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1. 发明专利

TWI513052B 發光模組有权
简体标题：发光模块
公开(公告)号：TWI513052B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102132620
申请日：2013-09-10
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：宋佳明 , SUNG, CHIAMING , 李育群 , LEE, YUCHUN
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/62 , H01L24/14 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

2. 发明专利

TWI509841B 發光二極體封裝結構有权
简体标题：发光二极管封装结构
公开(公告)号：TWI509841B
公开(公告)日：2015-11-21
申请号：TW102120746
申请日：2013-06-11
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：楊立誠 , YANG, LICHENG , 李育群 , LEE, YUCHUN
IPC分类号： H01L33/48
CPC分类号： H01L33/58 , G02F1/15 , G02F1/157 , G02F2001/1515 , G02F2202/04 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014

3. 发明专利

TWI489661B 發光裝置有权
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TWI489661B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101125878
申请日：2012-07-18
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：盧昱昕 , LU, YU SHIN , 李育群 , LEE, YU CHUN
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/50

4. 发明专利

TW201239261A 光源裝置 LIGHT SOURCE APPARATUS 审中-公开
简体标题：光源设备 LIGHT SOURCE APPARATUS
公开(公告)号：TW201239261A
公开(公告)日：2012-10-01
申请号：TW100110395
申请日：2011-03-25
申请人：隆達電子股份有限公司
发明人：宋佳明 , 陳富鑫 , 陳偉安 , 李育群 , 田運宜 , 陳怡君
IPC分类号： F21V , H01L
摘要：一種光源裝置,包括一透光殼體、一發光元件以及一波長轉換體。透光殼體具有一第一容置空間與一第一開口。發光元件裝設於透光殼體上並位於第一容置空間內,且發光元件於第一容置空間內提供一第一光束。波長轉換體係可移動地通過第一開口而進入或離開第一容置空間內。發光元件所提供的第一光束在傳遞至波長轉換體時,第一光束會被波長轉換體轉換成一第二光束,且第二光束會通過透光殼體出射於透光殼體外,其中第二光束為一可見光光束。
简体摘要：一种光源设备,包括一透光壳体、一发光组件以及一波长转换体。透光壳体具有一第一容置空间与一第一开口。发光组件装设于透光壳体上并位于第一容置空间内,且发光组件于第一容置空间内提供一第一光束。波长转换体系可移动地通过第一开口而进入或离开第一容置空间内。发光组件所提供的第一光束在传递至波长转换体时,第一光束会被波长转换体转换成一第二光束,且第二光束会通过透光壳体出射于透光壳体外,其中第二光束为一可见光光束。

5. 实用新型

TWM408713U 色變沙漏 COLOUR-CHANGING HOURGLASS 失效
简体标题：色变沙漏 COLOUR-CHANGING HOURGLASS
公开(公告)号：TWM408713U
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW100204487
申请日：2011-03-14
申请人：隆達電子股份有限公司
发明人：宋佳明 , 廖振淳 , 李育群 , 王能誠 , 陳怡君
IPC分类号： G04F
摘要：一種色變沙漏，包括一供電座體、一漏瓶、一流量控制器以及一第一發光元件。漏瓶係可拆卸地安裝於供電座體上。漏瓶具有一第一容置槽與一第二容置槽，其中漏瓶內盛裝有一光激發流體。流量控制器設置於第一容置槽與第二容置槽之間並連通第一容置槽與第二容置槽。第一發光元件設置於第一容置槽的一底部。
简体摘要：一种色变沙漏，包括一供电座体、一漏瓶、一流量控制器以及一第一发光组件。漏瓶系可拆卸地安装于供电座体上。漏瓶具有一第一容置槽与一第二容置槽，其中漏瓶内盛装有一光激发流体。流量控制器设置于第一容置槽与第二容置槽之间并连通第一容置槽与第二容置槽。第一发光组件设置于第一容置槽的一底部。

