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1. 发明专利

TW200836915A 耐熱遮光薄膜與其製法、及使用它之光圈或光量調整裝置 HEAT-RESISTANT, LIGHT-SHIELDING FILM, PRODUCTION THEREOF, AND APERTURE AND LIGHT INTENSITY ADJUSTING DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：耐热遮光薄膜与其制法、及使用它之光圈或光量调整设备 HEAT-RESISTANT, LIGHT-SHIELDING FILM, PRODUCTION THEREOF, AND APERTURE AND LIGHT INTENSITY ADJUSTING DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200836915A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096145112
申请日：2007-11-28
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：小野勝史 ONO, KATSUSHI , 阿部能之 ABE, YOSHIYUKI , 塚越幸夫 TSUKAKOSHI, YUKIO
IPC分类号： B32B , C08J , C23C , G02B
CPC分类号： C23C14/205 , C23C14/0036 , C23C14/085 , C23C14/562 , Y10T428/12771 , Y10T428/12826 , Y10T428/12861 , Y10T428/12944 , Y10T428/24967 , Y10T428/26
摘要：本發明提供一種耐熱遮光薄膜及其製造方法、以及採用它的光圈或光量調節裝置,該耐熱遮光薄膜係作為數位照相機、數位攝影機的鏡頭快門等的快門葉片或光圈葉片或者投影機的光量調節用光圈裝置的光圈葉片等光學儀器部件使用,其遮光性、耐熱性、滑動性、低光澤性、導電性優良。該耐熱遮光薄膜特徵在於:包括具有200℃以上的耐熱性的樹脂薄膜基材(A)、在樹脂薄膜基材(A)一面或兩面上通過濺射法形成的具有50nm以上厚度的Ni類金屬膜(B)、在Ni類金屬膜(B)上通過濺射法形成的低反射性Ni類氧化物膜(C),並且表面粗糙度為0.1-0.7��m(算術平均高度Ra)。
简体摘要：本发明提供一种耐热遮光薄膜及其制造方法、以及采用它的光圈或光量调节设备,该耐热遮光薄膜系作为数码照相机、数码摄影机的镜头快门等的快门叶片或光圈叶片或者投影机的光量调节用光圈设备的光圈叶片等光学仪器部件使用,其遮光性、耐热性、滑动性、低光泽性、导电性优良。该耐热遮光薄膜特征在于:包括具有200℃以上的耐热性的树脂薄膜基材(A)、在树脂薄膜基材(A)一面或两面上通过溅射法形成的具有50nm以上厚度的Ni类金属膜(B)、在Ni类金属膜(B)上通过溅射法形成的低反射性Ni类氧化物膜(C),并且表面粗糙度为0.1-0.7��m(算术平均高度Ra)。

2. 发明专利

TW200741754A 氧化物燒結體、其製法、使用它之透明導電膜之製法與所得到的透明導電膜 OXIDE SINTERED BODY, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MANUFACTURING METHOD FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME, AND RESULTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM 审中-公开
简体标题：氧化物烧结体、其制法、使用它之透明导电膜之制法与所得到的透明导电膜 OXIDE SINTERED BODY, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, MANUFACTURING METHOD FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME, AND RESULTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
公开(公告)号：TW200741754A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096108113
申请日：2007-03-09
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：阿部能之 ABE, YOSHIYUKI , 中山德行 NAKAYAMA, TOKUYUKI , 小原剛 OHARA, GO , 和氣理一郎 WAKE, RIICHIRO
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01B1/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/664 , C04B2235/80
摘要：本發明提供一種氧化物燒結體,其係輸入高直流電功率也不會產生電弧和裂縫、作為可發生濺射的靶而有用的、實質上由鋅、錫和氧所構成;和一種快速形成氧化物透明導電膜的製造方法;以及一種耐化學試劑性優良的氧化物透明導電膜。提供一種氧化物燒結體,其係實質上由鋅、錫和氧構成的氧化物燒結體,錫以Sn/(Zn+Sn)的原子數比計係含有0.23~0.50,並且主要係由氧化鋅相和錫酸鋅化合物相所構成之氧化物燒結體;並提供一種氧化物燒結體的製造方法,其係在含有錫酸鋅化合物粉末、或者氧化錫粉末與氧化鋅粉末的混合粉末之原料粉末中摻合水系溶劑,將所得的漿液混合15小時以上後,進行固液分離.乾燥.造粒,接著將該造粒物加入到模框中成形,然後將所得成形物在燒成氛圍氣體中於1300~1500℃下燒結15小時以上。
简体摘要：本发明提供一种氧化物烧结体,其系输入高直流电功率也不会产生电弧和裂缝、作为可发生溅射的靶而有用的、实质上由锌、锡和氧所构成;和一种快速形成氧化物透明导电膜的制造方法;以及一种耐化学试剂性优良的氧化物透明导电膜。提供一种氧化物烧结体,其系实质上由锌、锡和氧构成的氧化物烧结体,锡以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计系含有0.23~0.50,并且主要系由氧化锌相和锡酸锌化合物相所构成之氧化物烧结体;并提供一种氧化物烧结体的制造方法,其系在含有锡酸锌化合物粉末、或者氧化锡粉末与氧化锌粉末的混合粉末之原料粉末中掺合水系溶剂,将所得的浆液混合15小时以上后,进行固液分离.干燥.造粒,接着将该造粒物加入到模框中成形,然后将所得成形物在烧成氛围气体中于1300~1500℃下烧结15小时以上。

