A1表碳原子數6至14之四價芳族烴基時,碳原子數為3至12;同時A1為式[3]所示之基時,R1所示之鹵化烷基之碳原子數為3至12,更且,式[3]中A2表-O-時,R1所示可具有取代基之芳基中被列舉作為取代基之烷基係碳原子數為2至12者]。
简体摘要：本发明为关于一种可作为制造半导体组件等时所使用之化学放大型抗蚀组成物中之酸产生剂或作为合成耐热性高分子之原料之新颖双酰亚胺化合物,及使用该双酰亚胺化合物之酸产生剂及抗蚀组成物,以及使用该组成物之图案形成方法,同时亦关于作为合成该双酰亚胺化合物之中间体,如耐热性高分子、感光材料等机能性化合物之中间体等之双(N-羟基)邻苯二甲酰亚胺化合物。因此,本发明提供一种如式[1]所示之双酰亚胺化合物、使用该化合物所制造之酸产生剂及抗蚀组成物,以及使用该组成物之图案形成方法。 [式中,2个R各表独立之氢原子或如式[2]所示之基 -SO2R1 [2] (式中,R1表碳原子数1至12之烷基,碳原子数1至12之卤化烷基,可具有选自卤素原子、烷基、卤化低级烷基、烷氧基、卤化低级烷氧基、低级烯基、硝基、N,N-二甲基胺基及乙酰胺基之取代基之芳基、芳烷基或芳族杂环基,樟脑基或二叠氮基);A1表碳原子数4至10之四价脂环烃基、碳原子数7至8之四价有桥脂环烃基、碳原子数6至14之四价芳族烃基,或式[3]所示之基 (式中,A2表连接键、-O-或-C(CF3)2-);限制条件为:R为氢原子时,A1表式[3]所示之基;式[2]中R1所示之烷基在A1表碳原子数7至8之四价有桥脂环烃基时,碳原子数为6至12,A1表碳原子数6至14之四价芳族烃基时,碳原子数为3至12;同时A1为式[3]所示之基时,R1所示之卤化烷基之碳原子数为3至12,更且,式[3]中A2表-O-时,R1所示可具有取代基之芳基中被枚举作为取代基之烷基系碳原子数为2至12者]。

7. 发明专利

TW200745313A 基板蝕刻液 SUBSTRATE ETCHING LIQUID 审中-公开
简体标题：基板蚀刻液 SUBSTRATE ETCHING LIQUID
公开(公告)号：TW200745313A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096114375
申请日：2007-04-24
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：加藤岳久 KATO, TAKEHISA , 柿澤政彥 KAKIZAWA, MASAHIKO , 林田一良 HAYASHIDA, ICHIRO
IPC分类号： C09K , C23F , H01L
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/02019
摘要：提供一種能抑制基板,特別是半導體基板的金屬雜質污染之基板蝕刻液及蝕刻方法。特徵為含有下述通式(1)所示的二羧酸或其鹽與20%(重量/重量)以上之鹼金屬氫氧化物構成的蝕刻液,以及用該蝕刻液蝕刻基板之基板蝕刻方法。
096114375-p01.bmp
(式中,T^1和T^2分別獨立表示氫原子、羥基、羧基、碳數1至3的烷基或是用T^1與T^2形成結合鍵者,R^1至R^4分別獨立表示氫原子、羥基、羧基或碳數1至3的烷基。但是,在T^1與T^2沒有形成結合鍵的情況下,T^1、T^2及R^1至R^4的任何2個為羧基,其餘的任何1個為羥基,這些以外分別獨立為氫原子或碳數1至3的烷基,而在T^1與T^2形成結合鍵的情況下,R^1至R^4的任何2個為羧基,其餘的分別獨立為氫原子或碳數1至3的烷基。)
096114375-p02.bmp
简体摘要：提供一种能抑制基板,特别是半导体基板的金属杂质污染之基板蚀刻液及蚀刻方法。特征为含有下述通式(1)所示的二羧酸或其盐与20%(重量/重量)以上之碱金属氢氧化物构成的蚀刻液,以及用该蚀刻液蚀刻基板之基板蚀刻方法。 096114375-p01.bmp (式中,T^1和T^2分别独立表示氢原子、羟基、羧基、碳数1至3的烷基或是用T^1与T^2形成结合键者,R^1至R^4分别独立表示氢原子、羟基、羧基或碳数1至3的烷基。但是,在T^1与T^2没有形成结合键的情况下,T^1、T^2及R^1至R^4的任何2个为羧基,其余的任何1个为羟基,这些以外分别独立为氢原子或碳数1至3的烷基,而在T^1与T^2形成结合键的情况下,R^1至R^4的任何2个为羧基,其余的分别独立为氢原子或碳数1至3的烷基。) 096114375-p02.bmp

