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1. 发明专利

TWI307771B 生化離子感測器失效
简体标题：生化离子传感器
公开(公告)号：TWI307771B
公开(公告)日：2009-03-21
申请号：TW094133542
申请日：2005-09-27
申请人：長庚大學 CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 CHANG, LIANN BE , 柯鴻禧 , 王志耀 , 賴朝松 LAI, CHAO SUNG , 李育箖 , 薛清全
IPC分类号： G01N
摘要：本發明係提供一種生化離子感測器,其一係利用一種離子感應場效電晶體,結合酵素與離子感測場效電晶體(Ion sensitive Field Effect Transistor, ISFET),為基礎所製成。其係整個閘極更替為稀土元素氧化層,或其它如IrO2、TiO2、WO3等Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅳ族的相關低阻抗材料,讓生化離子感測器具有更低的漏電流,並可提升感測的效果及速度,由於稀土氧化層的特性,可使生化離子感測器具有低漏電流,且生化離子感測器之感測效果相較於習知技術更為良好。
另一種生化離子感測器為延伸式離子感測場效電晶體(Extended gate ion sensitive field effect transistor,EGFET),其係將MOSFET的閘極部分延伸出來獨立形成感測區,並和MOS電容元件本身分開,使MOS電容元件部分能重複使用,此結構將適用於可拋棄式之生醫感測器,進一步使EGFET朝向商品化發展。
简体摘要：本发明系提供一种生化离子传感器,其一系利用一种离子感应场效应管,结合酶与离子传感场效应管(Ion sensitive Field Effect Transistor, ISFET),为基础所制成。其系整个闸极更替为稀土元素氧化层,或其它如IrO2、TiO2、WO3等Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ、Ⅳ-Ⅳ族的相关低阻抗材料,让生化离子传感器具有更低的漏电流,并可提升传感的效果及速度,由于稀土氧化层的特性,可使生化离子传感器具有低漏电流,且生化离子传感器之传感效果相较于习知技术更为良好。另一种生化离子传感器为延伸式离子传感场效应管(Extended gate ion sensitive field effect transistor,EGFET),其系将MOSFET的闸极部分延伸出来独立形成传感区,并和MOS电容组件本身分开,使MOS电容组件部分能重复使用,此结构将适用于可抛弃式之生医传感器,进一步使EGFET朝向商品化发展。

2. 发明专利

TWI383509B 覆晶堆疊太陽能電池之方法有权
简体标题：覆晶堆栈太阳能电池之方法
公开(公告)号：TWI383509B
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：TW096100522
申请日：2007-01-05
申请人：長庚大學 , CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 , CHANG, LIANN BE , 李育箖
IPC分类号： H01L31/0248

3. 发明专利

TWI398009B 聚光型太陽能光電模組有权
简体标题：聚光型太阳能光电模块
公开(公告)号：TWI398009B
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW098139921
申请日：2009-11-24
申请人：長庚大學 , CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 , 李育箖 , 董俊沂 , 楊富強
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50

4. 发明专利

TW200812119A 具光觸媒劑之發光二極體审中-公开
简体标题：具光触媒剂之发光二极管
公开(公告)号：TW200812119A
公开(公告)日：2008-03-01
申请号：TW096123012
申请日：2007-06-26
申请人：長庚大學 CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 CHANG, LIANN BE , 楊錦懷 , 李育箖
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係一種具光觸媒劑之發光二極體,該發光二極體上設有封裝罩,該封裝罩表面上塗裝有光觸媒劑,該光觸媒劑具有很强烈的氧化能力,穩定性高,而且極為安全;由於發光二極體體積小,相較於同瓦數之日光燈,發光二極體可裝設多個,因此發光二極體整體之曲面積會大於日光燈,使得空氣接觸面積較大,而可讓發光二極體之殺菌、除臭、防霉功效較日光燈好。
简体摘要：本发明系一种具光触媒剂之发光二极管,该发光二极管上设有封装罩,该封装罩表面上涂装有光触媒剂,该光触媒剂具有很强烈的氧化能力,稳定性高,而且极为安全;由于发光二极管体积小,相较于同瓦数之日光灯,发光二极管可装设多个,因此发光二极管整体之曲面积会大于日光灯,使得空气接触面积较大,而可让发光二极管之杀菌、除臭、防霉功效较日光灯好。