3. 发明专利

TW200741752A 透明導電膜製造用燒結體靶及使用其所製造之透明導電膜及形成該導電膜所成之透明導電性基材审中-公开
简体标题：透明导电膜制造用烧结体靶及使用其所制造之透明导电膜及形成该导电膜所成之透明导电性基材
公开(公告)号：TW200741752A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095146462
申请日：2006-12-12
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中山德行 NAKAYAMA, TOKUYUKI , 阿部能之 ABE, YOSHIYUKI
IPC分类号： H01B
CPC分类号： H01B1/12 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/656 , C04B2235/77 , C04B2235/80
摘要：本發明係提供一種主要由Ga、In及O所成之透明導電膜製造用燒結體靶,對於總金屬原子而言含有Ga為49.1原子%以上65原子%以下,主要由��-GaInO3相與In2O3相所構成,In2O3相(400)/��-GaInO3相(III)之X線繞射波峰强度比為45%以下、更且密度為5.8g/cm^3以上。利用濺鍍法取得之透明導電膜主要由Ga、In及O所成之非晶質氧化物膜透明導電膜、對於總金屬原子而言含有Ga為49.1原子%以上65原子%以下,功函數為5.1eV以上、波長633nm之折射率為1.65以上、1.85以下。
简体摘要：本发明系提供一种主要由Ga、In及O所成之透明导电膜制造用烧结体靶,对于总金属原子而言含有Ga为49.1原子%以上65原子%以下,主要由��-GaInO3相与In2O3相所构成,In2O3相(400)/��-GaInO3相(III)之X线绕射波峰强度比为45%以下、更且密度为5.8g/cm^3以上。利用溅镀法取得之透明导电膜主要由Ga、In及O所成之非晶质氧化物膜透明导电膜、对于总金属原子而言含有Ga为49.1原子%以上65原子%以下,功函数为5.1eV以上、波长633nm之折射率为1.65以上、1.85以下。

