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1. 发明专利

TWI322175B 包含新穎含矽化合物之液晶組成物及使用其之液晶顯示裝置 LIQUID CRYSTAL COMPOSITION COMPRISING NOVEL SILICON CONTAINING COMPOUNDS AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME 有权
简体标题：包含新颖含硅化合物之液晶组成物及使用其之液晶显示设备 LIQUID CRYSTAL COMPOSITION COMPRISING NOVEL SILICON CONTAINING COMPOUNDS AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TWI322175B
公开(公告)日：2010-03-21
申请号：TW095101329
申请日：2006-01-13
申请人： LG化學公司
发明人：鄭宰昊 , 高敏鎮 , 姜旲昊 , 李奇烈 , 金閏鳳
IPC分类号： C09K , G02F
CPC分类号： C09K19/406 , C07F7/0818 , Y10T428/10 , Y10T428/1005 , Y10T428/1009
摘要：揭露一含矽化合物、一包含該同一化合物之液晶組成物，以及一液晶顯示裝置，包含一從該液晶組成物製備的液晶層。該含矽化合物，其構成該液晶組成物，具有低黏度以及高負(－)型介電係數各方異向性。因此，它可能提供一液晶顯示裝置，其具有一迅速反應時間，以及可以在一低電壓驅動。 Disclosed are a silicon－containing compound, a liquid crystal composition comprising the same compound, and a liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer prepared from the liquid crystal composition. The silicon－containing compound, which forms the liquid crystal composition, has lowviscosity and high negative (－) dielectric anisotropy. Therefore, it is possible to provide a liquid crystal display device, which has a fast response time and can be driven at a low voltage. 【創作特點】因此，本發明鑑於上述問題而實施。本發明的目的在於提供一新穎液晶化合物，其具有低黏度以及高負型介電係數各方異向性，以便達到顯示最佳化。本發明的另一目的在於提供一包含該上述化合物之液晶組成物。本發明還有一目的在於提供一使用該上述組成物製造之液晶顯示裝置。
本發明提供一由下述式1所代表的新穎含矽化合物、一包含該上述化合物之液晶組成物，以及一液晶顯示裝置，包含一由該上述組成物製造之液晶層。
其中A是選自由SiMe2 Ok1(CQ2)n1、SiEt2 Ok1(CQ2)n1、SiF2 Ok1(CQ2)n1、SiCl2 Ok1(CQ2)n1、SiMe2(CQ2)n1 Ok1、SiEt2(CQ2)n1 Ok1、SiF2(CQ2)n1 Ok1、SiCl2(CQ2)n1 Ok1、Ok1 SiMe2(CQ2)n1、Ok1 SiEt2(CQ2)n1、Ok1 SiF2(CQ2)n1、Ok1 SiCl2(CQ2)n1、(CQ2)n1 Ok1 SiMe2、(CQ2)n1 Ok1 SiEt2、(CQ2)n1 Ok1 SiF2、(CQ2)n1 Ok1 SiCl2、Ok1(CQ2)n1 SiMe2、Ok1(CQ2)n1 