5. 发明专利

TW200712484A 生化離子感測器失效
简体标题：生化离子传感器
公开(公告)号：TW200712484A
公开(公告)日：2007-04-01
申请号：TW094133542
申请日：2005-09-27
申请人：長庚大學 CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 CHANG, LIANN BE , 柯鴻禧 , 王志耀 , 賴朝松 LAI, CHAO SUNG , 李育箖 , 薛清全
IPC分类号： G01N
摘要：本發明係提供二種生化離子感測器,其一係利用一種離子感應場效電晶體,結合酵素與離子感測場效電晶體(Ion sensitive Field Effect Transistor, ISFET),為基礎所製成。其係整個閘極更替為稀土元素氧化層,或其它如IRO2、ZnO2、TiO2、WO3等Ⅲ–Ⅴ、Ⅱ–Ⅵ、Ⅳ–Ⅳ族的相關低阻抗材料,讓生化離子感測器具有更低的漏電流,並可提升感測的效果及速度,由於稀土氧化層的特性,可使生化離子感測器具有低漏電流,且生化離子感測器之感測效果相較於習知技術更為良好。另一種生化離子感測器為延伸式離子感測場效電晶體(Extended gate ion sensitive field effect transistor, EGFET),其係將MOSFET的閘極部分延伸出來獨立形成感測區,並和MOS電容元件本身分開,使MOS電容元件部分能重複使用,此結構將適用於可拋棄式之生醫感測器,進一步使EGFET朝向商品化發展。
简体摘要：本发明系提供二种生化离子传感器,其一系利用一种离子感应场效应管,结合酶与离子传感场效应管(Ion sensitive Field Effect Transistor, ISFET),为基础所制成。其系整个闸极更替为稀土元素氧化层,或其它如IRO2、ZnO2、TiO2、WO3等Ⅲ–Ⅴ、Ⅱ–Ⅵ、Ⅳ–Ⅳ族的相关低阻抗材料,让生化离子传感器具有更低的漏电流,并可提升传感的效果及速度,由于稀土氧化层的特性,可使生化离子传感器具有低漏电流,且生化离子传感器之传感效果相较于习知技术更为良好。另一种生化离子传感器为延伸式离子传感场效应管(Extended gate ion sensitive field effect transistor, EGFET),其系将MOSFET的闸极部分延伸出来独立形成传感区,并和MOS电容组件本身分开,使MOS电容组件部分能重复使用,此结构将适用于可抛弃式之生医传感器,进一步使EGFET朝向商品化发展。

6. 发明专利

TWI407582B 膠著光觸媒劑之發光二極體的製作方法有权
简体标题：胶着光触媒剂之发光二极管的制作方法
公开(公告)号：TWI407582B
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW096123012
申请日：2007-06-26
申请人：長庚大學 , CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 , CHANG, LIANN BE , 楊錦懷 , 李育箖
IPC分类号： H01L33/00

7. 发明专利

TW200717836A 覆晶堆疊太陽能電池之方法审中-公开
简体标题：覆晶堆栈太阳能电池之方法
公开(公告)号：TW200717836A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW096100522
申请日：2007-01-05
申请人：長庚大學 CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 CHANG, LIANN BE , 李育箖
IPC分类号： H01L
摘要：一種覆晶堆疊太陽能電池之方法,該太陽能電池係利用覆晶之技術堆疊成長一可吸收長波長光線(如紅外線光)之P-N接合半導體層、一可吸收中波長光線(如可見光)之第二P-N接合半導體層,及一可吸收短波長光線(如紫外線光)之P-N接合半導體層;且三種不同半導體材料層可分別組合;藉此,本發明利用覆晶技術堆疊太陽能電池,解決各層之間之晶格不匹配問題,進而可增加太陽能電池之效率。
简体摘要：一种覆晶堆栈太阳能电池之方法,该太阳能电池系利用覆晶之技术堆栈成长一可吸收长波长光线(如红外线光)之P-N接合半导体层、一可吸收中波长光线(如可见光)之第二P-N接合半导体层,及一可吸收短波长光线(如紫外线光)之P-N接合半导体层;且三种不同半导体材料层可分别组合;借此,本发明利用覆晶技术堆栈太阳能电池,解决各层之间之晶格不匹配问题,进而可增加太阳能电池之效率。

