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1. 发明专利

TWI610306B 用於多位階單元非揮發性記憶體之加速軟讀取有权
简体标题：用于多位阶单元非挥发性内存之加速软读取
公开(公告)号：TWI610306B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW102121235
申请日：2013-06-14
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：陳震剛 , CHEN, ZHENGANG , 鍾浩 , ZHONG, HAO
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/10
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C2211/5634

2. 发明专利

TWI579854B 用於快閃記憶體之低密度同位檢查抹除解碼有权
简体标题：用于闪存之低密度同位检查抹除译码
公开(公告)号：TWI579854B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW100108588
申请日：2011-03-14
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：鍾浩 , ZHONG, HAO , 李焱 , LI, YAN , 丹尼拉克拉多斯拉夫 , DANILAK, RADOSLAV , 柯罕厄爾T , COHEN, EARL T.
IPC分类号： G11C29/42 , G11C16/20
CPC分类号： H03M13/3715 , G06F3/0611 , G06F3/0619 , G06F3/064 , G06F3/0655 , G06F3/0679 , G06F11/1008 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G06F11/1072 , G11C11/5642 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C29/52 , H03M13/1108 , H03M13/1111 , H03M13/3707 , H03M13/373 , H03M13/6502

3. 发明专利

TWI591644B 以保持漂移歷史為基礎之非揮發性記憶體讀取臨限最佳化有权
简体标题：以保持漂移历史为基础之非挥发性内存读取临限最优化
公开(公告)号：TWI591644B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW103104317
申请日：2014-02-10
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：柯罕厄爾T , COHEN, EARL T. , 鍾浩 , ZHONG, HAO
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/04 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/3495 , G01R19/0084 , G11C7/14 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028

4. 发明专利

TW201415468A 在一非揮發性記憶體中測量平均抹除之記憶體胞損壞审中-公开
简体标题：在一非挥发性内存中测量平均抹除之内存胞损坏
公开(公告)号：TW201415468A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102133261
申请日：2013-09-13
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：李焱 , LI, YAN , 賀布利司亞歷山德 , HUBRIS, ALEXANDER , 鍾浩 , ZHONG, HAO
IPC分类号： G11C16/10 , G11C29/04
CPC分类号： G06F11/1666 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/3495 , G11C29/42 , G11C29/50 , G11C29/52
摘要：一種非揮發性記憶體(NVM)控制器，其在一NVM中測量平均抹除之記憶體胞損壞，因此改良諸如一固態磁碟(SSD)之一儲存子系統之效能、可靠性、壽命及/或成本。在一第一態樣中，該控制器判定讀取NVM之一頁之一錯誤係由記憶體胞損壞及/或記憶體胞洩漏引起。該控制器重新程式化並即刻回讀該頁，若在該即刻讀取期間偵測一錯誤，則偵測到該錯誤係由記憶體胞損壞引起。在一第二態樣中，藉由更新用於NVM之頁及/或區塊之記憶體胞損壞計數器追蹤該記憶體胞損壞。在一第三態樣中，至少部分基於NVM之頁及/或區塊之所測量的記憶體胞損壞而執行平均抹除。
简体摘要：一种非挥发性内存(NVM)控制器，其在一NVM中测量平均抹除之内存胞损坏，因此改良诸如一固态磁盘(SSD)之一存储子系统之性能、可靠性、寿命及/或成本。在一第一态样中，该控制器判定读取NVM之一页之一错误系由内存胞损坏及/或内存胞泄漏引起。该控制器重新进程化并即刻回读该页，若在该即刻读取期间侦测一错误，则侦测到该错误系由内存胞损坏引起。在一第二态样中，借由更新用于NVM之页及/或区块之内存胞损坏计数器追踪该内存胞损坏。在一第三态样中，至少部分基于NVM之页及/或区块之所测量的内存胞损坏而运行平均抹除。

5. 发明专利

TWI512452B 資料儲存系統有权
简体标题：数据存储系统
公开(公告)号：TWI512452B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100139204
申请日：2011-10-27
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：李焱 , LI, YAN , 鍾浩 , ZHONG, HAO , 丹尼拉克拉多斯拉夫 , DANILAK, RADOSLAV , 柯罕厄爾T , COHEN, EARL T.
IPC分类号： G06F11/10
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1016 , G06F11/1048 , G11C11/5628 , G11C29/52 , H03M13/05 , H03M13/2906

