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1. 发明专利

TWI507431B 環狀烯烴開環聚合物，其氫化物及該氫化物組成物，以及三環戊二烯有权
简体标题：环状烯烃开环聚合物，其氢化物及该氢化物组成物，以及三环戊二烯
公开(公告)号：TWI507431B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100144664
申请日：2011-12-05
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：多田羅了嗣 , TATARA, RYOUJI , 木村優 , KIMURA, YUU , 系見健 , ITOMI, KEN , 神谷育代 , KAMIYA, IKUYO , 海津充孝 , KAIZU, MICHITAKA , 丸山洋一郎 , MARUYAMA, YOUICHIROU , 鈴木義信 , SUZUKI, YOSHINOBU , 中村和洋 , NAKAMURA, KAZUHIRO , 柴田拓 , SHIBATA, HIRAKU , 金山泰三 , KANAYAMA, TAIZO , 菅原哲德 , SUGAWARA, TETSUNORI
IPC分类号： C08F32/08 , C08F8/04
CPC分类号： C07C13/64 , C08G61/08 , C08G2261/3324 , C08G2261/418

2. 发明专利

TWI445712B 金屬氫化物錯合體，環狀烯烴系開環聚合物之氫化方法及環狀烯烴系開環聚合物氫化物之製造方法有权
简体标题：金属氢化物错合体，环状烯烃系开环聚合物之氢化方法及环状烯烃系开环聚合物氢化物之制造方法
公开(公告)号：TWI445712B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW095118555
申请日：2006-05-25
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：勝田耕平 , KATSUDA, KOHEI , 福原誠二 , FUKUHARA, SEIJI , 丸山洋一郎 , MARUYAMA, YOICHIRO , 岡庭求樹 , OKANIWA, MOTOKI , 柴田拓 , SHIBATA, HIRAKU , 諏訪好 , SUWA, YOSHIMI , 梶原一郎 , KAJIWARA, ICHIRO
IPC分类号： C07F9/50 , C07F15/00 , C08G61/08
CPC分类号： C07F15/0053 , C08G61/08

3. 发明专利

TW201707959A 基材的處理方法、暫時固定用組成物及半導體裝置审中-公开
简体标题：基材的处理方法、暂时固定用组成物及半导体设备
公开(公告)号：TW201707959A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105122572
申请日：2016-07-18
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：丸山洋一郎 , MARUYAMA, YOUICHIROU , 森隆 , MORI, TAKASHI , 水野光 , MIZUNO, HIKARU
IPC分类号： B32B7/06 , B32B7/12 , C09J165/00 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304
摘要：本發明提供一種基材的處理方法，其為在經由暫時固定材將基材暫時固定於支撐體上的狀態下進行基材的加工·移動處理的方法，可藉由剝離及/或溶劑清洗而容易地將自支撐體分離基材後殘留於基材上的黏接層去除。本發明的基材的處理方法依次包括：形成積層體的步驟，所述積層體具有支撐體、暫時固定材以及基材，所述暫時固定材為具有與所述基材中的支撐體側的面接觸且由含有選自聚苯并噁唑前驅物及聚苯并噁唑中的至少一種聚合物的組成物形成的暫時固定材層（I）、以及形成於所述層（I）中的支撐體側的面上且含有光吸收劑的暫時固定材層（II）的暫時固定材；對所述基材進行加工，及/或使所述積層體移動的步驟；對所述層（II）照射光的步驟；自所述支撐體分離所述基材的步驟；以及自所述基材去除所述層（I）的步驟。
简体摘要：本发明提供一种基材的处理方法，其为在经由暂时固定材将基材暂时固定于支撑体上的状态下进行基材的加工·移动处理的方法，可借由剥离及/或溶剂清洗而容易地将自支撑体分离基材后残留于基材上的黏接层去除。本发明的基材的处理方法依次包括：形成积层体的步骤，所述积层体具有支撑体、暂时固定材以及基材，所述暂时固定材为具有与所述基材中的支撑体侧的面接触且由含有选自聚苯并恶唑前驱物及聚苯并恶唑中的至少一种聚合物的组成物形成的暂时固定材层（I）、以及形成于所述层（I）中的支撑体侧的面上且含有光吸收剂的暂时固定材层（II）的暂时固定材；对所述基材进行加工，及/或使所述积层体移动的步骤；对所述层（II）照射光的步骤；自所述支撑体分离所述基材的步骤；以及自所述基材去除所述层（I）的步骤。

