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1. 发明专利

TWI533749B 具有多數個發光單元的發光裝置有权
简体标题：具有多数个发光单元的发光设备
公开(公告)号：TWI533749B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW103112168
申请日：2011-02-24
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：芮暻熙 , YE, KYUNG-HEE , 葛大成 , KAL, DAE-SUNG , 徐源哲 , SEO, WON-CHEOL , 梁暎銀 , YANG, YOUNG-EUN , 李剡劤 , LEE, SUM-GEUN
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/0821 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201429309A 具有多數個發光單元的發光裝置审中-公开
简体标题：具有多数个发光单元的发光设备
公开(公告)号：TW201429309A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW103112168
申请日：2011-02-24
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司 , SEOUL OPTO DEVICE CO., LTD.
发明人：芮暻熙 , YE, KYUNG-HEE , 葛大成 , KAL, DAE-SUNG , 徐源哲 , SEO, WON-CHEOL , 梁暎銀 , YANG, YOUNG-EUN , 李剡劤 , LEE, SUM-GEUN
IPC分类号： H05B33/08
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/0821 , H01L2924/00
摘要：一種發光裝置，其包含：第一列，其包含第一發光單元及第二發光單元；第二列，其包含第三發光單元及第四發光單元；第三列，其包含第五發光單元及第六發光單元；以及第一行，其包含第七發光單元及第八發光單元。
简体摘要：一种发光设备，其包含：第一列，其包含第一发光单元及第二发光单元；第二列，其包含第三发光单元及第四发光单元；第三列，其包含第五发光单元及第六发光单元；以及第一行，其包含第七发光单元及第八发光单元。

3. 发明专利

TW201130165A 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片、其製造方法以及具有分散式布拉格反射器的發光二極體封裝 LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR 审中-公开
简体标题：具有分佈式布拉格反射器的发光二极管芯片、其制造方法以及具有分佈式布拉格反射器的发光二极管封装 LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR
公开(公告)号：TW201130165A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099127122
申请日：2010-08-13
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：李貞勳 , 李剡劤 , 陳相奇 , 慎鎮哲 , 金鐘奎 , 李小羅
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要：本文中揭露一種具有分散式布拉格反射器之發光二極體晶片以及一種具有分散式布拉格反射器之發光二極體封裝。發光二極體晶片包含:基板;發光結構,其定位於基板之上部上且包含插入於第一導電類型半導體層與第二導電類型半導體層之間的活性層;以及分散式布拉格反射器,其反射自發光結構發射之光。所述分散式布拉格反射器對藍色波長範圍中的第一波長之光、綠色波長範圍中的第二波長之光以及紅色波長範圍中的第三波長之光具有90%或90%以上之反射率。
简体摘要：本文中揭露一种具有分佈式布拉格反射器之发光二极管芯片以及一种具有分佈式布拉格反射器之发光二极管封装。发光二极管芯片包含:基板;发光结构,其定位于基板之上部上且包含插入于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的活性层;以及分佈式布拉格反射器,其反射自发光结构发射之光。所述分佈式布拉格反射器对蓝色波长范围中的第一波长之光、绿色波长范围中的第二波长之光以及红色波长范围中的第三波长之光具有90%或90%以上之反射率。

4. 发明专利

TW201214780A 具有分佈式布拉格反射鏡的發光二極體晶片以及其製造方法 LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有分布式布拉格反射镜的发光二极管芯片以及其制造方法 LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING DISTRIBUTED BRAGG REFLECTOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201214780A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100104554
申请日：2011-02-11
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：李剡劤 , 陳相奇 , 慎鎮哲 , 金鐘奎 , 李小羅
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之示範性實施例揭露一種發光二極體晶片，包括：具有第一表面與第二表面的基底；配置在基底的第一表面上的發光結構，此發光結構包括配置在第一導電型半導體層及第二導電型半導體層之間的主動層；配置在基底的第二表面上的分佈式布拉格反射鏡，此分佈式布拉格反射鏡反射由發光結構發出的光；以及配置在此分佈式布拉格反射鏡上的金屬層。此分佈式布拉格反射鏡對於在藍光波長範圍中的第一波長的光、在綠光波長範圍中的第二波長的光及在紅光波長範圍中的第三波長的光具有至少90%的反射率。
简体摘要：本发明之示范性实施例揭露一种发光二极管芯片，包括：具有第一表面与第二表面的基底；配置在基底的第一表面上的发光结构，此发光结构包括配置在第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间的主动层；配置在基底的第二表面上的分布式布拉格反射镜，此分布式布拉格反射镜反射由发光结构发出的光；以及配置在此分布式布拉格反射镜上的金属层。此分布式布拉格反射镜对于在蓝光波长范围中的第一波长的光、在绿光波长范围中的第二波长的光及在红光波长范围中的第三波长的光具有至少90%的反射率。