4. 发明专利

TW200730598A 環氧樹脂黏著組成物及使用它之光半導體用黏著劑 EPOXY RESIN ADHESION COMPOSITION AND ADHESIVE FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR 审中-公开
简体标题：环氧树脂黏着组成物及使用它之光半导体用黏着剂 EPOXY RESIN ADHESION COMPOSITION AND ADHESIVE FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR
公开(公告)号：TW200730598A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095140647
申请日：2006-11-03
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：田中政史 TANAKA, MASASHI
IPC分类号： C09J , C08G , C08K
摘要：本發明係關於一種環氧樹脂黏著組成物以及使用它的光學半導體用黏著劑。該組成物能夠抑製短波長吸收性,耐紫外線性、耐候性、透光性和貯存穩定性優良,能夠用於裝有光學半導體晶片的半導體裝置的裝配和各種部件的黏著,其有優良的塗布性,對由光學半導體發出的波長的透射性優良。提供一種環氧樹脂黏著組成物,其是一種含有脂環式環氧化合物(A)、具有直接連接在矽原子上的水解性基團的矽烷化合物(B)、2價的有機錫化合物(c1)、4價約有機錫化合物(c2)和透光性的無機填料(D)作為必需成分的用於光學半導體的環氧樹脂組成物,其特徵是,基於組成物的總量,各成分的含量是(A)為30-95重量%,(B)為0.1-15重量%,(c1)為0.01-5重量%,(c2)為0.01-5重量%,(D)為0.1-50重量%。
简体摘要：本发明系关于一种环氧树脂黏着组成物以及使用它的光学半导体用黏着剂。该组成物能够抑制短波长吸收性,耐紫外线性、耐候性、透光性和贮存稳定性优良,能够用于装有光学半导体芯片的半导体设备的装配和各种部件的黏着,其有优良的涂布性,对由光学半导体发出的波长的透射性优良。提供一种环氧树脂黏着组成物,其是一种含有脂环式环氧化合物(A)、具有直接连接在硅原子上的水解性基团的硅烷化合物(B)、2价的有机锡化合物(c1)、4价约有机锡化合物(c2)和透光性的无机填料(D)作为必需成分的用于光学半导体的环氧树脂组成物,其特征是,基于组成物的总量,各成分的含量是(A)为30-95重量%,(B)为0.1-15重量%,(c1)为0.01-5重量%,(c2)为0.01-5重量%,(D)为0.1-50重量%。

5. 发明专利

TW200722541A 蒸鍍用氧化物燒結體錠及氧化物透明導電膜审中-公开
简体标题：蒸镀用氧化物烧结体锭及氧化物透明导电膜
公开(公告)号：TW200722541A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095134374
申请日：2006-09-15
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：阿部能之 YOSHIYUKI ABE , 中山德行 NAKAYAMA, TOKUYUKI , 小原剛 OHARA, GO , 和氣理一郎 WAKE, RIICHIRO
IPC分类号： C23C , H01B
摘要：本發明之課題是提供一種蒸鍍用氧化物燒結體錠,其是在使用電子光束蒸鍍法等之各種真空蒸鍍法,以具備連續供給系統之蒸鍍裝置,製造低阻抗且光透過率大之氧化物透明導電膜之際,當進行蒸鍍用氧化物燒結體錠之供給時,不會產生破損物質,而可防止真空槽內受到污染,藉由使破損物質堆積於連續供給系統之推起用桿軸或旋轉台之旋轉軸等機構零件,不會對圓滑的驅動帶來阻礙之蒸鍍用氧化物燒結體錠。用以解決課題之手段為,使用具備連續供給系統之蒸鍍裝置,以真空蒸鍍法進行成膜時所使用之蒸鍍用氧化物燒結體錠,其特徵為:該蒸鍍用氧化物燒結體錠,大致呈圓柱形狀,底面與側面所成之角部,呈剖面長度為0.7~5mm之C倒角形狀、或直徑為0.7~5mm之R倒角形狀或該大致呈圓柱形狀之側面的十點平均粗糙度(Rz)為110��m以下。
简体摘要：本发明之课题是提供一种蒸镀用氧化物烧结体锭,其是在使用电子光束蒸镀法等之各种真空蒸镀法,以具备连续供给系统之蒸镀设备,制造低阻抗且光透过率大之氧化物透明导电膜之际,当进行蒸镀用氧化物烧结体锭之供给时,不会产生破损物质,而可防止真空槽内受到污染,借由使破损物质堆积于连续供给系统之推起用杆轴或旋转台之旋转轴等机构零件,不会对圆滑的驱动带来阻碍之蒸镀用氧化物烧结体锭。用以解决课题之手段为,使用具备连续供给系统之蒸镀设备,以真空蒸镀法进行成膜时所使用之蒸镀用氧化物烧结体锭,其特征为:该蒸镀用氧化物烧结体锭,大致呈圆柱形状,底面与侧面所成之角部,呈剖面长度为0.7~5mm之C倒角形状、或直径为0.7~5mm之R倒角形状或该大致呈圆柱形状之侧面的十点平均粗糙度(Rz)为110��m以下。