4. 发明专利

TW201606040A 積層體、基材的處理方法、暫時固定用組成物及半導體裝置审中-公开
简体标题：积层体、基材的处理方法、暂时固定用组成物及半导体设备
公开(公告)号：TW201606040A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104126179
申请日：2015-08-12
申请人： JSR 股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：山口虎彦 , YAMAGUCHI, TORAHIKO , 田村康祐 , TAMURA, KOUSUKE , 松村融 , MATSUMURA, TOORU , 八島啓介 , YAJIMA, KEISUKE , 脇内新樹 , WAKIUCHI, ARAKI , 石井寛之 , ISHII, HIROYUKI , 丸山洋一郎 , MARUYAMA, YOUICHIROU , 猪俣克巳 , INOMATA, KATSUMI
IPC分类号： C09J7/02 , C09J133/06 , H01L21/304
CPC分类号： C08L33/08 , C08F222/10 , C08L33/06 , C09J4/06 , H01L21/6835 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
摘要：本發明提供一種在自支撐體剝離基材時可良好地防止基材破損的基材及藉由暫時固定材料保持支撐體而成的積層體。本發明是一種積層體，其特徵在於：其是具有電路面的基材經由暫時固定材料而暫時固定在支撐體上而成的積層體，所述暫時固定材料具有暫時固定材料層（I）、及暫時固定材料層（II），所述暫時固定材料層（I）是由含有熱塑性樹脂（Ai）、多官能(甲基)丙烯酸酯化合物（Bi）、自由基聚合起始劑（Ci）的暫時固定用組成物（i）形成，所述暫時固定材料層（II）是由含有熱塑性樹脂（Aii）、脫模劑（Dii）的暫時固定用組成物（ii）形成。
简体摘要：本发明提供一种在自支撑体剥离基材时可良好地防止基材破损的基材及借由暂时固定材料保持支撑体而成的积层体。本发明是一种积层体，其特征在于：其是具有电路面的基材经由暂时固定材料而暂时固定在支撑体上而成的积层体，所述暂时固定材料具有暂时固定材料层（I）、及暂时固定材料层（II），所述暂时固定材料层（I）是由含有热塑性树脂（Ai）、多官能(甲基)丙烯酸酯化合物（Bi）、自由基聚合起始剂（Ci）的暂时固定用组成物（i）形成，所述暂时固定材料层（II）是由含有热塑性树脂（Aii）、脱模剂（Dii）的暂时固定用组成物（ii）形成。

5. 发明专利

TW201326246A 環烯烴類開環共聚物审中-公开
简体标题：环烯烃类开环共聚物
公开(公告)号：TW201326246A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101144345
申请日：2012-11-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：神谷育代 , KAMIYA, IKUYO , 庄田良平 , SHOUDA, RYOUHEI , 湊裕二 , MINATO, YUUJI , 多田羅了嗣 , TATARA, RYOUJI , 鈴木理奈 , SUZUKI, RINA , 茂木武志 , MOGI, TAKESHI , 丸山洋一郎 , MARUYAMA, YOUICHIROU
IPC分类号： C08G61/08
摘要：提供一種可同時實現高的光學特性(高折射率、高阿貝數、低雙折射)與優異的樹脂加工性，且具有低透氧性、高力學強度的環烯烴開環共聚物。一種環烯烴類開環共聚物，其包含式(1)及式(2)所表示的重複單元。 m為1~3的整數，p、q分別獨立為0~2的整數，R1~R12分別獨立地表示氫原子、鹵素原子、亦可被鹵素原子取代的碳數為1~4的脂肪族烴基的任意者。
简体摘要：提供一种可同时实现高的光学特性(高折射率、高阿贝数、低双折射)与优异的树脂加工性，且具有低透氧性、高力学强度的环烯烃开环共聚物。一种环烯烃类开环共聚物，其包含式(1)及式(2)所表示的重复单元。 m为1~3的整数，p、q分别独立为0~2的整数，R1~R12分别独立地表示氢原子、卤素原子、亦可被卤素原子取代的碳数为1~4的脂肪族烃基的任意者。

