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1. 发明专利

TWI602811B 二胺化合物、聚合物、絕緣膜與電子裝置有权
简体标题：二胺化合物、聚合物、绝缘膜与电子设备
公开(公告)号：TWI602811B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW105132084
申请日：2016-10-04
申请人：達興材料股份有限公司 , DAXIN MATERIALS CORPORATION
发明人：林冠銘 , LIN, KUAN MING , 盧厚德 , LU, HOU TE
IPC分类号： C07D249/14 , C07D257/06 , C08G73/10 , C08G69/26 , H01B3/30 , B32B15/088 , H05K1/03 , H05K3/38

2. 发明专利

TWI510676B 用於蝕刻銅與鉬的金屬蝕刻劑組成物及其用於蝕刻銅與鉬的金屬蝕刻方法有权
简体标题：用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组成物及其用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法
公开(公告)号：TWI510676B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW102124702
申请日：2013-07-10
申请人：達興材料股份有限公司 , DAXIN MATERIALS CORP.
发明人：羅致遠 , 吳光耀 , 黃若涵 , 廖怡穎 , 盧厚德
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/306

3. 发明专利

TWI510521B 聚亞醯胺結構以及聚亞醯胺樹脂組成物有权
简体标题：聚亚酰胺结构以及聚亚酰胺树脂组成物
公开(公告)号：TWI510521B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW102102244
申请日：2013-01-21
申请人：達興材料股份有限公司 , DAXIN MATERIALS CORPORATION
发明人：羅致遠 , LO, CHIH YUAN , 李政緯 , LEE, CHENG WEI , 盧厚德 , LU, HOU TE , 王興嘉 , WANG, HSING CHIA
IPC分类号： C08G73/10 , C08L79/08

4. 发明专利

TW201518878A 光阻脫除劑和電子元件及其製造方法审中-公开
简体标题：光阻脱除剂和电子组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201518878A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW102141666
申请日：2013-11-15
申请人：達興材料股份有限公司 , DAXIN MATERIALS CORPORATION
发明人：朱翊禎 , CHU, YI CHEN , 盧厚德 , LU, HOU TE
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311
摘要：一種光阻脫除劑，包括由式1表示的醇醚類化合物、選自由式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物所組成的族群的極性溶劑以及至少一種由式4表示的二級醇胺或三級醇胺：，其中 n為1~3的整數；R1為C1-C4烷基；R2各自獨立為氫或甲基；X1和X2可分別為C1-C4伸烷基、C2-C4伸烯基、>Rx-COOH或>RyOH，其中Rx為C1-C3連結基，Ry為C1-C4連結基；R3為H、C1-C4烷基或-RzOH，其中 Rz為C1-C4連結基；R4和R5分別為C1-C4伸烷基，且Y1和Y2可分別為H或-OH。
简体摘要：一种光阻脱除剂，包括由式1表示的醇醚类化合物、选自由式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物所组成的族群的极性溶剂以及至少一种由式4表示的二级醇胺或三级醇胺：，其中 n为1~3的整数；R1为C1-C4烷基；R2各自独立为氢或甲基；X1和X2可分别为C1-C4伸烷基、C2-C4伸烯基、>Rx-COOH或>RyOH，其中Rx为C1-C3链接基，Ry为C1-C4链接基；R3为H、C1-C4烷基或-RzOH，其中 Rz为C1-C4链接基；R4和R5分别为C1-C4伸烷基，且Y1和Y2可分别为H或-OH。

5. 发明专利

TWI411678B 具有高度清洗性之水溶性切削液有权
公开(公告)号：TWI411678B
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：TW099115980
申请日：2010-05-19
申请人：達興材料股份有限公司 , DAXIN MATERIALS CORPORATION
发明人：方彥文 , FANF, YEN WEN , 盧厚德 , LU, HOU TE , 佘怡璇 , SHE, YI HSUAN , 王興嘉 , WANG, HSING CHIA
IPC分类号： C11D1/02 , C11D3/20

6. 发明专利

TWI675899B 暫時黏著被加工物之方法及黏著劑有权
简体标题：暂时黏着被加工物之方法及黏着剂
公开(公告)号：TWI675899B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107114075
申请日：2018-04-25
申请人：達興材料股份有限公司 , DAXIN MATERIALS CORPORATION
发明人：林季延 , LIN, CHI YEN , 李政緯 , LEE, CHENG WEI , 黃竣鴻 , HUANG, CHUN HUNG , 盧厚德 , LU, HOU TE , 廖元利 , LIAO, YUAN LI
IPC分类号： C09J5/00 , C09J179/08 , C09J171/02 , C09J183/04 , C09J11/00 , H01L21/683