6. 发明专利

TW202030310A 鈣鈦礦奈米發光晶體、發光裝置與鈣鈦礦奈米發光晶體的製造方法审中-公开
简体标题：钙钛矿奈米发光晶体、发光设备与钙钛矿奈米发光晶体的制造方法
公开(公告)号：TW202030310A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108105875
申请日：2019-02-21
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：包真 , BAO, ZHEN , 曾于芮 , TSENG, YU JUI , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 童鴻鈞 , TONG, HUNG CHUN , 王宏嘉 , WANG, HUNG CHIA , 李育群 , LEE, YU CHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG
IPC分类号： C09K11/66 , B82Y20/00 , B82Y40/00
摘要：一種鈣鈦礦奈米發光晶體具有以下化學式：Cs4BX6，其中B包含選自由Ge、Pb、Sn、Sb、Bi、Cu與Mn所組成之群組中的一種或多種，且X包含選自由Cl、Br及I所組成之群組中的一種或多種，其中Cs4BX6奈米發光晶體為純相且Cs與B之元素莫耳比值(Cs/B)為大於1且小於4。
简体摘要：一种钙钛矿奈米发光晶体具有以下化学式：Cs4BX6，其中B包含选自由Ge、Pb、Sn、Sb、Bi、Cu与Mn所组成之群组中的一种或多种，且X包含选自由Cl、Br及I所组成之群组中的一种或多种，其中Cs4BX6奈米发光晶体为纯相且Cs与B之元素莫耳比值(Cs/B)为大于1且小于4。

7. 发明专利

TWI635622B 發光結構、燈具及背光模組有权
简体标题：发光结构、灯具及背光模块
公开(公告)号：TWI635622B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104118794
申请日：2015-06-10
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：陳靜儀 , CHEN, CHINGYI , 童鴻鈞 , TONG, HUNGCHUN , 楊立誠 , YANG, LICHENG , 戴文婉 , TAI, WENWAN , 李育群 , LEE, YUCHUN , 蔡宗良 , TSAI, TZONGLIANG
IPC分类号： H01L33/08 , C09K11/06 , F21S2/00 , G02F1/13357

8. 发明专利

TWI613275B 量子點複合材料及其製造方法與應用有权
简体标题：量子点复合材料及其制造方法与应用
公开(公告)号：TWI613275B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105132612
申请日：2016-10-07
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：王宏嘉 , WANG, HUNG CHIA , 張學杰 , ZHANG, XUE-JIE , 林欣穎 , LIN, SHIN YING , 湯安慈 , TANG, AN CIH , 劉如熹 , LIU, RU SHI , 蔡宗良 , TSAI, TZONG LIANG , 李育群 , LEE, YU CHUN , 陳靜儀 , CHEN, CHING YI , 童鴻鈞 , TONG, HUNG CHUN
IPC分类号： C09K11/66 , C09K11/02 , H01L33/50

9. 发明专利

TWI581466B 發光二極體晶片結構及發光二極體元件有权
简体标题：发光二极管芯片结构及发光二极管组件
公开(公告)号：TWI581466B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW102101652
申请日：2013-01-16
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：陳富鑫 , CHEN, FUSHIN , 楊立誠 , YANG, LICHENG , 李育群 , LEE, YUCHUN
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/50

10. 发明专利

TW201405887A 發光裝置审中-公开
简体标题：发光设备
公开(公告)号：TW201405887A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101125878
申请日：2012-07-18
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORPORATION
发明人：盧昱昕 , LU, YU SHIN , 李育群 , LEE, YU CHUN
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/50
摘要：發光裝置包括基座、發光二極體、波長轉換層、蓋體及反射裝置。發光二極體位於基座的底部上，用以發射出第一波長光線。波長轉換層位於基座的底部且環繞著發光二極體。蓋體覆蓋容置空間。反射裝置連接於蓋體且位於基座的容置空間中之發光二極體的上方。部分第一波長光線被反射裝置反射至波長轉換層，並轉換產生第二波長光線，而剩餘的第一波長光線再與第二波長光線混合組成一預期光色。
简体摘要：发光设备包括基座、发光二极管、波长转换层、盖体及反射设备。发光二极管位于基座的底部上，用以发射出第一波长光线。波长转换层位于基座的底部且环绕着发光二极管。盖体覆盖容置空间。反射设备连接于盖体且位于基座的容置空间中之发光二极管的上方。部分第一波长光线被反射设备反射至波长转换层，并转换产生第二波长光线，而剩余的第一波长光线再与第二波长光线混合组成一预期光色。

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