6. 发明专利

TW201443904A 以保持漂移歷史為基礎之非揮發性記憶體讀取臨限最佳化审中-公开
简体标题：以保持漂移历史为基础之非挥发性内存读取临限最优化
公开(公告)号：TW201443904A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103104317
申请日：2014-02-10
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：柯罕厄爾T , COHEN, EARL T. , 鍾浩 , ZHONG, HAO
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/04 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/3495 , G01R19/0084 , G11C7/14 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3418 , G11C16/3427 , G11C16/349 , G11C29/021 , G11C29/028
摘要：一種固態磁碟(SSD)控制器動態地調整一非揮發性記憶體(NVM)中之讀取臨限以減小歸因於裝置臨限電壓分佈移位之錯誤，因此改良一儲存子系統(諸如一SSD)之效能、可靠性及/或成本。一保持漂移時脈將一或多個NVM晶粒上之一或多個參考頁(或ECC單元或區塊)用作隨時間/溫度變化之讀取臨限參考，且將該等值之一函數用作(隨時間/溫度變化之)漂移之一量度。在某一初始時間，程式化該一或多個參考頁且針對該一或多個參考頁之各者量測一初始讀取臨限。在一些實施例中，在以下之一或多者之間平均化讀取臨限值：相同晶粒上之所有參考頁；及一I/O裝置中之相同一或多個晶粒中之所有參考頁。
简体摘要：一种固态磁盘(SSD)控制器动态地调整一非挥发性内存(NVM)中之读取临限以减小归因于设备临限电压分布移位之错误，因此改良一存储子系统(诸如一SSD)之性能、可靠性及/或成本。一保持漂移时脉将一或多个NVM晶粒上之一或多个参考页(或ECC单元或区块)用作随时间/温度变化之读取临限参考，且将该等值之一函数用作(随时间/温度变化之)漂移之一量度。在某一初始时间，进程化该一或多个参考页且针对该一或多个参考页之各者量测一初始读取临限。在一些实施例中，在以下之一或多者之间平均化读取临限值：相同晶粒上之所有参考页；及一I/O设备中之相同一或多个晶粒中之所有参考页。

7. 发明专利

TW201415472A 用於多位階單元非揮發性記憶體之加速軟讀取审中-公开
简体标题：用于多位阶单元非挥发性内存之加速软读取
公开(公告)号：TW201415472A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102121235
申请日：2013-06-14
申请人： LSI公司 , LSI CORPORATION
发明人：陳震剛 , CHEN, ZHENGANG , 鍾浩 , ZHONG, HAO
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/10
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C2211/5634
摘要：本發明提供一種記憶體裝置，其包括包含若干多位階記憶體單元之一記憶體陣列及耦合至該記憶體陣列之控制電路。該控制電路經組態以對該記憶體陣列之至少一部分執行加速軟讀取操作。針對該記憶體陣列之一非上部頁之該等加速軟讀取操作中之一既定者包含針對該記憶體陣列之一對應上部頁之至少一個硬讀取操作。舉例而言，該既定加速軟讀取操作可包含多個硬讀取操作之一序列，該多個硬讀取操作包括針對該非上部頁之一硬讀取操作及針對該對應上部頁之一或多個硬讀取操作。
简体摘要：本发明提供一种内存设备，其包括包含若干多位阶内存单元之一内存数组及耦合至该内存数组之控制电路。该控制电路经组态以对该内存数组之至少一部分运行加速软读取操作。针对该内存数组之一非上部页之该等加速软读取操作中之一既定者包含针对该内存数组之一对应上部页之至少一个硬读取操作。举例而言，该既定加速软读取操作可包含多个硬读取操作之一串行，该多个硬读取操作包括针对该非上部页之一硬读取操作及针对该对应上部页之一或多个硬读取操作。

8. 发明专利

TW201234170A 用於以快閃記憶體為基礎之資料儲存之適應性錯誤校正碼技術 ADAPTIVE ECC TECHNIQUES FOR FLASH MEMORY BASED DATA STORAGE 审中-公开
简体标题：用于以闪存为基础之数据存储之适应性错误校正码技术 ADAPTIVE ECC TECHNIQUES FOR FLASH MEMORY BASED DATA STORAGE
公开(公告)号：TW201234170A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：TW100139204
申请日：2011-10-27
申请人： LSI公司
发明人：李焱 , 鍾浩 , 丹尼拉克拉多斯拉夫 , 柯罕厄爾T
IPC分类号： G06F
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1016 , G06F11/1048 , G11C11/5628 , G11C29/52 , H03M13/05 , H03M13/2906
摘要：一種配合快閃記憶體使用之適應性錯誤校正碼(ECC)技術賦能快閃記憶體使用壽命、可靠性、效能及/或儲存容量方面的改良。該等技術包括具有各種碼率及/或各種碼長(提供不同錯誤校正能力)及錯誤統計收集/追蹤(諸如經由專用硬體邏輯塊)的一組ECC方案。該等技術進一步包括：根據該等ECC方案中之一或多者進行編碼/解碼；及至少部分地基於來自錯誤統計收集/追蹤之資訊(諸如經由自專用錯誤統計收集/追蹤硬體邏輯塊接收輸入的硬體邏輯適應性編碼解碼器)而在該等ECC方案中之一或多者之間動態地切換編碼/解碼。該等技術進一步包括隨時間的過去在各種操作模式中選擇性地操作快閃記憶體之一部分(例如，一頁或一區塊)(例如，作為MLC頁或SLC頁)。
简体摘要：一种配合闪存使用之适应性错误校正码(ECC)技术赋能闪存使用寿命、可靠性、性能及/或存储容量方面的改良。该等技术包括具有各种码率及/或各种码长(提供不同错误校正能力)及错误统计收集/追踪(诸如经由专用硬件逻辑块)的一组ECC方案。该等技术进一步包括：根据该等ECC方案中之一或多者进行编码/译码；及至少部分地基于来自错误统计收集/追踪之信息(诸如经由自专用错误统计收集/追踪硬件逻辑块接收输入的硬件逻辑适应性编码译码器)而在该等ECC方案中之一或多者之间动态地切换编码/译码。该等技术进一步包括随时间的过去在各种操作模式中选择性地操作闪存之一部分(例如，一页或一区块)(例如，作为MLC页或SLC页)。

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