6. 发明专利

TWI664264B 積層體、基材的處理方法、暫時固定用組成物及半導體裝置有权
简体标题：积层体、基材的处理方法、暂时固定用组成物及半导体设备
公开(公告)号：TWI664264B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW104126179
申请日：2015-08-12
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：山口虎彦 , YAMAGUCHI, TORAHIKO , 田村康祐 , TAMURA, KOUSUKE , 松村融 , MATSUMURA, TOORU , 八島啓介 , YAJIMA, KEISUKE , 脇内新樹 , WAKIUCHI, ARAKI , 石井寛之 , ISHII, HIROYUKI , 丸山洋一郎 , MARUYAMA, YOUICHIROU , 猪俣克巳 , INOMATA, KATSUMI
IPC分类号： C09J7/20 , C09J133/06 , H01L21/304

7. 发明专利

TWI599591B 環烯烴類開環共聚物有权
简体标题：环烯烃类开环共聚物
公开(公告)号：TWI599591B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW101144345
申请日：2012-11-27
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：神谷育代 , KAMIYA, IKUYO , 庄田良平 , SHOUDA, RYOUHEI , 湊裕二 , MINATO, YUUJI , 多田羅了嗣 , TATARA, RYOUJI , 鈴木理奈 , SUZUKI, RINA , 茂木武志 , MOGI, TAKESHI , 丸山洋一郎 , MARUYAMA, YOUICHIROU
IPC分类号： C08G61/08

8. 发明专利

TW201229071A 環狀烯烴開環聚合物，其氫化物及該氫化物組成物，以及三環戊二烯审中-公开
简体标题：环状烯烃开环聚合物，其氢化物及该氢化物组成物，以及三环戊二烯
公开(公告)号：TW201229071A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100144664
申请日：2011-12-05
申请人： JSR股份有限公司
发明人：多田羅了嗣 , 木村優 , 系見健 , 神谷育代 , 海津充孝 , 丸山洋一郎 , 鈴木義信 , 中村和洋 , 柴田拓 , 金山泰三 , 菅原哲德
IPC分类号： C08F
CPC分类号： C07C13/64 , C08G61/08 , C08G2261/3324 , C08G2261/418
摘要：本發明係折射率及阿貝(abbe)數高，對溶劑具有溶解性，且可用於光學材料用途之環狀烯烴開環聚合物，及其氫化物，且係可以微區塊分散以橡膠質聚合物為代表之調配劑之其氫化物組成物，該環狀烯烴開環聚合物可藉由使含有環戊二烯之3~5聚物之環狀烯烴單體混合物經開環共聚合獲得，且環戊二烯之3~5聚物含有55%以上之作為幾何異構物(2)之n=1~3之各情況之化合物。
简体摘要：本发明系折射率及阿贝(abbe)数高，对溶剂具有溶解性，且可用于光学材料用途之环状烯烃开环聚合物，及其氢化物，且系可以微区块分散以橡胶质聚合物为代表之调配剂之其氢化物组成物，该环状烯烃开环聚合物可借由使含有环戊二烯之3~5聚物之环状烯烃单体混合物经开环共聚合获得，且环戊二烯之3~5聚物含有55%以上之作为几何异构物(2)之n=1~3之各情况之化合物。