8. 发明专利

TWI246123B 半導體基板清洗劑 CLEANING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 有权
简体标题：半导体基板清洗剂 CLEANING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI246123B
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：TW090106507
申请日：2001-03-20
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：柿澤政彥 KAKIZAWA, MASAHIKO , 木村真弓 MAYUMI KIMURA , 水田浩德 HIRONORI MIZUTA , 林田一良 ICHIRO HAYASHIDA
IPC分类号： H01L , C11D
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/3272 , C11D7/34 , C11D11/0047 , C23G1/20 , H01L21/76877
摘要：本發明揭示含有在分子中具有保持非共用電子對之氮原子的化合物而成之於表面施以銅配線後之半導體表面用清洗劑，以及利用該清洗劑將於表面施以Cu配線後之半導體表面作處理為其特徵之半導體表面的清洗方法。
本發明有關之清洗劑係對於表面施以Cu配線後之半導體之Cu配線(Cu薄膜)、層間絕緣膜之SiO2不腐蝕，更無損於表面之平坦度，對Cu-CMP步驟中附著於半導體表面之CuO及粒子之去除為有效者。
简体摘要：本发明揭示含有在分子中具有保持非共享电子对之氮原子的化合物而成之于表面施以铜配线后之半导体表面用清洗剂，以及利用该清洗剂将于表面施以Cu配线后之半导体表面作处理为其特征之半导体表面的清洗方法。本发明有关之清洗剂系对于表面施以Cu配线后之半导体之Cu配线(Cu薄膜)、层间绝缘膜之SiO2不腐蚀，更无损于表面之平坦度，对Cu-CMP步骤中附着于半导体表面之CuO及粒子之去除为有效者。

9. 发明专利

TW200530752A 具有雜環之碘鹽 HETEROCYCLIC RING-CONTAINING IODONIUM SALT 失效
简体标题：具有杂环之碘盐 HETEROCYCLIC RING-CONTAINING IODONIUM SALT
公开(公告)号：TW200530752A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094106894
申请日：2002-10-16
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：石原正巳 ISHIHARA, MASAMI , 浦野洋治 URANO, YOJI , 高橋昌弘 TAKAHASHI, MASAHIRO
IPC分类号： G03F , C07D
CPC分类号： C07D311/16 , C07D311/86 , C08G59/68 , C08G65/105 , C08G2650/16 , G03F7/0045 , G03F7/029 , G03F7/0382 , G03F7/0392
摘要：本發明係提供一種有關作為例如陽離子性光聚合起始劑、化學增幅光阻用酸產生劑等有用之通式〔35〕所示之具有雜環之碘鹽：094106894-p01.bmp(式中，R^26及R^27分別各自表示可經鹵素原子或低級烷基取代之芳基、下述通式〔2〕或通式〔3〕所示之基；而A3為鹵素原子、源自無機強酸、有機酸或者通式〔4〕所示化合物之陰離子；惟R^26及R^27至少一方為通式〔2〕或通式〔3〕所示之基、又R^26及R^27僅任意一方為通式〔2〕或通式〔3〕所示之基之情況下，A3為源自通式〔36〕094106894-p02.bmp(式中，M3表示磷原子、砷原子或銻原子)所示之無機強酸、有機酸或者通式〔4〕所示化合物之陰離子)；094106894-p03.bmp(式中，R^3及R^4分別各自表示鹵素原子、可經鹵素原子或芳基取代之烷基、可經鹵素原子或低級烷基取代之芳基，X2表示氧原子或硫原子，i為0至4之整數，j為0至3之整數)094106894-p04.bmp(式中，R^5及R^6分別各自表示鹵素原子、可經鹵素原子或芳基取代之烷基、可經鹵素原子或低級烷基取代之芳基，X3及X4分別各自表示氧原子或硫原子，p為0至2之整數，q為0至3之整數)，094106894-p05.bmp(式中，M1表示硼原子或鎵原子，R^7表示可經選自鹵代低級烷基、鹵素原子、硝基及氰基之取代基所取代之芳基)。094106894-p01.bmp
简体摘要：本发明系提供一种有关作为例如阳离子性光聚合起始剂、化学增幅光阻用酸产生剂等有用之通式〔35〕所示之具有杂环之碘盐：094106894-p01.bmp(式中，R^26及R^27分别各自表示可经卤素原子或低级烷基取代之芳基、下述通式〔2〕或通式〔3〕所示之基；而A3为卤素原子、源自无机强酸、有机酸或者通式〔4〕所示化合物之阴离子；惟R^26及R^27至少一方为通式〔2〕或通式〔3〕所示之基、又R^26及R^27仅任意一方为通式〔2〕或通式〔3〕所示之基之情况下，A3为源自通式〔36〕094106894-p02.bmp(式中，M3表示磷原子、砷原子或锑原子)所示之无机强酸、有机酸或者通式〔4〕所示化合物之阴离子)；094106894-p03.bmp(式中，R^3及R^4分别各自表示卤素原子、可经卤素原子或芳基取代之烷基、可经卤素原子或低级烷基取代之芳基，X2表示氧原子或硫原子，i为0至4之整数，j为0至3之整数)094106894-p04.bmp(式中，R^5及R^6分别各自表示卤素原子、可经卤素原子或芳基取代之烷基、可经卤素原子或低级烷基取代之芳基，X3及X4分别各自表示氧原子或硫原子，p为0至2之整数，q为0至3之整数)，094106894-p05.bmp(式中，M1表示硼原子或镓原子，R^7表示可经选自卤代低级烷基、卤素原子、硝基及氰基之取代基所取代之芳基)。094106894-p01.bmp