6. 发明专利

TW200630316A 厚膜導體形成用組成物 A COMPOSITION FOR FORMING A THICK FILM CONDUCTOR 审中-公开
简体标题：厚膜导体形成用组成物 A COMPOSITION FOR FORMING A THICK FILM CONDUCTOR
公开(公告)号：TW200630316A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW095105210
申请日：2006-02-16
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：川久保勝弘 KAWAKUBO, KATSUHIRO , 安達良典 ADACHI, YOSHINORI , 粟窪慎吾 AWAGAKUBO, SHINGO
IPC分类号： C04B , C09D , H01B , H05K
CPC分类号： C03C3/064 , C03C3/091 , C03C8/18
摘要：本發明提供一種銲料腐蝕少且未含鉛之厚膜導體形成用組成物。其係由導電粉末、氧化物粉末及有機載體所構成，該氧化物粉末係使用包含SiO2–B2O3–Al2O3–CaO–Li2O系玻璃粉末及Al2O3粉末者。SiO2–B2O3–Al2O3–CaO–Li2O系玻璃粉末之組成比為：SiO2：20至60質量％、B2O3：2至25質量％、Al2O3：2至25質量％、CaO：20至50質量％及Li2O：0.1至10質量％。相對於導電粉末100質量份，SiO2–B2O3–Al2O3–CaO–Li2O系玻璃粉末係為0.1至15質量份，前述Al2O3粉末係為0.1至8質量份。
简体摘要：本发明提供一种焊料腐蚀少且未含铅之厚膜导体形成用组成物。其系由导电粉末、氧化物粉末及有机载体所构成，该氧化物粉末系使用包含SiO2–B2O3–Al2O3–CaO–Li2O系玻璃粉末及Al2O3粉末者。SiO2–B2O3–Al2O3–CaO–Li2O系玻璃粉末之组成比为：SiO2：20至60质量％、B2O3：2至25质量％、Al2O3：2至25质量％、CaO：20至50质量％及Li2O：0.1至10质量％。相对于导电粉末100质量份，SiO2–B2O3–Al2O3–CaO–Li2O系玻璃粉末系为0.1至15质量份，前述Al2O3粉末系为0.1至8质量份。

7. 发明专利

TW200617998A 透明導電膜及其製造方法,以及透明導電性基材,發光裝置审中-公开
简体标题：透明导电膜及其制造方法,以及透明导电性基材,发光设备
公开(公告)号：TW200617998A
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：TW094131585
申请日：2005-09-13
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中山德行 NAKAYAMA, TOKUYUKI , 阿部能之 YOSHIYUKI ABE
IPC分类号： H01B , C23C , C01G
CPC分类号： C23C14/08 , C03C17/36 , C03C17/3647 , C23C14/086 , Y10T428/249921
摘要：本發明係提供一種不僅可見光之透過率高且具有低表面電阻(6～500Ω／□)、在波長380～400nm之可見光短波長區域或更短波長之300～380nm的近紫外光區域亦兼具高光透過率之新穎透明導電性薄膜層疊膜。金屬薄膜11之表面以透明氧化物薄膜10、12被覆之層疊構造之透明導電膜。透明氧化物薄膜10、12主要由鎵、銦及氧所構成之非晶質氧化物薄膜，或主要由鎵及氧所構成之非晶質氧化物薄膜，透明氧化物薄膜10、12所含有之鎵相對於全金屬原子以35原子％以上100原子％以下之比率含有。
简体摘要：本发明系提供一种不仅可见光之透过率高且具有低表面电阻(6～500Ω／□)、在波长380～400nm之可见光短波长区域或更短波长之300～380nm的近紫外光区域亦兼具高光透过率之新颖透明导电性薄膜层叠膜。金属薄膜11之表面以透明氧化物薄膜10、12被覆之层叠构造之透明导电膜。透明氧化物薄膜10、12主要由镓、铟及氧所构成之非晶质氧化物薄膜，或主要由镓及氧所构成之非晶质氧化物薄膜，透明氧化物薄膜10、12所含有之镓相对于全金属原子以35原子％以上100原子％以下之比率含有。

