专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW504488B 單晶雙晶圓穿隧式感應器及其製造方法有权
简体标题：单晶双晶圆穿隧式感应器及其制造方法
公开(公告)号：TW504488B
公开(公告)日：2002-10-01
申请号：TW090116340
申请日：2001-07-04
申请人： HRL實驗室LLC , 休格斯電子公司
发明人：古柏那諾道爾 L , 麗特麥可 J , 立諾伊 H 海可特
IPC分类号： B81B
CPC分类号： B81C1/0015 , B81B2201/0292 , B81C2203/036 , H01H59/0009
摘要：本發明係提供一種用以製作微機電切換器(switch)或穿隧式感應器(tunneling sensor)的方法。其方法係於一第一基底(first substrate)或晶圓之上定義出一懸臂束結構(cantilevered beam structure)及一配合結構(mating structure)，並且於一第二基底(second substrate)或晶圓上形成有至少一接觸結構(contact structure)及一配合結構(mating structure)，於該第二基底或晶圓上之該配合結構之形狀係互補於該第一基底或晶圓上之該配合結構之形狀，同時於其中之該配合結構之上形成一結合層，其中，該結合層又以共晶接合層為佳。隨後，將該第一基底或晶圓之該配合結構定位在相對於該第二基底或晶圓之該配合結構的位置上，藉由加壓方式使得該第一、二基底之兩配合結構於其結合層或共晶接合層上相互結合，繼而將該第一基底或晶圓進行移除以釋放該懸臂束結構。
简体摘要：本发明系提供一种用以制作微机电切换器(switch)或穿隧式感应器(tunneling sensor)的方法。其方法系于一第一基底(first substrate)或晶圆之上定义出一悬臂束结构(cantilevered beam structure)及一配合结构(mating structure)，并且于一第二基底(second substrate)或晶圆上形成有至少一接触结构(contact structure)及一配合结构(mating structure)，于该第二基底或晶圆上之该配合结构之形状系互补于该第一基底或晶圆上之该配合结构之形状，同时于其中之该配合结构之上形成一结合层，其中，该结合层又以共晶接合层为佳。随后，将该第一基底或晶圆之该配合结构定位在相对于该第二基底或晶圆之该配合结构的位置上，借由加压方式使得该第一、二基底之两配合结构于其结合层或共晶接合层上相互结合，继而将该第一基底或晶圆进行移除以释放该悬臂束结构。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式