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1. 发明专利

TW201823394A 化學機械研磨用組成物及化學機械研磨方法审中-公开
简体标题：化学机械研磨用组成物及化学机械研磨方法
公开(公告)号：TW201823394A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106129260
申请日：2017-08-29
申请人： JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：山田裕也 , YAMADA, YUUYA , 西村康平 , NISHIMURA, KOUHEI , 石戶洋太 , ISHITO, YOUTA , 谷恭兵 , SHIBUYA, KYOUHEI , 國谷英一郎 , KUNITANI, EIICHIROU , 野田昌宏 , NODA, MASAHIRO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明之課題為提供一種能夠一邊抑制鈷膜之腐蝕，一邊實現良好之研磨特性之在半導體裝置之製造中有用之化學機械研磨用組成物、以及使用其之化學機械研磨方法。　　作為解決手段，本發明相關之化學機械研磨用組成物之特徵為含有氫硫基介由共價鍵而被固定化於表面之研磨粒與液狀介質。
简体摘要：本发明之课题为提供一种能够一边抑制钴膜之腐蚀，一边实现良好之研磨特性之在半导体设备之制造中有用之化学机械研磨用组成物、以及使用其之化学机械研磨方法。　　作为解决手段，本发明相关之化学机械研磨用组成物之特征为含有氢硫基介由共价键而被固定化于表面之研磨粒与液状介质。

2. 发明专利

TW201821581A 化學機械研磨方法及化學機械研磨用組成物审中-公开
简体标题：化学机械研磨方法及化学机械研磨用组成物
公开(公告)号：TW201821581A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106137846
申请日：2017-11-02
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：國谷英一郎 , KUNITANI, EIICHIROU , 杉江紀彥 , SUGIE, NORIHIKO , 櫛田悠貴 , KUSHIDA, YUUKI , 山田裕也 , YAMADA, YUUYA , 野田昌宏 , NODA, MASAHIRO
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/11 , H01L21/304
摘要：本發明提供可抑制鈷膜之腐蝕並且實現良好研磨特性之半導體裝置之製造中有用之化學機械研磨用組成物及使用其之化學機械研磨方法。　　本發明之化學機械研磨方法包含使用化學機械研磨用組成物研磨含有鈷的面之步驟，前述化學機械研磨用組成物含有研磨粒與分散介質，前述化學機械研磨用組成物中之鈷的自然電位為0～-500mV。
简体摘要：本发明提供可抑制钴膜之腐蚀并且实现良好研磨特性之半导体设备之制造中有用之化学机械研磨用组成物及使用其之化学机械研磨方法。　　本发明之化学机械研磨方法包含使用化学机械研磨用组成物研磨含有钴的面之步骤，前述化学机械研磨用组成物含有研磨粒与分散介质，前述化学机械研磨用组成物中之钴的自然电位为0～-500mV。

3. 发明专利

TW202007757A 化學機械研磨用水系分散體审中-公开
简体标题：化学机械研磨用水系分散体
公开(公告)号：TW202007757A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108128029
申请日：2019-08-07
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：山田裕也 , YAMADA, YUUYA , 國谷英一郎 , KUNITANI, EIICHIROU , 山中達也 , YAMANAKA, TATSUYA
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：本發明提供一種化學機械研磨用水系分散體，其可高速研磨包含鎢及絕緣膜的基板，並且可減低被研磨面中的研磨損傷的產生。本發明的化學機械研磨用水系分散體的一形態含有：（A）在表面具有能夠形成磺酸鹽的基的二氧化矽研磨粒、（B）選自由金屬硝酸鹽及金屬硫酸鹽所組成的群組中的至少一種、以及（C）選自由有機酸及其鹽所組成的群組中的至少一種，且pH值為1以上且6以下。
简体摘要：本发明提供一种化学机械研磨用水系分散体，其可高速研磨包含钨及绝缘膜的基板，并且可减低被研磨面中的研磨损伤的产生。本发明的化学机械研磨用水系分散体的一形态含有：（A）在表面具有能够形成磺酸盐的基的二氧化硅研磨粒、（B）选自由金属硝酸盐及金属硫酸盐所组成的群组中的至少一种、以及（C）选自由有机酸及其盐所组成的群组中的至少一种，且pH值为1以上且6以下。