SiEt2、Ok1(CQ2)n1 SiF2、Ok1(CQ2)n1 SiCl2、(CQ2)n1 SiMe2 Ok1、(CQ2)n1 SiEt2 Ok1、(CQ2)n1 SiF2 Ok1、(CQ2)n1 SiCl2 Ok1、(CH2)n1、CH＝CH、C≡C、O、S、COO、OCO、CF2 O、OCF2、OCOO、CH2 O、CH2 CO、OCH2，以及COCH2所組成之群，其中k1是0或1，Q是H或F，n1是介於0以及3之間的整數；環B是選自由,and所組成之群；環C是選自由,and所組成之群；環D是選自由,and所組成之群，其中該等取代基，被導入環A、環B、環C，或環D，並由L1到L7所代表，係各自獨立，即使如果它們具有相同的定義；M是選自C、N，以及Si，具有附帶條件為M為N時，L3或L7是零；Z是C；每一個a1、a2，以及a3是各自獨立的選自C、NR，以及O；E是選自由SiMe2 Ok2(CQ2)n2、SiEt2 Ok2(CQ2)n2、SiF2 Ok2(CQ2)n2、SiCl2 Ok2(CQ2)n2、SiMe2(CQ2)n2 Ok2、SiEt2(CQ2)n2 Ok2、SiF2(CQ2)n2 Ok2、SiCl2(CQ2)n2 Ok2、Ok2 SiMe2(CQ2)n2、Ok2 SiEt2(CQ2)n2、Ok2 SiF2(CQ2)n2、Ok2 SiCl2(CQ2)n2、(CQ2)n2 Ok2 SiMe2、(CQ2)n2 Ok2 SiEt2、(CQ2)n2 Ok2 SiF2、(CQ2)n2 Ok2 SiCl2、Ok2(CQ2)n2 SiMe2、Ok2(CQ2)n2 SiEt2、Ok2(CQ2)n2 SiF2、Ok2(CQ2)n2 SiCl2、(CQ2)n2 SiMe2 Ok2、(CQ2)n2 SiEt2 Ok2、(CQ2)n2 SiF2 Ok2、(CQ2)n2 SiCl2 Ok2、(CH2)n2、C≡C、O、S、COO、OCO、CF2 O、OCF2、OCOO、CH2 O、CH2 CO、OCH2，以及COCH2所組成之群，其中k2是0或1，Q是H或F，以及n2是介於0以及3之間的整數；R是選自由H、C1~C15烷基、C2~C15烯基，以及烷氧基(R1 O)所組成之群，其中烯基為CH＝CH2、CH＝CHCH3(E,Z)、CH2 CH＝CH2、CH＝CHCH2 CH3(E,Z)、CH2 CH＝CHCH3(E,Z)、CH2 CH2 CH＝CH2、CH＝CHCH2 CH2 CH3(E,Z)、CH2 CH＝CHCH2 CH3(E,Z)、CH2 CH2 CH＝CHCH3(E,Z)，或CH2 CH2 CH2 CH＝CH2；R1是選自由H、C1~C15烷基，以及C2~C15烯基所組成之群，其中該烯基為CH＝CH2、CH＝CHCH3(E,Z)、CH2 CH＝CH2、CH＝CHCH2 CH3 E,Z)、CH2 CH＝CHCH3(E,Z)、CH2 CH2 CH＝CH2、CH＝CHCH2 CH2 CH3(E,Z)、CH2 CH＝CHCH2 CH3(E,Z)、CH2 CH2 CH＝CHCH3(E,Z)，或CH2 CH2 CH2 CH＝CH2；X是選自由H、SiR2 R3 R4、CF3、OCF3、CN、NCS、鹵素原子，以及R所組成之群；每一個R2、R3，以及R4是各自獨立地選自R以及鹵素原子；每一個L1、L2、L3、L4、L5、L6，以及L7是各自獨立地選自由H、鹵素原子、CN、CF3、OCF3，以及NCS所組成之群；每一個o、p，以及q各自獨立地代表介於0以及2之間的整數；以及至少E、A，以及X其中一個包含矽。
在此之後，本發明將被更詳細的描述。
本發明提供一新穎含矽化合物，可以被應用在各式各樣的顯示裝置中、一液晶組成物，實質上包含該含矽化合物，較佳為一負型向列型液晶組成物，以及一使用該上述組成物之液晶顯示裝置。該含矽化合物的特性為具有低黏度，以及高負(－)型介電係數各方異向性。
在低運作電壓下，為了操作液晶，高介電係數各方異向性是必須的。根據本發明，該液晶化合物基於該主要分子軸線具有不對稱取代基，因此提供高負型介電係數各方異向性。