7. 发明专利

TW201629195A 一種切割製程用的水性切割液的添加劑及其製備方法审中-公开
简体标题：一种切割制程用的水性切割液的添加剂及其制备方法
公开(公告)号：TW201629195A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104104307
申请日：2015-02-10
申请人：達興材料股份有限公司 , DAXIN MATERIALS CORPORATION
发明人：李政緯 , LEE, CHENG WEI , 湯慧怡 , TANG, HUI YI , 張育晨 , CHANG, YU CHEN , 張靈 , CHANG, LING , 盧厚德 , LU, HOU TE , 陳頤承 , CHEN, YI CHENG
IPC分类号： C10M129/08 , C10N40/00
摘要：本發明提供一種切割製程用的水性切割液的添加劑，包括一種二醇類化合物具有以下通式：OHR1R3C-[CH2]n-CR2R4OH，其中，n為2-4間的自然數，R1、R2、R3、R4分別為碳數1-6的烷基取代基；以及水。
简体摘要：本发明提供一种切割制程用的水性切割液的添加剂，包括一种二醇类化合物具有以下通式：OHR1R3C-[CH2]n-CR2R4OH，其中，n为2-4间的自然数，R1、R2、R3、R4分别为碳数1-6的烷基取代基；以及水。

8. 发明专利

TW201502319A 用於蝕刻銅與鉬的金屬蝕刻劑組成物及其用於蝕刻銅與鉬的金屬蝕刻方法审中-公开
简体标题：用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组成物及其用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法
公开(公告)号：TW201502319A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW102124702
申请日：2013-07-10
申请人：達興材料股份有限公司 , DAXIN MATERIALS CORP.
发明人：羅致遠 , 吳光耀 , 黃若涵 , 廖怡穎 , 盧厚德
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/306
摘要：一種用於蝕刻銅與鉬的金屬蝕刻劑組成物，包含過氧化氫及一有機酸組分；該有機酸組分包括丁二酸及乙酸；其中，丁二酸與乙酸的重量比例範圍為1：1.2~1：3。該金屬蝕刻劑組成物在進行含有銅與鉬的多層金屬蝕刻時，能得到具有良好配線形狀與均勻性的金屬層，並有效避免底切現象產生。本發明亦提供一種用於蝕刻銅與鉬的金屬蝕刻方法，包含將如上所述的金屬蝕刻劑組成物與一多層金屬薄膜接觸，使該多層金屬薄膜產生蝕刻，其中，該多層金屬薄膜包括一鉬層及一堆疊於該鉬層上的銅層。
简体摘要：一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组成物，包含过氧化氢及一有机酸组分；该有机酸组分包括丁二酸及乙酸；其中，丁二酸与乙酸的重量比例范围为1：1.2~1：3。该金属蚀刻剂组成物在进行含有铜与钼的多层金属蚀刻时，能得到具有良好配线形状与均匀性的金属层，并有效避免底切现象产生。本发明亦提供一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法，包含将如上所述的金属蚀刻剂组成物与一多层金属薄膜接触，使该多层金属薄膜产生蚀刻，其中，该多层金属薄膜包括一钼层及一堆栈于该钼层上的铜层。

9. 发明专利

TW201247864A 用於切削硬脆材料之加工組成物及切削組成物审中-公开
简体标题：用于切削硬脆材料之加工组成物及切削组成物
公开(公告)号：TW201247864A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100117364
申请日：2011-05-18
申请人：達興材料股份有限公司
发明人：王興嘉 , 佘怡璇 , 盧厚德 , 湯慧怡
IPC分类号： C10M , C09K , H01L
摘要：一種用於切削硬脆材料之加工組成物包含六方氮化硼、溶劑組份、界面活性劑，其中，以該溶劑組份的總量為100重量份計，該六方氮化硼的含量範圍為大於0.01重量份至不大於10重量份。該加工組成物用於切削硬脆材料時，不但具有耐高溫、優良潤滑性、拋光效果佳、切削能力佳等特性，且切削成多數具有一切削面之硬脆片後，該加工組成物會使得該等硬脆片彼此易剝離且不易沾黏；同時該等硬脆片不會因彼此剝離時產生的磨擦或因切削時產生的吸附力，造成該等薄片表面的損壞或剝離時破裂，有效地提高良率。
简体摘要：一种用于切削硬脆材料之加工组成物包含六方氮化硼、溶剂组份、界面活性剂，其中，以该溶剂组份的总量为100重量份计，该六方氮化硼的含量范围为大于0.01重量份至不大于10重量份。该加工组成物用于切削硬脆材料时，不但具有耐高温、优良润滑性、抛光效果佳、切削能力佳等特性，且切削成多数具有一切削面之硬脆片后，该加工组成物会使得该等硬脆片彼此易剥离且不易沾黏；同时该等硬脆片不会因彼此剥离时产生的磨擦或因切削时产生的吸附力，造成该等薄片表面的损坏或剥离时破裂，有效地提高良率。

10. 发明专利

TW201122093A 太陽能晶片洗劑 SOLAR WAFER CLEANER 审中-公开
简体标题：太阳能芯片洗剂 SOLAR WAFER CLEANER
公开(公告)号：TW201122093A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098146206
申请日：2009-12-31
申请人：達興材料股份有限公司
发明人：張順吉 , 盧厚德
IPC分类号： C11D , C08G , C07C , H01L
摘要：一種太陽能晶片洗劑，包括一醇醚羧酸鹽類以及一溶劑，用以稀釋用所述醇醚羧酸鹽類。這種太陽能晶片洗劑適用於線鋸(wire saw)之後用來清洗晶片表面粒子及油汙。
简体摘要：一种太阳能芯片洗剂，包括一醇醚羧酸盐类以及一溶剂，用以稀释用所述醇醚羧酸盐类。这种太阳能芯片洗剂适用于线锯(wire saw)之后用来清洗芯片表面粒子及油污。

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