8. 发明专利

TWI255299B 鉭酸鋰基板以及其製造方法 LITHIUM TANTALATE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 有权
简体标题：钽酸锂基板以及其制造方法 LITHIUM TANTALATE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
公开(公告)号：TWI255299B
公开(公告)日：2006-05-21
申请号：TW093109713
申请日：2004-04-08
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人： 谷富男 KAJIGAYA, TOMIO , 角田隆 KAKUTA, TAKASHI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/30 , C30B33/00 , C30B33/02 , G02F1/3551 , G02F2202/20
摘要：在鉭酸鋰(LT)基板中，藉由防止由基板表面上電荷累積所產生的火花，而防止基板表面上所形成之梳形圖案的破壞及LT基板之破裂等。此外，在微影製程期間防止進入 LT基板的光線由後表面反射回到前表面上，以防止梳形圖案的解析度劣化。
在由LT晶體製造LT基板的製程中，長成晶體之後，將晶錠形LT基板埋入碳粉中，或放置在碳容器中，在650℃和1650℃之間的保持溫度下進行熱處理至少4小時。
简体摘要：在钽酸锂(LT)基板中，借由防止由基板表面上电荷累积所产生的火花，而防止基板表面上所形成之梳形图案的破坏及LT基板之破裂等。此外，在微影制程期间防止进入 LT基板的光线由后表面反射回到前表面上，以防止梳形图案的分辨率劣化。在由LT晶体制造LT基板的制程中，长成晶体之后，将晶锭形LT基板埋入碳粉中，或放置在碳容器中，在650℃和1650℃之间的保持温度下进行热处理至少4小时。

9. 发明专利

TW200606466A 吸收型多層膜ND濾光片 ABSORPTION TYPE MULTI-LAYER FILM ND FILTER 失效
简体标题：吸收型多层膜ND滤光片 ABSORPTION TYPE MULTI-LAYER FILM ND FILTER
公开(公告)号：TW200606466A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：TW094123480
申请日：2005-07-12
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 OKAMI, HIDEHARU , 阿部能之 ABE, YOSHIYUKI , 中山德行 NAKAYAMA, TOKUYUKI
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B5/22
摘要：本發明之吸收型多層膜ND濾光片，其係具有一基板、及由以鎳(Ni)為主成份之金屬層和各由SiO2、Al2O3或其混合物中之任一者所形成之介電質層交替積層在該基板1上所構成之光學多層體7的結構，由於在該金屬層中係使用在可見光域的分光透射率之波長相依性小的Ni系金屬材料作為光衰減層，因此可實現獲得對波長呈平坦的透射率衰減之ND濾光片。
简体摘要：本发明之吸收型多层膜ND滤光片，其系具有一基板、及由以镍(Ni)为主成份之金属层和各由SiO2、Al2O3或其混合物中之任一者所形成之介电质层交替积层在该基板1上所构成之光学多层体7的结构，由于在该金属层中系使用在可见光域的分光透射率之波长相依性小的Ni系金属材料作为光衰减层，因此可实现获得对波长呈平坦的透射率衰减之ND滤光片。

10. 发明专利

TW200426258A 鉭酸鋰基板以及其製造方法 LITHIUM TANTALATE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME 审中-公开
简体标题：钽酸锂基板以及其制造方法 LITHIUM TANTALATE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
公开(公告)号：TW200426258A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW093109713
申请日：2004-04-08
申请人：住友金屬山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人： 谷富男 KAJIGAYA, TOMIO , 角田隆 KAKUTA, TAKASHI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/30 , C30B33/00 , C30B33/02 , G02F1/3551 , G02F2202/20
摘要：在鉭酸鋰(LT)基板中，藉由防止由基板表面上電荷累積所產生的火花，而防止基板表面上所形成之梳形圖案的破壞及LT基板之破裂等。此外，在微影製程期間防止進入LT基板的光線由後表面反射回到前表面上，以防止梳形圖案的解析度劣化。在由LT晶體製造LT基板的製程中，長成晶體之後，將晶錠形LT基板埋入碳粉中，或放置在碳容器中，在650℃和1650℃之間的保持溫度下進行熱處理至少4小時。
简体摘要：在钽酸锂(LT)基板中，借由防止由基板表面上电荷累积所产生的火花，而防止基板表面上所形成之梳形图案的破坏及LT基板之破裂等。此外，在微影制程期间防止进入LT基板的光线由后表面反射回到前表面上，以防止梳形图案的分辨率劣化。在由LT晶体制造LT基板的制程中，长成晶体之后，将晶锭形LT基板埋入碳粉中，或放置在碳容器中，在650℃和1650℃之间的保持温度下进行热处理至少4小时。

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