為了得到迅速的液晶反應時間，低黏度是必須的。根據本發明的化合物，經由導入一含矽取代基進入至少一個連結基(A以及E)以及末端基(X)，或該連結基以及末端基兩者，而可獲得低黏度。
此外，根據本發明，是可增進偶極矩(dipole moment)，經由導入一鹵素原子，及/或烷基作為氫原子的取代基，其與矽形成一級鍵，當一含矽取代基被導入至少一個連結基及/或末端基。此增進偶極矩導致增進了介電係數各方異向性，，其受到極化性(polarizability)以及偶極矩極大影響。
該本發明的含矽化合物的較佳具體實例由式1所代表，其包含較佳的環B以及環C的舉例，被由下述式2~10所代表。然而，本發明的範圍並不受限於此。
其中Z為C；M為C、N，或Si，具有附帶條件為M為N時，L3或L7是零；每一個a1、a2，以及a3是各自獨立的選自C、NR，以及O；每一個L1、L2、L3、L4、L5、L6，以及L7為各自獨立地選自H、鹵素原子、CN、CF3、OCF3，以及NCS；以及A、E、R、X、o、p，以及q與在式1中所定義相同。
特別佳的化合物舉例由包含下列化合物的式2~10所代表。然而，本發明的範圍並不受限於此。
其中A是選自由SiOk1(CQ2)n1、Si(CQ2)n1 Ok1、(CQ2)n1 Ok1 Si、(CQ2)n1 SiOk1、Ok1(CQ2)n1 Si，以及Ok1 Si(CQ2)n1所組成之群，以及k1、Q、n1、R、R2、R3、R4、L1、L2、L3、L4、L5、L7、X、M、a1、a2，以及a3與在式1中所定義相同。
該由式1所代表的含矽立體同分異構體(stereoisomers)也包含在本發明的範圍中。在此，該含矽化合物具有立體同分異構體，在反式時具有較佳的液晶特性。此外，該含矽化合物的立體同分異構體可以在反式異構物：順式異構物的比例為85~100：15~0，但不限於此。
該由式1所代表的新穎含矽化合物是化學的以及熱的穩定、是對光穩定，並能構成一介晶相(mesomorphic phase)(中間相(meso－phase))在一所要的溫度範圍，以便被適當地使用於顯示器的應用。
根據本發明，該由式1所代表的含矽化合物可以經由一熟悉該項技藝人士一般已知的方法被製備。根據本發明的較佳具體實例，該由式1所代表的含矽化合物可以經由下述反應圖1~6被製備。
在一個由反應圖1所代表的方法具體實例中，以4-n-丙基環己酮進行格裡納反應(Grignard reaction)，接著經由使用TsOH脫水。該產物被用來與n-BuLi反應，以形成一陰離子，其依次與氯硅烷(silyl chloride)衍生物反應。接著，氫化，為了形成反式異構物，較佳的是使用阮尼鎳(Raney-Nickel)催化，從而提供一由式11所代表的硅烷液晶化合物，其中環B或環C為1,4-環己基。另外，該反式異構物可以被形成，經由使用Pd/炭氫化，以及再結晶。
在一個由反應圖2所代表的方法具體實例中，以4-n-丙基環己酮進行格裡納反應，接著經由使用TsOH脫水。然後，該產物經由使用n-BuLi被轉換成一陰離子形式，並隨後與氯硅烷衍生物反應。如果該與p-四氯苯醌(p-chloranil)反應被用來取代氫化，該由式12所代表的硅烷液晶化合物，其中環B或環C為1,4-苯基，可以獲得。
在一個由反應圖3所代表的方法具體實例中，以4-n-丙基環己酮進行格裡納反應，接著經由使用TsOH脫水。然後，該產物經由使用n-BuLi被轉換成一陰離子形式，並隨後與氯硅烷衍生物反應。如果該與p-四氯苯醌反應被用來取代氫化，該由式13所代表的硅烷液晶化合物，其中環B或環C為1,4-苯基，可以獲得。
[反應圖4]
在一個由反應圖4所代表的方法具體實例中，Pd偶合反應是較佳的，經由使用硼酸衍生物以提供聯苯或三苯基(triphenyl)衍生物，其，依次，經由使用n-BuLi被轉換成一陰離子，然後，該產物被與氯硅烷反應，以提供該由式14所代表的硅烷液晶化合物。
在一個由反應圖5所代表的方法具體實例中，Pd偶合反應是較佳的，經由使用硼酸衍生物以提供聯苯或三苯基衍生物，其，依次，經由使用n-BuLi被轉換成一陰離子，然後，該產物被與氯硅烷反應，以提供該由式15所代表的硅烷液晶化合物。