4. 发明专利

TW202022082A 化學機械研磨用水系分散體及其製造方法、以及化學機械研磨方法审中-公开
简体标题：化学机械研磨用水系分散体及其制造方法、以及化学机械研磨方法
公开(公告)号：TW202022082A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108128648
申请日：2019-08-12
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：國谷英一郎 , KUNITANI, EIICHIROU , 王鵬宇 , WANG, PENGYU , 山田裕也 , YAMADA, YUUYA , 山中達也 , YAMANAKA, TATSUYA
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304 , B24B37/00
摘要：本發明提供一種如下的化學機械研磨用水系分散體及其製造方法，所述化學機械研磨用水系分散體可一面抑制配線材料等的腐蝕，一面高速地研磨包含配線材料、絕緣膜材料及位障金屬材料等多種材料的基板。本發明的化學機械研磨用水系分散體的製造方法包括：步驟（I），於存在三級胺化合物的水系介質中，使矽烷氧化物水解、縮合；步驟（IV），於所述步驟（I）後，進而向所述水系介質中滴加矽烷氧化物，使仄他電位為+1 mV以上且+5 mV以下的膠體二氧化矽研磨粒生長；以及步驟（V），於所述步驟（IV）後，向所述水系介質中添加胺化合物、以及選自由金屬硝酸鹽及金屬硫酸鹽所組成的群組中的至少一種。
简体摘要：本发明提供一种如下的化学机械研磨用水系分散体及其制造方法，所述化学机械研磨用水系分散体可一面抑制配线材料等的腐蚀，一面高速地研磨包含配线材料、绝缘膜材料及位障金属材料等多种材料的基板。本发明的化学机械研磨用水系分散体的制造方法包括：步骤（I），于存在三级胺化合物的水系介质中，使硅烷氧化物水解、缩合；步骤（IV），于所述步骤（I）后，进而向所述水系介质中滴加硅烷氧化物，使仄他电位为+1 mV以上且+5 mV以下的胶体二氧化硅研磨粒生长；以及步骤（V），于所述步骤（IV）后，向所述水系介质中添加胺化合物、以及选自由金属硝酸盐及金属硫酸盐所组成的群组中的至少一种。

5. 发明专利

TW201823393A 化學機械研磨用組成物及化學機械研磨方法审中-公开
简体标题：化学机械研磨用组成物及化学机械研磨方法
公开(公告)号：TW201823393A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106129258
申请日：2017-08-29
申请人：日商JSR股份有限公司 , JSR CORPORATION
发明人：山田裕也 , YAMADA, YUUYA , 國谷英一郎 , KUNITANI, EIICHIROU , 渋谷恭兵 , SHIBUYA, KYOUHEI , 西村康平 , NISHIMURA, KOUHEI , 野田昌宏 , NODA, MASAHIRO
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明之課題為提供一種能夠一邊抑制鈷膜之腐蝕，一邊實現良好之研磨特性之在半導體裝置之製造中有用之化學機械研磨用組成物以及使用其之化學機械研磨方法。　　作為解決手段，本發明相關之化學機械研磨用組成物，其係含有二氧化矽粒子與過氧化物之化學機械研磨用組成物，其特徵為前述二氧化矽粒子之矽醇基密度為3~6個/nm2，將前述二氧化矽粒子之含量作為Ma(質量份)，將前述過氧化物之含量作為Mc(質量份)時，Ma/Mc之值為200以上700以下。
简体摘要：本发明之课题为提供一种能够一边抑制钴膜之腐蚀，一边实现良好之研磨特性之在半导体设备之制造中有用之化学机械研磨用组成物以及使用其之化学机械研磨方法。　　作为解决手段，本发明相关之化学机械研磨用组成物，其系含有二氧化硅粒子与过氧化物之化学机械研磨用组成物，其特征为前述二氧化硅粒子之硅醇基密度为3~6个/nm2，将前述二氧化硅粒子之含量作为Ma(质量份)，将前述过氧化物之含量作为Mc(质量份)时，Ma/Mc之值为200以上700以下。

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