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1. 发明专利

TW201525207A 製造多晶矽的裝置审中-公开
简体标题：制造多晶硅的设备
公开(公告)号：TW201525207A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103140267
申请日：2014-11-20
申请人：韓化石油化學公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：朴奎學 , PARK, KYU HAK , 朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 朴濟城 , PARK, JEA SUNG , 李熙東 , LEE, HEE DONG
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/12
CPC分类号： C01B33/035 , B01J19/087 , B01J2219/0809 , B01J2219/0815 , B01J2219/0828 , B01J2219/0837
摘要：提供一種使用化學氣相沉積而用於製造多晶矽的裝置。用於製造多晶矽的裝置包括：包括基底和反應器蓋的反應室；經由絕緣元件穿過基底而設置並與電源連接的至少一對電極；與電極對經由電極夾盤耦合且上端相互連接的至少一對極絲；以及蓋組件，其包括位在基底上圍繞電極對中各自的一側和上表面的電極蓋，與覆蓋電極蓋上表面的遮蓋。
简体摘要：提供一种使用化学气相沉积而用于制造多晶硅的设备。用于制造多晶硅的设备包括：包括基底和反应器盖的反应室；经由绝缘组件穿过基底而设置并与电源连接的至少一对电极；与电极对经由电极夹盘耦合且上端相互连接的至少一对极丝；以及盖组件，其包括位在基底上围绕电极对中各自的一侧和上表面的电极盖，与覆盖电极盖上表面的遮盖。

2. 发明专利

TWI542742B 用於生產多晶矽的化學氣相沉積反應器有权
简体标题：用于生产多晶硅的化学气相沉积反应器
公开(公告)号：TWI542742B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103133807
申请日：2014-09-29
申请人：韓化石油化學公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：李熙東 , LEE, HEE DONG , 朴奎學 , PARK, KYU HAK , 朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 朴濟城 , PARK, JEA SUNG
IPC分类号： C30B28/14 , C30B29/06 , C23C16/455 , C23C16/24 , C01B33/02
CPC分类号： C23C16/4418 , C01B33/035 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/0262

3. 发明专利

TWI542743B 製造多晶矽的裝置有权
简体标题：制造多晶硅的设备
公开(公告)号：TWI542743B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW103140267
申请日：2014-11-20
申请人：韓化石油化學公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：朴奎學 , PARK, KYU HAK , 朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 朴濟城 , PARK, JEA SUNG , 李熙東 , LEE, HEE DONG
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/12
CPC分类号： C01B33/035 , B01J19/087 , B01J2219/0809 , B01J2219/0815 , B01J2219/0828 , B01J2219/0837

4. 发明专利

TW201522724A 用於生產多晶矽的化學氣相沉積反應器审中-公开
简体标题：用于生产多晶硅的化学气相沉积反应器
公开(公告)号：TW201522724A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103133807
申请日：2014-09-29
申请人：韓化石油化學公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：李熙東 , LEE, HEE DONG , 朴奎學 , PARK, KYU HAK , 朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 朴濟城 , PARK, JEA SUNG
IPC分类号： C30B28/14 , C30B29/06 , C23C16/455 , C23C16/24 , C01B33/02
CPC分类号： C23C16/4418 , C01B33/035 , C23C16/24 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要：本發明致力於提供一種在整個製造多晶矽的生產方法過程中，具有支撐矽棒的支撐物，而用於生產多晶矽的化學汽相沉積反應器。根據本發明例示性的實施例中，製造多晶矽的化學氣相沉積反應器包括：供反應性氣體注入和排出的反應器；安排成位在反應器的底部的多個電極夾盤，以固定由矽沉積在複數個矽絲上所生成的多個矽棒；安排成互連兩個相鄰矽絲的至少兩個矽橋；以及一個支撐物，安排成將兩個矽橋一側的矽絲連接到兩個矽橋另一側的矽絲。
简体摘要：本发明致力于提供一种在整个制造多晶硅的生产方法过程中，具有支撑硅棒的支撑物，而用于生产多晶硅的化学汽相沉积反应器。根据本发明例示性的实施例中，制造多晶硅的化学气相沉积反应器包括：供反应性气体注入和排出的反应器；安排成位在反应器的底部的多个电极夹盘，以固定由硅沉积在复数个硅丝上所生成的多个硅棒；安排成互连两个相邻硅丝的至少两个硅桥；以及一个支撑物，安排成将两个硅桥一侧的硅丝连接到两个硅桥另一侧的硅丝。