在一個由反應圖6所代表的方法具體實例中，一過量的Me2SiCl2被加入至Mg所形成陰離子，以提供氯硅烷衍生物，其隨後可與苯基鎂衍生物反應，以提供該由式16所代表的硅烷液晶化合物。
除了經由上述反應圖1~6獲得的化合物之外，經由類似習知的方法獲得的化合物，，也包含在本發明的範圍中。該所獲得等的含矽化合物的，如上所描述，可以需要的比例混合，以提供一液晶組成物。
本發明提供一液晶組成物，較佳地一向列型液晶組成物，其包含該由式1所代表的含矽化合物。
經由液晶組成物以提供所想要的液晶特性，通常大約5~20種組成份被使用在液晶組成物的組合中。根據本發明，它可能提供一液晶組成物，具有低的驅動電壓以及迅速的反應時間，經由使用該由式1所代表的新穎含矽化合物，它可以提供高負型介電係數各方異向性以及降低黏度。
雖然沒有特別的限制在由式1所代表的化合物的內容中，特別是至少一個化合物，選自由式2~10所代表的含矽化合物所組成之群，以100 wt%的全部液晶組成物為基礎，每一個化合物較佳地使用在1~50 wt%的量中。
根據本發明的液晶組成物，除了該由式1所代表的含矽化合物之外，可以更進一步包含其他液晶化合物，一般使用在習知的液晶組成物中。此化合物可以被使用在一控制的所需比例中。此外，適當的添加劑也可以被使用，且此添加劑被揭露在[H.Kelker/R.Hatz，液晶手冊，Verlag Chemie,Weinheim,1980]中。舉例如，添加劑用於調整該介電係數各方異向性、黏度，及/或向列型相的直線可以被使用。該添加劑的特別舉例，其可以被使用在本發明的液晶組成物中，包含抑制該螺旋結構並回復該液晶的變形的旋光液晶分子(chiral dopants)、二色性染料(dichroic dyes)等等。
根據本發明的液晶組成物可以經由一個熟知該項技藝人士通常熟知的方法被製備。在此方法的一個具體實例中，各式各樣的組成份，其構成液晶組成物被溶解在一從室溫到高溫的溫度範圍中。
並且，本發明提供一液晶顯示裝置，其包含一從該液晶組成物獲得的液晶層。
在液晶顯示裝置中並無特別的限制。該液晶顯示裝置特別的舉例包含顯示裝置，其需要負型介電係數各方異向性，例如一垂直排列液晶顯示裝置、超樣式(Superpatterned)垂直排列液晶顯示裝置，或其類似。
根據本發明的液晶顯示裝置可以經由一個熟知該項技藝人士通常熟知的方法被製造。此方法的一個具體實例，一液晶組成物被溶解在一適當的溫度，然後引導進入一液晶裝置中。該液晶相，溶解如上面所提到的，可以被更改，使它可以被應用於所有形式的液晶顯示裝置，經由使用適當的添加劑。
简体摘要：揭露一含硅化合物、一包含该同一化合物之液晶组成物，以及一液晶显示设备，包含一从该液晶组成物制备的液晶层。该含硅化合物，其构成该液晶组成物，具有低黏度以及高负(－)型介电系数各方异向性。因此，它可能提供一液晶显示设备，其具有一迅速反应时间，以及可以在一低电压驱动。 Disclosed are a silicon－containing compound, a liquid crystal composition comprising the same compound, and a liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer prepared from the liquid crystal composition. The silicon－containing compound, which forms the liquid crystal composition, has lowviscosity and high negative (－) dielectric anisotropy. Therefore, it is possible to provide a liquid crystal display device, which has a fast response time and can be driven at a low voltage. 