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1. 发明专利

TWI651768B 使基材穩定化之方法以及執行該方法之機器有权
简体标题：使基材稳定化之方法以及运行该方法之机器
公开(公告)号：TWI651768B
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：TW105104749
申请日：2016-02-18
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 史皮傑佑漢 , SPIEGEL, YOHANN , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01L21/265

2. 发明专利

TW202027277A 用於改善碳化矽上ＭＯＳＦＥＴ通道中載子遷移率的裝置审中-公开
简体标题：用于改善碳化硅上ＭＯＳＦＥＴ信道中载子迁移率的设备
公开(公告)号：TW202027277A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108132566
申请日：2019-09-10
申请人：法商離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES , 高等科學研究委員會 , CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT , 加狄諾菲力普 , GODIGNON, PHILIPPE
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/12
摘要：本發明涉及設置在基板(10)上的MOSFET裝置，包括分別被第一和第二觸點(13)及(15)覆蓋的第一和第二重摻雜條帶(11)及(14)，此二條帶被通道(18)隔開，通道(18)也出現在基板(10)上，通道被介電層(20)覆蓋，介電層(20)被第三觸點(21)覆蓋。本裝置的顯著之處在於，通道(18)在與介電層(20)的介面處混合有輕摻雜與通道相同類型的摻雜劑原子的薄膜(19)，摻雜劑原子分布在介面的兩側。
简体摘要：本发明涉及设置在基板(10)上的MOSFET设备，包括分别被第一和第二触点(13)及(15)覆盖的第一和第二重掺杂条带(11)及(14)，此二条带被信道(18)隔开，信道(18)也出现在基板(10)上，信道被介电层(20)覆盖，介电层(20)被第三触点(21)覆盖。本设备的显着之处在于，信道(18)在与介电层(20)的界面处混合有轻掺杂与信道相同类型的掺杂剂原子的薄膜(19)，掺杂剂原子分布在界面的两侧。

3. 发明专利

TW201401326A 用於以低壓法的電漿浸沒模式來植入離子的機器审中-公开
简体标题：用于以低压法的等离子浸没模式来植入离子的机器
公开(公告)号：TW201401326A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW101121915
申请日：2012-06-19
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/02
摘要：本發明設置離子植入機器，包含：封閉體(ENV)，其係連接到泵裝置(VAC)；負極性(HT)基板載體(PPS)，其係配置在該封閉體(ENV)內部；以及電漿饋送裝置(AP)，係為延伸在開始段和終點段之間的一般圓柱形本體的形式，裝置具有設置有離子化單元(BC1、ANT1)之主室(PR)；該主室(PR)係設置有氣體傳送口(ING)；以及該主室的最後段(CL)係設置有落差損失裝置，用以產生有關該本體(AP)的壓降。而且，該電漿饋送裝置(AP)亦包括輔助室(AUX)，係設置為超出該最後段之外，在該終點段中該輔助室打開到該封閉體(ENV)內。
简体摘要：本发明设置离子植入机器，包含：封闭体(ENV)，其系连接到泵设备(VAC)；负极性(HT)基板载体(PPS)，其系配置在该封闭体(ENV)内部；以及等离子馈送设备(AP)，系为延伸在开始段和终点段之间的一般圆柱形本体的形式，设备具有设置有离子化单元(BC1、ANT1)之主室(PR)；该主室(PR)系设置有气体发送口(ING)；以及该主室的最后段(CL)系设置有落差损失设备，用以产生有关该本体(AP)的压降。而且，该等离子馈送设备(AP)亦包括辅助室(AUX)，系设置为超出该最后段之外，在该终点段中该辅助室打开到该封闭体(ENV)内。

4. 发明专利

TWI587348B 用於以低壓法的電漿浸沒模式來植入離子的機器有权
简体标题：用于以低压法的等离子浸没模式来植入离子的机器
公开(公告)号：TWI587348B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW101121915
申请日：2012-06-19
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01J37/30 , H01J37/02

5. 发明专利

TWI532085B 用於離子植入機之控制模組有权
简体标题：用于离子植入机之控制模块
公开(公告)号：TWI532085B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW101136688
申请日：2012-10-04
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/67 , H05H1/36 , H05H1/38 , H05H1/54
CPC分类号： H01J37/243 , G01R19/0061 , H01J37/32174 , H01J37/32311 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32917 , H01J37/32972

6. 发明专利

TWI521638B 包括靜電基材載具之支撐件有权
简体标题：包括静电基材载具之支撑件
公开(公告)号：TWI521638B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW101147474
申请日：2012-12-14
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/48 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833

7. 发明专利

TWI634225B 控制在電漿浸入中操作佈植機的方法及用於偏壓佈植機的電源有权
简体标题：控制在等离子浸入中操作布植机的方法及用于偏压布植机的电源
公开(公告)号：TWI634225B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW105140476
申请日：2016-12-07
申请人：法商離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： C23C14/48 , H01J37/32 , H01L21/223