9. 发明专利

TW539695B 交聯用組成物及交聯材料有权
简体标题：交联用组成物及交联材料
公开(公告)号：TW539695B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090124501
申请日：2001-10-04
申请人： JSR股份有限公司
发明人：大昇 , 丸山洋一郎 , 部延行 , 澤田克敏 , 大喜多健三 , 橋口裕一 , 金森太郎 , 金森太郎
IPC分类号： C08G , C08F
CPC分类号： C08G61/08
摘要：一種組成物，包括含有以下化學式(1)及(2)之再現單元之環狀烯烴加成共聚物，及選自下列之至少一化合物：(A)當加熱至50℃或以上時成為酸之化合物，(B)烷氧基化合物、芳氧基化合物、羧基化合物、β-二酮化合物、鹵素化合物、或氧化物之金屬化合物，(C)有機羧酸、有機磷酸、有機磺酸、氨、第一至第三級胺化合物、或第四級氫氧化銨化合物。此組成物展現優異的光學透明度、耐溶劑性、尺寸安定性、耐熱性、及對金屬及無機材料之黏著，且適用於光學透明材料及電子材料零件；一種經由透過矽氧烷鍵交聯組成物而製得之交聯產物；及由此組成物製成之薄膜、片材、或塗層。
简体摘要：一种组成物，包括含有以下化学式(1)及(2)之再现单元之环状烯烃加成共聚物，及选自下列之至少一化合物：(A)当加热至50℃或以上时成为酸之化合物，(B)烷氧基化合物、芳氧基化合物、羧基化合物、β-二酮化合物、卤素化合物、或氧化物之金属化合物，(C)有机羧酸、有机磷酸、有机磺酸、氨、第一至第三级胺化合物、或第四级氢氧化铵化合物。此组成物展现优异的光学透明度、耐溶剂性、尺寸安定性、耐热性、及对金属及无机材料之黏着，且适用于光学透明材料及电子材料零件；一种经由透过硅氧烷键交联组成物而制得之交联产物；及由此组成物制成之薄膜、片材、或涂层。

10. 发明专利

TWI375690B 環狀烯烴系開環共聚物及其用途、以及含該共聚物之相位差板的製造方法有权
简体标题：环状烯烃系开环共聚物及其用途、以及含该共聚物之相位差板的制造方法
公开(公告)号：TWI375690B
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW094112566
申请日：2005-04-20
申请人： JSR股份有限公司
发明人：岡庭求樹 , 梶原一郎 , 諏訪好 , 丸山洋一郎 , 橋口裕一
IPC分类号： C08G , B29C , G02B
CPC分类号： C08G61/06 , B29C55/06 , B29K2023/38
摘要：本發明之環狀烯烴系開環共聚合物，其特徵在於：具有特定之構造單元，DSC之差分熱掃描熱量曲線顯示單波峰，且該波峰之上昇溫度幅為35℃以下，並且玻璃轉移溫度(Tg)為110℃以上。
本發明係可提供一種環狀烯烴系共聚合物，其係耐熱性及光學特性優，可適宜形成膜或薄片，且即使為Tg附近之比較低溫度亦不會產生白濁等之不佳情形下亦可進行延伸。又本發明係可提供一種膜或薄片，其係含有如此之環狀烯烴系共聚合物且光學特性及耐熱性優，在比較低溫度之延伸亦適宜者。進一步地本發明係可提供一種光學特性及耐熱性優，且具有均一之相位差的相位差板及其製造方法。
简体摘要：本发明之环状烯烃系开环共聚合物，其特征在于：具有特定之构造单元，DSC之差分热扫描热量曲线显示单波峰，且该波峰之上升温度幅为35℃以下，并且玻璃转移温度(Tg)为110℃以上。本发明系可提供一种环状烯烃系共聚合物，其系耐热性及光学特性优，可适宜形成膜或薄片，且即使为Tg附近之比较低温度亦不会产生白浊等之不佳情形下亦可进行延伸。又本发明系可提供一种膜或薄片，其系含有如此之环状烯烃系共聚合物且光学特性及耐热性优，在比较低温度之延伸亦适宜者。进一步地本发明系可提供一种光学特性及耐热性优，且具有均一之相位差的相位差板及其制造方法。

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