【创作特点】因此，本发明鉴于上述问题而实施。本发明的目的在于提供一新颖液晶化合物，其具有低黏度以及高负型介电系数各方异向性，以便达到显示最优化。本发明的另一目的在于提供一包含该上述化合物之液晶组成物。本发明还有一目的在于提供一使用该上述组成物制造之液晶显示设备。本发明提供一由下述式1所代表的新颖含硅化合物、一包含该上述化合物之液晶组成物，以及一液晶显示设备，包含一由该上述组成物制造之液晶层。其中A是选自由SiMe2 Ok1(CQ2)n1、SiEt2 Ok1(CQ2)n1、SiF2 Ok1(CQ2)n1、SiCl2 Ok1(CQ2)n1、SiMe2(CQ2)n1 Ok1、SiEt2(CQ2)n1 Ok1、SiF2(CQ2)n1 Ok1、SiCl2(CQ2)n1 Ok1、Ok1 SiMe2(CQ2)n1、Ok1 SiEt2(CQ2)n1、Ok1 SiF2(CQ2)n1、Ok1 SiCl2(CQ2)n1、(CQ2)n1 Ok1 SiMe2、(CQ2)n1 Ok1 SiEt2、(CQ2)n1 Ok1 SiF2、(CQ2)n1 Ok1 SiCl2、Ok1(CQ2)n1 SiMe2、Ok1(CQ2)n1 SiEt2、Ok1(CQ2)n1 SiF2、Ok1(CQ2)n1 SiCl2、(CQ2)n1 SiMe2 Ok1、(CQ2)n1 SiEt2 Ok1、(CQ2)n1 SiF2 Ok1、(CQ2)n1 SiCl2 Ok1、(CH2)n1、CH＝CH、C≡C、O、S、COO、OCO、CF2 O、OCF2、OCOO、CH2 O、CH2 CO、OCH2，以及COCH2所组成之群，其中k1是0或1，Q是H或F，n1是介于0以及3之间的整数；环B是选自由,and所组成之群；环C是选自由,and所组成之群；环D是选自由,and所组成之群，其中该等取代基，被导入环A、环B、环C，或环D，并由L1到L7所代表，系各自独立，即使如果它们具有相同的定义；M是选自C、N，以及Si，具有附带条件为M为N时，L3或L7是零；Z是C；每一个a1、a2，以及a3是各自独立的选自C、NR，以及O；E是选自由SiMe2 Ok2(CQ2)n2、SiEt2 Ok2(CQ2)n2、SiF2 Ok2(CQ2)n2、SiCl2 Ok2(CQ2)n2、SiMe2(CQ2)n2 Ok2、SiEt2(CQ2)n2 Ok2、SiF2(CQ2)n2 Ok2、SiCl2(CQ2)n2 Ok2、Ok2 SiMe2(CQ2)n2、Ok2 SiEt2(CQ2)n2、Ok2 SiF2(CQ2)n2、Ok2 SiCl2(CQ2)n2、(CQ2)n2 Ok2 SiMe2、(CQ2)n2 Ok2 SiEt2、(CQ2)n2 Ok2 SiF2、(CQ2)n2 Ok2 SiCl2、Ok2(CQ2)n2 SiMe2、Ok2(CQ2)n2 SiEt2、Ok2(CQ2)n2 SiF2、Ok2(CQ2)n2 SiCl2、(CQ2)n2 SiMe2 Ok2、(CQ2)n2 SiEt2 Ok2、(CQ2)n2 SiF2 Ok2、(CQ2)n2 SiCl2 Ok2、(CH2)n2、C≡C、O、S、COO、OCO、CF2 O、OCF2、OCOO、CH2 O、CH2 CO、OCH2，以及COCH2所组成之群，其中k2是0或1，Q是H或F，以及n2是介于0以及3之间的整数；R是选自由H、C1~C15烷基、C2~C15烯基，以及烷氧基(R1 O)所组成之群，其中烯基为CH＝CH2、CH＝CHCH3(E,Z)、CH2 CH＝CH2、CH＝CHCH2 CH3(E,Z)、CH2 CH＝CHCH3(E,Z)、CH2 CH2 CH＝CH2、CH＝CHCH2 CH2 CH3(E,Z)、CH2 CH＝CHCH2 CH3(E,Z)、CH2 CH2 CH＝CHCH3(E,Z)，或CH2 CH2 CH2 CH＝CH2；R1是选自由H、C1~C15烷基，以及C2~C15烯基所组成之群，其中该烯基为CH＝CH2、CH＝CHCH3(E,Z)、CH2 