8. 发明专利

TW201734243A 控制在電漿浸入中操作佈植機的方法审中-公开
简体标题：控制在等离子浸入中操作布植机的方法
公开(公告)号：TW201734243A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105140476
申请日：2016-12-07
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： C23C14/48 , H01J37/32 , H01L21/223
CPC分类号： H01J37/32412 , C23C14/48 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32706 , H01J37/32871 , H01L21/2236
摘要：本發明係有關於控制操作在電漿浸入之佈植機的方法，所述方法包含：-佈植階段[1]，在期間電漿(AP)被點燃並且基板被負偏壓(S)；-中和階段[2]，在期間電漿(AP)被點燃並且基板具有正或零偏壓(S)施加其上；-抑制階段[3]，在期間電漿(AP)被熄滅；以及-排出階段[4]，其用於從基板排出帶負電荷的粒子並在期間熄滅電漿(AP)。所述方法顯著的地方在於排出階段的持續時間長於5μs。本發明還提供偏壓佈植機的電源。
简体摘要：本发明系有关于控制操作在等离子浸入之布植机的方法，所述方法包含：-布植阶段[1]，在期间等离子(AP)被点燃并且基板被负偏压(S)；-中和阶段[2]，在期间等离子(AP)被点燃并且基板具有正或零偏压(S)施加其上；-抑制阶段[3]，在期间等离子(AP)被熄灭；以及-排出阶段[4]，其用于从基板排出带负电荷的粒子并在期间熄灭等离子(AP)。所述方法显着的地方在于排出阶段的持续时间长于5μs。本发明还提供偏压布植机的电源。

9. 发明专利

TW201349382A 包括靜電基材載具之支撐件审中-公开
简体标题：包括静电基材载具之支撑件
公开(公告)号：TW201349382A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101147474
申请日：2012-12-14
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/48 , H01L21/67069 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833
摘要：本發明提供一種支撐件，其包含：一被導電地偏壓的桌台；一圓筒形式絕緣的靜電基材載具(20)，其具有一肩部(21)，該基材載具(20)的底面係面向該被偏壓的桌台且其頂面(22)提供一承載平面其被設計來接納基材；及一導電的夾緊套環，用來將該肩部(21)抵靠著該被偏壓的桌台夾緊。該支撐件亦具有至少一導電元件(201，202，203)，用來將該承載平面連接至該肩部(211)。
简体摘要：本发明提供一种支撑件，其包含：一被导电地偏压的桌台；一圆筒形式绝缘的静电基材载具(20)，其具有一肩部(21)，该基材载具(20)的底面系面向该被偏压的桌台且其顶面(22)提供一承载平面其被设计来接纳基材；及一导电的夹紧套环，用来将该肩部(21)抵靠着该被偏压的桌台夹紧。该支撑件亦具有至少一导电组件(201，202，203)，用来将该承载平面连接至该肩部(211)。

10. 发明专利

TW201334037A 用於離子植入機之控制模組审中-公开
简体标题：用于离子植入机之控制模块
公开(公告)号：TW201334037A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101136688
申请日：2012-10-04
申请人：離子束科技公司 , ION BEAM SERVICES
发明人：托瑞葛洛沙法蘭克 , TORREGROSA, FRANK , 洛克斯羅倫 , ROUX, LAURENT
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/67 , H05H1/36 , H05H1/38 , H05H1/54
CPC分类号： H01J37/243 , G01R19/0061 , H01J37/32174 , H01J37/32311 , H01J37/32412 , H01J37/32422 , H01J37/32917 , H01J37/32972
摘要：本發明涉及一種用於離子植入機的控制模組，具有電源供應，此電源供應包含：發電機(HT)，具有其正極連接到地；第一開關(SW1)，具有其連接到發電機(HT)的負極之第一極和其連接到電源供應的出口端子(S)之第二極；第二開關(SW2)，具有其連接到出口端子(S)之第一極，和具有其連接到中性化端子(N)之第二極；此控制模組亦包含用於測量第二開關(SW2)的第二極和中性化端子(N)之間流動的電流之電流測量電路(AMP)。本發明亦提供一種具有本控制模組之離子植入機。
简体摘要：本发明涉及一种用于离子植入机的控制模块，具有电源供应，此电源供应包含：发电机(HT)，具有其正极连接到地；第一开关(SW1)，具有其连接到发电机(HT)的负极之第一极和其连接到电源供应的出口端子(S)之第二极；第二开关(SW2)，具有其连接到出口端子(S)之第一极，和具有其连接到中性化端子(N)之第二极；此控制模块亦包含用于测量第二开关(SW2)的第二极和中性化端子(N)之间流动的电流之电流测量电路(AMP)。本发明亦提供一种具有本控制模块之离子植入机。

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