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1. 发明专利

TWI615893B 半導體晶圓之加工方法有权
简体标题：半导体晶圆之加工方法
公开(公告)号：TWI615893B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW105128874
申请日：2016-09-07
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B7/04 , B24B7/22 , B24B27/06 , H01L21/304

2. 发明专利

TW201740449A 晶圓之製造方法及晶圓审中-公开
简体标题：晶圆之制造方法及晶圆
公开(公告)号：TW201740449A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW105140591
申请日：2016-12-08
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋井友裕 , HASHII, TOMOHIRO , 中島亮 , NAKASHIMA, AKIRA
IPC分类号： H01L21/304 , B24B7/04 , B24B7/22
CPC分类号： B24B7/04 , B24B7/22 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種的晶圓的製造方法，即使在晶圓的起伏大的情況下，也能夠平坦化成不需要降低製造效率，也不會對半導體裝置的製造產生影響的程度。晶圓的製造方法，包括：樹脂層形成步驟，將晶圓W的一側的面W1形成樹脂層R；第1平面研削步驟，透過樹脂層R保持一側的面W1，平面研削另一側的面W2；樹脂層除去步驟，除去該樹脂層R；以及第2平面研削步驟，保持另一側的面W2，平面研削一側的面W1，其中該樹脂層形成步驟中滿足以下式(1)來形成該樹脂層。 T/X>30...(1) X：晶圓上的波長10mm以上100mm以下的起伏的最大振幅 T：樹脂層的最厚部分的厚度
简体摘要：本发明提供一种的晶圆的制造方法，即使在晶圆的起伏大的情况下，也能够平坦化成不需要降低制造效率，也不会对半导体设备的制造产生影响的程度。晶圆的制造方法，包括：树脂层形成步骤，将晶圆W的一侧的面W1形成树脂层R；第1平面研削步骤，透过树脂层R保持一侧的面W1，平面研削另一侧的面W2；树脂层除去步骤，除去该树脂层R；以及第2平面研削步骤，保持另一侧的面W2，平面研削一侧的面W1，其中该树脂层形成步骤中满足以下式(1)来形成该树脂层。 T/X>30...(1) X：晶圆上的波长10mm以上100mm以下的起伏的最大振幅 T：树脂层的最厚部分的厚度

3. 发明专利

TW201826367A 晶圓之製造方法以及晶圓审中-公开
简体标题：晶圆之制造方法以及晶圆
公开(公告)号：TW201826367A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106130607
申请日：2017-09-07
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 又川敏 , MATAGAWA, SATOSHI , 中島亮 , NAKASHIMA, AKIRA
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
摘要：本發明提供一種可平坦化晶圓的製造方法，且不影響半導體裝置的製造。在晶圓W的一面W1形成樹脂層RH的樹脂層形成步驟包括：保持步驟，以保持構件吸引保持晶圓W的另一面W2；平坦面形成步驟，在平板的平坦部與晶圓W的一面W1之間夾入黏度在1000mPa．s以下的硬化性樹脂，在硬化性樹脂上形成貼平於平坦部的硬化前平坦面；保持解除步驟，解除另一面W2的吸引保持；硬化步驟，使硬化性樹脂硬化以形成樹脂層RH；以及分離步驟，使平坦部從樹脂層RH分離。
简体摘要：本发明提供一种可平坦化晶圆的制造方法，且不影响半导体设备的制造。在晶圆W的一面W1形成树脂层RH的树脂层形成步骤包括：保持步骤，以保持构件吸引保持晶圆W的另一面W2；平坦面形成步骤，在平板的平坦部与晶圆W的一面W1之间夹入黏度在1000mPa．s以下的硬化性树脂，在硬化性树脂上形成贴平于平坦部的硬化前平坦面；保持解除步骤，解除另一面W2的吸引保持；硬化步骤，使硬化性树脂硬化以形成树脂层RH；以及分离步骤，使平坦部从树脂层RH分离。

4. 发明专利

TW201829117A 晶圓之製造方法以及晶圓审中-公开
简体标题：晶圆之制造方法以及晶圆
公开(公告)号：TW201829117A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106130605
申请日：2017-09-07
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 又川敏 , MATAGAWA, SATOSHI
IPC分类号： B24B7/04 , H01L21/304
摘要：本發明提供晶圓製造方法及晶圓，能夠獲得鏡面研磨後充分平坦化的晶圓，且複數的晶圓之間的平坦度的不均一縮小。本發明的晶圓的製造方法，包括：倒角步驟，對從單晶棒切出來的晶圓或研磨的晶圓進行倒角；樹脂層形成步驟，塗布硬化性樹脂到倒角後的晶圓的一面，形成樹脂層；第1平面研削步驟，透過樹脂層保持一面，平面研削晶圓的另一面；樹脂層除去步驟，除去樹脂層；以及第2平面研削步驟，保持另一面，平面研削一面。樹脂層形成步驟中，在晶圓的倒角部的算術平均粗度為Ra(nm)，硬化性樹脂的塗布時的黏度為V(mPa．s)的情況下，會塗布硬化性樹脂以滿足以下的式(1)。 Ra×V≧2×103...(1)
简体摘要：本发明提供晶圆制造方法及晶圆，能够获得镜面研磨后充分平坦化的晶圆，且复数的晶圆之间的平坦度的不均一缩小。本发明的晶圆的制造方法，包括：倒角步骤，对从单晶棒切出来的晶圆或研磨的晶圆进行倒角；树脂层形成步骤，涂布硬化性树脂到倒角后的晶圆的一面，形成树脂层；第1平面研削步骤，透过树脂层保持一面，平面研削晶圆的另一面；树脂层除去步骤，除去树脂层；以及第2平面研削步骤，保持另一面，平面研削一面。树脂层形成步骤中，在晶圆的倒角部的算术平均粗度为Ra(nm)，硬化性树脂的涂布时的黏度为V(mPa．s)的情况下，会涂布硬化性树脂以满足以下的式(1)。 Ra×V≧2×103...(1)