8. 发明专利

TWI264136B 具有突波保護性基板之交流驅動多發光二極體結構失效
简体标题：具有突波保护性基板之交流驱动多发光二极管结构
公开(公告)号：TWI264136B
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：TW094129181
申请日：2005-08-26
申请人：長庚大學 CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 , 李育箖
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有突波保護性基板之交流驅動多發光二極體結構，其包含複數個發光二極體，包含第一組及第二組互相並聯之發光二極體，該第一組發光二極體以第一特定方向串連，該第二組發光二極體以一相反方向串連；一驅動電路，與該第一及第二組發光二極體電性相接；及一交流電源，透過該驅動電路與該第一及第二組發光二極體之二端電性相接，其中該複數個發光二極體皆為一與一突波保護性基板構成之發光二極體覆晶結構，且該驅動電路位於該突波保護性基板上，其中該突波保護性元件用以使該複數個發光二極體不受靜電放電等突波的破壞。
简体摘要：一种具有突波保护性基板之交流驱动多发光二极管结构，其包含复数个发光二极管，包含第一组及第二组互相并联之发光二极管，该第一组发光二极管以第一特定方向串连，该第二组发光二极管以一相反方向串连；一驱动电路，与该第一及第二组发光二极管电性相接；及一交流电源，透过该驱动电路与该第一及第二组发光二极管之二端电性相接，其中该复数个发光二极管皆为一与一突波保护性基板构成之发光二极管覆晶结构，且该驱动电路位于该突波保护性基板上，其中该突波保护性组件用以使该复数个发光二极管不受静电放电等突波的破坏。

9. 发明专利

TW200541123A 具有突波保護性基板之交流驅動多發光二極體結構失效
简体标题：具有突波保护性基板之交流驱动多发光二极管结构
公开(公告)号：TW200541123A
公开(公告)日：2005-12-16
申请号：TW094129181
申请日：2005-08-26
申请人：長庚大學 CHANG GUNG UNIVERSITY
发明人：張連璧 , 李育箖
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有突波保護性基板之交流驅動多發光二極體結構，其包含複數個發光二極體，包含第一組及第二組互相並聯之發光二極體，該第一組發光二極體以第一特定方向串連，該第二組發光二極體以一相反方向串連；一驅動電路，與該第一及第二組發光二極體電性相接；及一交流電源，透過該驅動電路與該第一及第二組發光二極體之二端電性相接，其中該複數個發光二極體皆為一與一突波保護性基板構成之發光二極體覆晶結構，且該驅動電路位於該突波保護性基板上，其中該突波保護性元件用以使該複數個發光二極體不受靜電放電等突波的破壞。
简体摘要：一种具有突波保护性基板之交流驱动多发光二极管结构，其包含复数个发光二极管，包含第一组及第二组互相并联之发光二极管，该第一组发光二极管以第一特定方向串连，该第二组发光二极管以一相反方向串连；一驱动电路，与该第一及第二组发光二极管电性相接；及一交流电源，透过该驱动电路与该第一及第二组发光二极管之二端电性相接，其中该复数个发光二极管皆为一与一突波保护性基板构成之发光二极管覆晶结构，且该驱动电路位于该突波保护性基板上，其中该突波保护性组件用以使该复数个发光二极管不受静电放电等突波的破坏。

10. 发明专利

TW200941879A 具有計數器的電磁脈衝防護電路审中-公开
简体标题：具有计数器的电磁脉冲防护电路
公开(公告)号：TW200941879A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：TW097109543
申请日：2008-03-18
申请人：長庚大學
发明人：張連璧 , 鄭明哲 , 李育箖
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H02H9/042
摘要：一種具有計數器的電磁脈衝防護電路，係具有可以抑制電磁脈衝（EMP）的突波保護電路，並利用增設一計數電路，感測突波保護電路之發光或磁力變化，以便計算出突波保護電路的作動次數，藉此將可預先提醒突波保護電路的壽命已到達使用期限而需要更換相應元件，俾能完善地保護各種電子產品，以免造成更大的損失。
简体摘要：一种具有计数器的电磁脉冲防护电路，系具有可以抑制电磁脉冲（EMP）的突波保护电路，并利用增设一计数电路，传感突波保护电路之发光或磁力变化，以便计算出突波保护电路的作动次数，借此将可预先提醒突波保护电路的寿命已到达使用期限而需要更换相应组件，俾能完善地保护各种电子产品，以免造成更大的损失。

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