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1. 发明专利

TW200847359A 半導體封裝基板及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装基板及其制造方法
公开(公告)号：TW200847359A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096117885
申请日：2007-05-18
申请人：先豐通訊股份有限公司 BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄭文鋒 CHENG, WEN FENG , 李家銘 LI, CHIA MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要：一種半導體封裝基板,包括有一基材,主要係由絕緣材質組成,其上形成有線路層及絕緣層,其中絕緣層鄰接於線路層,且線路層之厚度係小於絕緣層,使線路層與該絕緣層間形成有一斷差高度,而於線路層上並可形成金屬連接層,在基材進行切割後,基材上便形成有槽孔,藉由絕緣層之設計可提供線路層較佳之支撐,使線路層之各線路間的間距固定,且在進行槽孔的切割作業時,線路層及金屬連接層之邊緣亦不會產生金屬毛刺,因而可避免因毛刺相互接觸或是與封裝銲線接觸而造成之短路情形。
简体摘要：一种半导体封装基板,包括有一基材,主要系由绝缘材质组成,其上形成有线路层及绝缘层,其中绝缘层邻接于线路层,且线路层之厚度系小于绝缘层,使线路层与该绝缘层间形成有一断差高度,而于线路层上并可形成金属连接层,在基材进行切割后,基材上便形成有槽孔,借由绝缘层之设计可提供线路层较佳之支撑,使线路层之各线路间的间距固定,且在进行槽孔的切割作业时,线路层及金属连接层之边缘亦不会产生金属毛刺,因而可避免因毛刺相互接触或是与封装焊线接触而造成之短路情形。

2. 实用新型

TWM322061U 半導體封裝基板失效
简体标题：半导体封装基板
公开(公告)号：TWM322061U
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW096208128
申请日：2007-05-18
申请人：先豐通訊股份有限公司 BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄭文鋒 CHENG, WEN FENG , 李家銘 LI, CHIA MING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2924/00014
摘要：一種半導體封裝基板，包括有一基材，主要係由絕緣材質組成，其上形成有線路層及絕緣層，其中絕緣層鄰接於線路層，且線路層之厚度係小於絕緣層，使線路層與該絕緣層間形成有一斷差高度，而於線路層上並可形成金屬連接層，在基材進行切割後，基材上便形成有槽孔，藉由絕緣層之設計可提供線路層較佳之支撐，使線路層之各線路間的間距固定，且在進行槽孔的切割作業時，線路層及金屬連接層之邊緣亦不會產生金屬毛刺，因而可避免因毛刺相互接觸或是與封裝銲線接觸而造成之短路情形。
简体摘要：一种半导体封装基板，包括有一基材，主要系由绝缘材质组成，其上形成有线路层及绝缘层，其中绝缘层邻接于线路层，且线路层之厚度系小于绝缘层，使线路层与该绝缘层间形成有一断差高度，而于线路层上并可形成金属连接层，在基材进行切割后，基材上便形成有槽孔，借由绝缘层之设计可提供线路层较佳之支撑，使线路层之各线路间的间距固定，且在进行槽孔的切割作业时，线路层及金属连接层之边缘亦不会产生金属毛刺，因而可避免因毛刺相互接触或是与封装焊线接触而造成之短路情形。

3. 发明专利

TW200844259A 蝕刻廢液之回收技術及其裝置审中-公开
简体标题：蚀刻废液之回收技术及其设备
公开(公告)号：TW200844259A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096116988
申请日：2007-05-14
申请人：先豐通訊股份有限公司 BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄭文鋒 CHENG, WEN FENG , 熊祖德 HSIUNG, JOE TE , 孫尚培 SHUN, SHANG PEI
IPC分类号： C23F , C25D , B01D
摘要：本發明主要係利用薄膜電極沉積法(Membrane Electrodeposition)處理含有銅離子之氯化鐵之蝕刻廢液。將氯化鐵蝕刻廢液置於陰極室中,其中之氯化鐵完全轉化為氯化亞鐵後,銅離子於陰極上沉積為銅,以機械力將陰極上之銅屑刮下,銅屑隨氯化亞鐵溶液經過濾機將銅屑濾出。俟銅離子完全於陰極沉積除盡後,將所濾出之氯化亞鐵溶液導入陽極室中。其氯化亞鐵之亞鐵離子於陽極室形成氯化鐵,可再回收使用為蝕刻液。
简体摘要：本发明主要系利用薄膜电极沉积法(Membrane Electrodeposition)处理含有铜离子之氯化铁之蚀刻废液。将氯化铁蚀刻废液置于阴极室中,其中之氯化铁完全转化为氯化亚铁后,铜离子于阴极上沉积为铜,以机械力将阴极上之铜屑刮下,铜屑随氯化亚铁溶液经过滤机将铜屑滤出。俟铜离子完全于阴极沉积除尽后,将所滤出之氯化亚铁溶液导入阳极室中。其氯化亚铁之亚铁离子于阳极室形成氯化铁,可再回收使用为蚀刻液。