5. 发明专利

TWI693124B 晶圓的製造方法有权
简体标题：晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI693124B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW108102373
申请日：2019-01-22
申请人：日商SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI
IPC分类号： B24B7/04 , B24B7/22 , H01L21/304

6. 发明专利

TW201724240A 半導體晶圓之加工方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆之加工方法
公开(公告)号：TW201724240A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105128874
申请日：2016-09-07
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B7/04 , B24B7/22 , B24B27/06 , H01L21/304
摘要：藉由減低複數塗佈層的最外側的塗佈層的表面起伏以將其面平坦化，將研磨後的半導體晶圓的表面起伏去除並將其表面平坦化。首先，將半導體單結晶錠切片以製作薄圓板狀的晶圓(切片步驟)，藉由在此晶圓的第一面全體上塗佈硬化性材料，在形成已平坦化的塗佈層之後(塗佈層形成步驟)，使此塗佈層硬化(塗佈層硬化步驟)。接著，利用研磨裝置對與晶圓的第一面為反對側的第二面進行研磨之後，將塗佈層從晶圓的第一面去除。更利用研磨裝置平面研磨晶圓的第一面。上述切片步驟之後，頻率解析上述塗佈層形成步驟前的晶圓的第一面的表面高度，當10~100nm的波長區域的晶圓的第一面的表面起伏的振幅是0.5μm以上時，重複複數次塗佈層形成步驟及塗佈層硬化步驟。
简体摘要：借由减低复数涂布层的最外侧的涂布层的表面起伏以将其面平坦化，将研磨后的半导体晶圆的表面起伏去除并将其表面平坦化。首先，将半导体单结晶锭切片以制作薄圆板状的晶圆(切片步骤)，借由在此晶圆的第一面全体上涂布硬化性材料，在形成已平坦化的涂布层之后(涂布层形成步骤)，使此涂布层硬化(涂布层硬化步骤)。接着，利用研磨设备对与晶圆的第一面为反对侧的第二面进行研磨之后，将涂布层从晶圆的第一面去除。更利用研磨设备平面研磨晶圆的第一面。上述切片步骤之后，频率解析上述涂布层形成步骤前的晶圆的第一面的表面高度，当10~100nm的波长区域的晶圆的第一面的表面起伏的振幅是0.5μm以上时，重复复数次涂布层形成步骤及涂布层硬化步骤。

7. 发明专利

TWI515783B 半導體晶圓的加工方法有权
简体标题：半导体晶圆的加工方法
公开(公告)号：TWI515783B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103104550
申请日：2014-02-12
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI , 橋井友裕 , HASHII, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02013 , B24B7/228 , B24B27/0633 , B24B37/08 , B24B37/107 , B28D5/045

8. 发明专利

TW201436018A 半導體晶圓的加工方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆的加工方法
公开(公告)号：TW201436018A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103104550
申请日：2014-02-12
申请人：勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：田中利幸 , TANAKA, TOSHIYUKI , 橋本靖行 , HASHIMOTO, YASUYUKI , 橋井友裕 , HASHII, TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02013 , B24B7/228 , B24B27/0633 , B24B37/08 , B24B37/107 , B28D5/045
摘要：在晶圓的加工方法中，將晶圓切片後緊接著同時平坦化加工晶圓的兩面，該晶圓的加工方法是以在利用線鋸裝置來將半導體單結晶錠切片而取得的晶圓的一方的面全面塗佈硬化性材料後的平坦的表面作為基準面，將晶圓的另一方的面平面研削，以平面研削後的晶圓的另一方的面作為基準面，將晶圓的一方的面平面研削。
简体摘要：在晶圆的加工方法中，将晶圆切片后紧接着同时平坦化加工晶圆的两面，该晶圆的加工方法是以在利用线锯设备来将半导体单结晶锭切片而取得的晶圆的一方的面全面涂布硬化性材料后的平坦的表面作为基准面，将晶圆的另一方的面平面研削，以平面研削后的晶圆的另一方的面作为基准面，将晶圆的一方的面平面研削。

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