CH＝CH2、CH＝CHCH2 CH3 E,Z)、CH2 CH＝CHCH3(E,Z)、CH2 CH2 CH＝CH2、CH＝CHCH2 CH2 CH3(E,Z)、CH2 CH＝CHCH2 CH3(E,Z)、CH2 CH2 CH＝CHCH3(E,Z)，或CH2 CH2 CH2 CH＝CH2；X是选自由H、SiR2 R3 R4、CF3、OCF3、CN、NCS、卤素原子，以及R所组成之群；每一个R2、R3，以及R4是各自独立地选自R以及卤素原子；每一个L1、L2、L3、L4、L5、L6，以及L7是各自独立地选自由H、卤素原子、CN、CF3、OCF3，以及NCS所组成之群；每一个o、p，以及q各自独立地代表介于0以及2之间的整数；以及至少E、A，以及X其中一个包含硅。在此之后，本发明将被更详细的描述。本发明提供一新颖含硅化合物，可以被应用在各式各样的显示设备中、一液晶组成物，实质上包含该含硅化合物，较佳为一负型向列型液晶组成物，以及一使用该上述组成物之液晶显示设备。该含硅化合物的特性为具有低黏度，以及高负(－)型介电系数各方异向性。在低运作电压下，为了操作液晶，高介电系数各方异向性是必须的。根据本发明，该液晶化合物基于该主要分子轴线具有不对称取代基，因此提供高负型介电系数各方异向性。为了得到迅速的液晶反应时间，低黏度是必须的。根据本发明的化合物，经由导入一含硅取代基进入至少一个链接基(A以及E)以及末端基(X)，或该链接基以及末端基两者，而可获得低黏度。此外，根据本发明，是可增进偶极矩(dipole moment)，经由导入一卤素原子，及/或烷基作为氢原子的取代基，其与硅形成一级键，当一含硅取代基被导入至少一个链接基及/或末端基。此增进偶极矩导致增进了介电系数各方异向性，，其受到极化性(polarizability)以及偶极矩极大影响。该本发明的含硅化合物的较佳具体实例由式1所代表，其包含较佳的环B以及环C的举例，被由下述式2~10所代表。然而，本发明的范围并不受限于此。其中Z为C；M为C、N，或Si，具有附带条件为M为N时，L3或L7是零；每一个a1、a2，以及a3是各自独立的选自C、NR，以及O；每一个L1、L2、L3、L4、L5、L6，以及L7为各自独立地选自H、卤素原子、CN、CF3、OCF3，以及NCS；以及A、E、R、X、o、p，以及q与在式1中所定义相同。特别佳的化合物举例由包含下列化合物的式2~10所代表。然而，本发明的范围并不受限于此。其中A是选自由SiOk1(CQ2)n1、Si(CQ2)n1 Ok1、(CQ2)n1 Ok1 Si、(CQ2)n1 SiOk1、Ok1(CQ2)n1 Si，以及Ok1 Si(CQ2)n1所组成之群，以及k1、Q、n1、R、R2、R3、R4、L1、L2、L3、L4、L5、L7、X、M、a1、a2，以及a3与在式1中所定义相同。该由式1所代表的含硅三維同分异构体(stereoisomers)也包含在本发明的范围中。在此，该含硅化合物具有三維同分异构体，在反式时具有较佳的液晶特性。此外，该含硅化合物的三維同分异构体可以在反式异构物：顺式异构物的比例为85~100：15~0，但不限于此。该由式1所代表的新颖含硅化合物是化学的以及热的稳定、是对光稳定，并能构成一介晶相(mesomorphic phase)(中间相(meso－phase))在一所要的温度范围，以便被适当地使用于显示器的应用。根据本发明，该由式1所代表的含硅化合物可以经由一熟悉该项技艺人士一般已知的方法被制备。根据本发明的较佳具体实例，该由式1所代表的含硅化合物可以经由下述反应图1~6被制备。在一个由反应图1所代表的方法具体实例中，以4-n-丙基环己酮进行格里纳反应(Grignard reaction)，接着经由使用TsOH脱水。该产物被用来与n-BuLi反应，以形成一阴离子，其依次与氯硅烷(silyl chloride)衍生物反应。接着，氢化，为了形成反式异构物，较佳的是使用阮尼镍(Raney-Nickel)催化，从而提供一由式11所代表的硅烷液晶化合物，其中环B或环C为1,4-环己基。