5. 发明专利

TW201146077A 具有多數個發光單元的發光裝置 LIGHT EMITTING DEVICE HAVING A PLURALITY OF LIGHT EMITTING CELLS 审中-公开
简体标题：具有多数个发光单元的发光设备 LIGHT EMITTING DEVICE HAVING A PLURALITY OF LIGHT EMITTING CELLS
公开(公告)号：TW201146077A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100106225
申请日：2011-02-24
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：芮暻熙 , 葛大成 , 徐源哲 , 梁暎銀 , 李剡劤
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/0821 , H01L2924/00
摘要：一種發光裝置,包含至少三對半波發光單位,每一對包含連接至第二半波發光單位之端子的第一半波發光單位之端子,端子具有相同極性,一半波發光單位對之連接端子之極性與鄰近半波發光單位之連接端子之極性相反。亦包含各連接至鄰近之半波發光單位對的至少兩全波發光單位。半波發光單位及全波發光單位各具有至少一發光單元,半波發光單位各具有第一及第二端子,全波發光單位各具有與第一端子相同極性之第三端子及與第二端子相同極性之第四端子,每一全波發光單位之第三端子連接至鄰近半波發光單位之第二端子,每一半波發光單位之第四端子連接至鄰近半波發光單位之第一端子。
简体摘要：一种发光设备,包含至少三对半波发光单位,每一对包含连接至第二半波发光单位之端子的第一半波发光单位之端子,端子具有相同极性,一半波发光单位对之连接端子之极性与邻近半波发光单位之连接端子之极性相反。亦包含各连接至邻近之半波发光单位对的至少两全波发光单位。半波发光单位及全波发光单位各具有至少一发光单元,半波发光单位各具有第一及第二端子,全波发光单位各具有与第一端子相同极性之第三端子及与第二端子相同极性之第四端子,每一全波发光单位之第三端子连接至邻近半波发光单位之第二端子,每一半波发光单位之第四端子连接至邻近半波发光单位之第一端子。

6. 发明专利

TW201131835A 發光元件及其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201131835A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099143755
申请日：2010-12-14
申请人：首爾OPTO儀器股份有限公司
发明人：徐源哲 , 李剡劤
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247
摘要：揭露內容為一種發光元件及其製造方法。此發光元件包括:基底、第一及第二發光單元與連接層。每一個第一及第二發光單元包含第一導電型上半導體層、主動層、第二導電型下半導體層及孔洞。孔洞透過第二導電型下半導體層及主動層而形成以暴露第一導電型上半導體層,連接層位在第一及第二發光單元之間,並將第一發光單元及第二發光單元互相電性連接。孔洞分別位在第一及第二發光單元的中央區域,而連接層將第一發光單元的第二導電型下半導體層電性連接至暴露在第二發光單元的孔洞中的第一導電型上半導體層。因連接層位在基底與發光單元之間,其可能藉連接層而防止光的散失。此外,因孔洞位在發光單元之中央區域,連接層可連接在第一導電型上半導體層的中央區域上,藉此允許電流散佈到發光單元的廣域上。
简体摘要：揭露内容为一种发光组件及其制造方法。此发光组件包括:基底、第一及第二发光单元与连接层。每一个第一及第二发光单元包含第一导电型上半导体层、主动层、第二导电型下半导体层及孔洞。孔洞透过第二导电型下半导体层及主动层而形成以暴露第一导电型上半导体层,连接层位在第一及第二发光单元之间,并将第一发光单元及第二发光单元互相电性连接。孔洞分别位在第一及第二发光单元的中央区域,而连接层将第一发光单元的第二导电型下半导体层电性连接至暴露在第二发光单元的孔洞中的第一导电型上半导体层。因连接层位在基底与发光单元之间,其可能藉连接层而防止光的散失。此外,因孔洞位在发光单元之中央区域,连接层可连接在第一导电型上半导体层的中央区域上,借此允许电流散布到发光单元的广域上。

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