5. 发明专利

TWI616564B 多晶矽製造裝置有权
简体标题：多晶硅制造设备
公开(公告)号：TWI616564B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105129095
申请日：2016-09-08
申请人：韓華化學股份有限公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 金知雄 , KIM, JIWOONG , 李熙東 , LEE, HEE DONG
IPC分类号： C30B28/14 , C30B29/06

6. 发明专利

TWI605871B 多晶矽製造裝置有权
简体标题：多晶硅制造设备
公开(公告)号：TWI605871B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105127471
申请日：2016-08-26
申请人：韓華化學股份有限公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 李熙東 , LEE, HEE DONG , 金知雄 , KIM, JIWOONG
IPC分类号： B01J19/08 , C23C16/24
CPC分类号： B01J19/08 , C23C16/24

7. 发明专利

TW201718084A 多晶矽製造裝置审中-公开
简体标题：多晶硅制造设备
公开(公告)号：TW201718084A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105127471
申请日：2016-08-26
申请人：韓華化學股份有限公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 李熙東 , LEE, HEE DONG , 金知雄 , KIM, JIWOONG
IPC分类号： B01J19/08 , C23C16/24
CPC分类号： B01J19/08 , C23C16/24
摘要：本發明提供一種多晶矽製造裝置，其可藉由冷卻設置有棒狀電橋的矽棒的上部而避免在整體化學氣相沈積反應製程中有爆米花結構的產生。本發明一例示性實施例之多晶矽製造裝置包括：反應器，配置於基底上，並形成反應腔；一對引線，配置於基底中，並延伸至反應腔中；複數個棒狀絲極，配置於反應腔中之引線中，並透過棒狀電橋於棒狀絲極的上端相互連接棒狀絲極，且多晶矽的矽棒係藉由化學氣相沈積製程由原料氣體形成於棒狀絲極處；以及冷卻噴嘴，用以噴灑冷卻氣體至沉積於棒狀電橋與棒狀絲極周圍的矽所形成的矽棒。
简体摘要：本发明提供一种多晶硅制造设备，其可借由冷却设置有棒状电桥的硅棒的上部而避免在整体化学气相沉积反应制程中有爆米花结构的产生。本发明一例示性实施例之多晶硅制造设备包括：反应器，配置于基底上，并形成反应腔；一对引线，配置于基底中，并延伸至反应腔中；复数个棒状丝极，配置于反应腔中之引线中，并透过棒状电桥于棒状丝极的上端相互连接棒状丝极，且多晶硅的硅棒系借由化学气相沉积制程由原料气体形成于棒状丝极处；以及冷却喷嘴，用以喷洒冷却气体至沉积于棒状电桥与棒状丝极周围的硅所形成的硅棒。

8. 发明专利

TW201716650A 多晶矽製造裝置审中-公开
简体标题：多晶硅制造设备
公开(公告)号：TW201716650A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105129095
申请日：2016-09-08
申请人：韓華化學股份有限公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 金知雄 , KIM, JIWOONG , 李熙東 , LEE, HEE DONG
IPC分类号： C30B28/14 , C30B29/06
摘要：提供一種多晶矽製造裝置包括一反應器，設置於一底板上以形成一反應室。一對電性饋通件，設置於底板上並延伸至反應室內。複數個棒狀絲，設置於電性饋通件上並位於反應室內，棒狀絲之上端的藉由一棒狀橋相互連接，並經化學氣相沉積自一進氣口通入之一源氣體來形成一矽棒。一冷卻套，插入位於反應器上側之一通孔並受底板所支撐，冷卻套連接至形成於底板上的一出氣口並藉由形成一氣體通道而將反應後的氣體排出，以及藉由在氣體通道外形成一冷卻劑通道，以從反應器外將一低溫冷卻劑通入及循環至冷卻劑通道，並將一高溫冷卻劑排出至反應器外。
简体摘要：提供一种多晶硅制造设备包括一反应器，设置于一底板上以形成一反应室。一对电性馈通件，设置于底板上并延伸至反应室内。复数个棒状丝，设置于电性馈通件上并位于反应室内，棒状丝之上端的借由一棒状桥相互连接，并经化学气相沉积自一进气口通入之一源气体来形成一硅棒。一冷却套，插入位于反应器上侧之一通孔并受底板所支撑，冷却套连接至形成于底板上的一出气口并借由形成一气体信道而将反应后的气体排出，以及借由在气体信道外形成一冷却剂信道，以从反应器外将一低温冷却剂通入及循环至冷却剂信道，并将一高温冷却剂排出至反应器外。

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