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    • 1. 发明专利
    • 電流感應晶片電阻器之製造方法
    • 电流感应芯片电阻器之制造方法
    • TW200828349A
    • 2008-07-01
    • TW095148492
    • 2006-12-22
    • 光頡科技股份有限公司 VIKING TECH CORPORATION
    • 魏石龍 WEI, SHIH LONG蕭勝利 HSIAO, SHEN LI
    • H01C
    • 本發明係提供一種電流感應晶片電阻器之製造方法,其電阻器製造流程係藉由前製程及後製程所構成,其該前製程包含於氮化鋁(AIN)基板進行電阻遮罩層塗佈、電阻層濺鍍、去除電阻遮罩層、電阻保護層塗佈、導電層電鍍與雷射晶粒分離切割,且該後製程包含雷射電阻質切割調整、電阻保護層印刷、字碼印刷、電阻保護層烤乾硬化、第一次斷線、側面導體濺鍍、第二次斷線、電鍍鎳層、電鍍錫層以及電阻器成品包裝,且其電阻器製造流程係使用薄膜製程,又其於薄膜製程時,係使用氮化鋁(AIN)基板,且同時結合單面製程之覆晶(Flip Chip)結構之技術,藉此,便可使電阻器產生高功率、高精密度、高熱傳導係數、低溫度係數、低雜訊及節省印刷電路板(PCB,Printed Circuit Board)使用空間之效能。
    • 本发明系提供一种电流感应芯片电阻器之制造方法,其电阻器制造流程系借由前制程及后制程所构成,其该前制程包含于氮化铝(AIN)基板进行电阻遮罩层涂布、电阻层溅镀、去除电阻遮罩层、电阻保护层涂布、导电层电镀与激光晶粒分离切割,且该后制程包含激光电阻质切割调整、电阻保护层印刷、字码印刷、电阻保护层烤干硬化、第一次断线、侧面导体溅镀、第二次断线、电镀镍层、电镀锡层以及电阻器成品包装,且其电阻器制造流程系使用薄膜制程,又其于薄膜制程时,系使用氮化铝(AIN)基板,且同时结合单面制程之覆晶(Flip Chip)结构之技术,借此,便可使电阻器产生高功率、高精密度、高热传导系数、低温度系数、低噪声及节省印刷电路板(PCB,Printed Circuit Board)使用空间之性能。