另外，该反式异构物可以被形成，经由使用Pd/炭氢化，以及再结晶。在一个由反应图2所代表的方法具体实例中，以4-n-丙基环己酮进行格里纳反应，接着经由使用TsOH脱水。然后，该产物经由使用n-BuLi被转换成一阴离子形式，并随后与氯硅烷衍生物反应。如果该与p-四氯苯醌(p-chloranil)反应被用来取代氢化，该由式12所代表的硅烷液晶化合物，其中环B或环C为1,4-苯基，可以获得。在一个由反应图3所代表的方法具体实例中，以4-n-丙基环己酮进行格里纳反应，接着经由使用TsOH脱水。然后，该产物经由使用n-BuLi被转换成一阴离子形式，并随后与氯硅烷衍生物反应。如果该与p-四氯苯醌反应被用来取代氢化，该由式13所代表的硅烷液晶化合物，其中环B或环C为1,4-苯基，可以获得。 [反应图4] 在一个由反应图4所代表的方法具体实例中，Pd偶合反应是较佳的，经由使用硼酸衍生物以提供联苯或三苯基(triphenyl)衍生物，其，依次，经由使用n-BuLi被转换成一阴离子，然后，该产物被与氯硅烷反应，以提供该由式14所代表的硅烷液晶化合物。在一个由反应图5所代表的方法具体实例中，Pd偶合反应是较佳的，经由使用硼酸衍生物以提供联苯或三苯基衍生物，其，依次，经由使用n-BuLi被转换成一阴离子，然后，该产物被与氯硅烷反应，以提供该由式15所代表的硅烷液晶化合物。在一个由反应图6所代表的方法具体实例中，一过量的Me2SiCl2被加入至Mg所形成阴离子，以提供氯硅烷衍生物，其随后可与苯基镁衍生物反应，以提供该由式16所代表的硅烷液晶化合物。除了经由上述反应图1~6获得的化合物之外，经由类似习知的方法获得的化合物，，也包含在本发明的范围中。该所获得等的含硅化合物的，如上所描述，可以需要的比例混合，以提供一液晶组成物。本发明提供一液晶组成物，较佳地一向列型液晶组成物，其包含该由式1所代表的含硅化合物。经由液晶组成物以提供所想要的液晶特性，通常大约5~20种组成份被使用在液晶组成物的组合中。根据本发明，它可能提供一液晶组成物，具有低的驱动电压以及迅速的反应时间，经由使用该由式1所代表的新颖含硅化合物，它可以提供高负型介电系数各方异向性以及降低黏度。虽然没有特别的限制在由式1所代表的化合物的内容中，特别是至少一个化合物，选自由式2~10所代表的含硅化合物所组成之群，以100 wt%的全部液晶组成物为基础，每一个化合物较佳地使用在1~50 wt%的量中。根据本发明的液晶组成物，除了该由式1所代表的含硅化合物之外，可以更进一步包含其他液晶化合物，一般使用在习知的液晶组成物中。此化合物可以被使用在一控制的所需比例中。此外，适当的添加剂也可以被使用，且此添加剂被揭露在[H.Kelker/R.Hatz，液晶手册，Verlag Chemie,Weinheim,1980]中。举例如，添加剂用于调整该介电系数各方异向性、黏度，及/或向列型相的直线可以被使用。该添加剂的特别举例，其可以被使用在本发明的液晶组成物中，包含抑制该螺旋结构并回复该液晶的变形的旋光液晶分子(chiral dopants)、二色性染料(dichroic dyes)等等。根据本发明的液晶组成物可以经由一个熟知该项技艺人士通常熟知的方法被制备。在此方法的一个具体实例中，各式各样的组成份，其构成液晶组成物被溶解在一从室温到高温的温度范围中。并且，本发明提供一液晶显示设备，其包含一从该液晶组成物获得的液晶层。在液晶显示设备中并无特别的限制。该液晶显示设备特别的举例包含显示设备，其需要负型介电系数各方异向性，例如一垂直排列液晶显示设备、超样式(Superpatterned)垂直排列液晶显示设备，或其类似。根据本发明的液晶显示设备可以经由一个熟知该项技艺人士通常熟知的方法被制造。此方法的一个具体实例，一液晶组成物被溶解在一适当的温度，然后引导进入一液晶设备中。该液晶相，溶解如上面所提到的，可以被更改，使它可以被应用于所有形式的液晶显示设备，经由使用适当的添加剂。

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