10. 发明专利

TW200517487A 新穎清洗劑及清洗方法 NOVEL DETERGENT AND METHOD FOR CLEANING 审中-公开
简体标题：新颖清洗剂及清洗方法 NOVEL DETERGENT AND METHOD FOR CLEANING
公开(公告)号：TW200517487A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW093130828
申请日：2004-10-12
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：水田浩德 MIZUTA, HIRONORI , 柿澤政彥 KAKIZAWA, MASAHIKO , 林田一良 HAYASHIDA, ICHIRO
IPC分类号： C11D
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D7/261 , C11D7/262 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/3245 , C11D7/36 , C11D11/0047 , C23G5/02 , C23G5/032
摘要：本發明提供一種基板用清洗劑及清洗方法，可有效地清除存在基板表面之微細粒子(微粒)及源自各種金屬之不純物(金屬不純物)，且不損傷基板(亦即基板表面不會變粗糙)，特別是半導體基板之表面，亦不腐蝕或氧化基板表面上之金屬配線，特別是銅配線，同時又可在不脫除抗金屬腐蝕劑-Cu被膜，特別是Cu-BTA被膜下，洗除基板表面上存在之碳雜質(carbon defect)。本發明係提供基板用清洗劑，其係含有〔I〕至少含1個羧基之有機酸、〔II〕錯合劑及〔III〕選自(1)一元醇類、(2)烷氧基醇類、(3)二醇類、(4)二醇醚類、(5)酮類及(6)類所成組群之有機溶劑，以及提供使用該清洗劑處理基板表面之清洗方法。
简体摘要：本发明提供一种基板用清洗剂及清洗方法，可有效地清除存在基板表面之微细粒子(微粒)及源自各种金属之不纯物(金属不纯物)，且不损伤基板(亦即基板表面不会变粗糙)，特别是半导体基板之表面，亦不腐蚀或氧化基板表面上之金属配线，特别是铜配线，同时又可在不脱除抗金属腐蚀剂-Cu被膜，特别是Cu-BTA被膜下，洗除基板表面上存在之碳杂质(carbon defect)。本发明系提供基板用清洗剂，其系含有〔I〕至少含1个羧基之有机酸、〔II〕错合剂及〔III〕选自(1)一元醇类、(2)烷氧基醇类、(3)二醇类、(4)二醇醚类、(5)酮类及(6)类所成组群之有机溶剂，以及提供使用该清洗剂处理基板表面之清洗方法。

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