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1. 发明专利

TWI663653B 基底處理方法及通過所述基底處理方法製造的半導體器件有权
简体标题：基底处理方法及通过所述基底处理方法制造的半导体器件
公开(公告)号：TWI663653B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW107112773
申请日：2018-04-13
申请人：荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：柳太熙 , YOO, TAE HEE , 閔允基 , MIN, YOON KI , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/332 , H01L21/768 , H01L27/105

2. 发明专利

TW201803006A 基底支撐板和包含上述的薄膜沈積裝置审中-公开
简体标题：基底支撑板和包含上述的薄膜沉积设备
公开(公告)号：TW201803006A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106108226
申请日：2017-03-14
申请人： ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：劉龍珉 , YOO, YONG MIN , 孫宗源 , SHON, JONG WON , 崔丞佑 , CHOI, SEUNG WOO , 姜東錫 , KANG, DONG SEOK
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6833 , C23C16/04 , C23C16/4404 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/4583 , C23C16/505 , C23C16/5096 , C25D11/022 , C25D11/04 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01L21/6719 , H01L21/68735 , H01L21/68757
摘要：本發明提供一種基底支撐板，其可防止基底的後表面上的沉積且可易於卸載所述基底。所述基底支撐板可包含：基底安裝部分；以及週邊部分，其圍繞所述基底安裝部分，且所述基底安裝部分的頂部表面的邊緣部分可經陽極氧化，且所述基底安裝部分的所述頂部表面的中心部分可不經陽極氧化。
简体摘要：本发明提供一种基底支撑板，其可防止基底的后表面上的沉积且可易于卸载所述基底。所述基底支撑板可包含：基底安装部分；以及周边部分，其围绕所述基底安装部分，且所述基底安装部分的顶部表面的边缘部分可经阳极氧化，且所述基底安装部分的所述顶部表面的中心部分可不经阳极氧化。

3. 发明专利

TWI643292B 形成金屬內連線的方法以及使用該方法製造半導體裝置的方法有权
简体标题：形成金属内连接的方法以及使用该方法制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TWI643292B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106115573
申请日：2017-05-11
申请人： ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：李忠滿 , LEE, CHOONG MAN , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN , 金永宰 , KIM, YOUNG JAE , 千承珠 , CHUN, SEUNG JU , 金仙子 , KIM, SUN JA
IPC分类号： H01L21/768

4. 发明专利

TW201842584A 基底處理方法及通過所述基底處理方法製造的半導體器件审中-公开
简体标题：基底处理方法及通过所述基底处理方法制造的半导体器件
公开(公告)号：TW201842584A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107112773
申请日：2018-04-13
申请人：荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：柳太熙 , YOO, TAE HEE , 閔允基 , MIN, YOON KI , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN
IPC分类号： H01L21/3213 , H01L21/20 , H01L21/332 , H01L21/768 , H01L27/105
摘要：本發明提供一種基底處理方法及通過所述基底處理方法製造的半導體器件，所述基底處理方法可防止在具有臺階式結構的垂直與非器件中選擇性地沉積接地焊盤的製程中沉積在每一臺階上的接地焊盤的厚度不均勻，其包括：將包括絕緣層與犧牲層的堆疊結構堆疊多次；及對所述堆疊結構進行蝕刻以形成臺階式結構，所述臺階式結構具有上表面、下表面及連接所述上表面與下表面的側表面。所述方法亦包括在所述臺階式結構上形成阻擋層；在所述阻擋層上形成罩幕層；通過利用第一蝕刻溶液對所述罩幕層的至少一部分進行蝕刻來暴露出所述阻擋層的至少一部分；及利用第二蝕刻溶液對被暴露出的所述阻擋層進行蝕刻；所述方法還包括利用第三蝕刻溶液對所述罩幕層進行蝕刻。
简体摘要：本发明提供一种基底处理方法及通过所述基底处理方法制造的半导体器件，所述基底处理方法可防止在具有台阶式结构的垂直与非器件中选择性地沉积接地焊盘的制程中沉积在每一台阶上的接地焊盘的厚度不均匀，其包括：将包括绝缘层与牺牲层的堆栈结构堆栈多次；及对所述堆栈结构进行蚀刻以形成台阶式结构，所述台阶式结构具有上表面、下表面及连接所述上表面与下表面的侧表面。所述方法亦包括在所述台阶式结构上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成罩幕层；通过利用第一蚀刻溶液对所述罩幕层的至少一部分进行蚀刻来暴露出所述阻挡层的至少一部分；及利用第二蚀刻溶液对被暴露出的所述阻挡层进行蚀刻；所述方法还包括利用第三蚀刻溶液对所述罩幕层进行蚀刻。

5. 发明专利

TWI698939B 基底處理方法與應用其所製造的半導體裝置有权
简体标题：基底处理方法与应用其所制造的半导体设备
公开(公告)号：TWI698939B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW107113267
申请日：2018-04-19
申请人：荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：柳太熙 , YOO, TAE HEE , 閔允基 , MIN, YOON KI , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L27/105

6. 发明专利

TW201907490A 基底處理方法與應用其所製造的半導體裝置审中-公开
简体标题：基底处理方法与应用其所制造的半导体设备
公开(公告)号：TW201907490A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107113267
申请日：2018-04-19
申请人：荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：柳太熙 , YOO, TAE HEE , 閔允基 , MIN, YOON KI , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/762 , H01L21/768 , H01L27/105
摘要：一種基底處理方法包含將各自包含絕緣層和犧牲層的多個堆疊結構堆疊在彼此上。方法還包含通過蝕刻堆疊結構來產生階梯結構以及在階梯結構的側表面上產生分離層。方法更包含去除犧牲層且在去除犧牲層的空間中產生導電字線結構。分離層提供在導電字線結構之間。
简体摘要：一种基底处理方法包含将各自包含绝缘层和牺牲层的多个堆栈结构堆栈在彼此上。方法还包含通过蚀刻堆栈结构来产生阶梯结构以及在阶梯结构的侧表面上产生分离层。方法更包含去除牺牲层且在去除牺牲层的空间中产生导电字线结构。分离层提供在导电字线结构之间。

7. 发明专利

TW201806081A 形成金屬內連線的方法以及使用該方法製造半導體裝置的方法审中-公开
简体标题：形成金属内连接的方法以及使用该方法制造半导体设备的方法
公开(公告)号：TW201806081A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106115573
申请日：2017-05-11
申请人： ASM知識產權私人控股有限公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：李忠滿 , LEE, CHOONG MAN , 劉龍珉 , YOO, YONG MIN , 金永宰 , KIM, YOUNG JAE , 千承珠 , CHUN, SEUNG JU , 金仙子 , KIM, SUN JA
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/564 , H01L21/02074 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76802 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295
摘要：一種半導體製造方法，包含：沉積低介電常數介電層、在所述低介電常數介電層中形成溝槽、在所述溝槽中形成障壁層、在所述障壁層上填充金屬、使所述金屬平坦化和在經平坦化的所述金屬上形成罩蓋層，其中所述罩蓋層包含至少兩個層。
简体摘要：一种半导体制造方法，包含：沉积低介电常数介电层、在所述低介电常数介电层中形成沟槽、在所述沟槽中形成障壁层、在所述障壁层上填充金属、使所述金属平坦化和在经平坦化的所述金属上形成罩盖层，其中所述罩盖层包含至少两个层。

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