4. 发明专利

TW200844269A 電極沉積物之擷取方法及其裝置审中-公开
简体标题：电极沉积物之截取方法及其设备
公开(公告)号：TW200844269A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096116987
申请日：2007-05-14
申请人：先豐通訊股份有限公司 BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄭文鋒 CHENG, WEN FENG , 熊祖德 HSIUNG, JOE TE , 許吉昌 HSU, CHI CHANG
IPC分类号： C25D , C25C
摘要：本發明主要係在電解還原的過程中,對附著在陰極電極表面的沉積物施以機械外力,使沉積物自陰極電極剝離,並且利用本身的重力落於電解槽的底部集中,接著將集中在電解槽底部的沉積物洩放過濾,即可獲得高純度的電解還原沉積物。
简体摘要：本发明主要系在电解还原的过程中,对附着在阴极电极表面的沉积物施以机械外力,使沉积物自阴极电极剥离,并且利用本身的重力落于电解槽的底部集中,接着将集中在电解槽底部的沉积物泄放过滤,即可获得高纯度的电解还原沉积物。

5. 实用新型

TWM359898U 同平面異質電路板結構失效
简体标题：同平面异质电路板结构
公开(公告)号：TWM359898U
公开(公告)日：2009-06-21
申请号：TW097215889
申请日：2008-09-03
申请人：先豐通訊股份有限公司 BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李建成 LEE, CHIEN CHENG , 陳武勇 CHEN, WU YUNG
IPC分类号： H05K
摘要：本創作之電路板設有至少一電路板基材,該電路板基材設有至少一嵌入空間,該嵌入空間中則設置有異於該電路板基材之異質基材,而該異質基材之表面與該第一電路板基材之表面係位於同一平面,該嵌入空間可視需求設置於電路板基材之適當位置處,亦可視需求來選擇不同於該電路板基材材質之異質基材,例如可以為介電材質、金屬材質、鐵氟龍等材質,或者內線路層密度異於該電路板基材,以降低成本。
简体摘要：本创作之电路板设有至少一电路板基材,该电路板基材设有至少一嵌入空间,该嵌入空间中则设置有异于该电路板基材之异质基材,而该异质基材之表面与该第一电路板基材之表面系位于同一平面,该嵌入空间可视需求设置于电路板基材之适当位置处,亦可视需求来选择不同于该电路板基材材质之异质基材,例如可以为介电材质、金属材质、铁氟龙等材质,或者内线路层密度异于该电路板基材,以降低成本。

6. 发明专利

TW200844258A 蝕刻廢液之回收方法及其裝置审中-公开
简体标题：蚀刻废液之回收方法及其设备
公开(公告)号：TW200844258A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096116986
申请日：2007-05-14
申请人：先豐通訊股份有限公司 BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄭文鋒 CHENG, WEN FENG , 熊祖德 HSIUNG, JOE TE , 孫尚培 SHUN, SHANG PEI
IPC分类号： C23F
摘要：本發明主要係利用薄膜電極沉積法(Membrane Electrodeposition)處理含有銅離子之氯化鐵蝕刻廢液。將氯化鐵蝕刻廢液置於陰極室中,其中之氯化鐵完全轉化為氯化亞鐵後,銅離子於陰極上沉積為銅,以機械力將陰極上之銅屑刮下,銅屑隨氯化亞鐵溶液經過濾機將銅屑濾出。俟銅離子完全於陰極沉積除盡後,將所濾出之氯化亞鐵溶液導入陽極室中。其氯化亞鐵之亞鐵離子於陽極室形成氯化鐵,可再回收使用為蝕刻液。
简体摘要：本发明主要系利用薄膜电极沉积法(Membrane Electrodeposition)处理含有铜离子之氯化铁蚀刻废液。将氯化铁蚀刻废液置于阴极室中,其中之氯化铁完全转化为氯化亚铁后,铜离子于阴极上沉积为铜,以机械力将阴极上之铜屑刮下,铜屑随氯化亚铁溶液经过滤机将铜屑滤出。俟铜离子完全于阴极沉积除尽后,将所滤出之氯化亚铁溶液导入阳极室中。其氯化亚铁之亚铁离子于阳极室形成氯化铁,可再回收使用为蚀刻液。

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