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1. 发明专利

TWI267168B IC晶片之製造方法有权
简体标题： IC芯片之制造方法
公开(公告)号：TWI267168B
公开(公告)日：2006-11-21
申请号：TW092100744
申请日：2003-01-15
申请人：積水化學工業股份有限公司 SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. , 迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：福岡正輝 FUKUOKA, MASATERU , 大山康彥 OYAMA, YASUHIKO , 井宗宏 HATAI, MUNEHIRO , 林史 , 檀上滋 DANJO, SHIGERU , 北村政彥 , 矢興一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C09J5/08 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/302 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327
摘要：本發明之目的，係提供出IC晶片之製造方法，就算將晶圓弄薄成厚度50μm左右時，仍能防止晶圓之破損等，可改善處理性而良好地加工成IC晶片。
本發明之IC晶片之製造方法，其特徵在於，係至少具備以下步驟：透過具有粘著劑(A)(含有受刺激會產生氣體之氣體產生劑)層所形成的面與粘著劑(B)層所形成的面之支持帶，將晶圓固定在支持板之步驟；以透過該支持帶將晶圓固定在支持板的狀態來進行研磨之步驟；將研磨後的晶圓貼附在分割膠帶之步驟；對該粘著劑(A)層施予刺激之步驟；從該晶圓剝離支持帶之步驟；及進行該晶圓的分割之步驟；
在該透過支持帶將晶圓固定在支持板之步驟中，係將粘著劑(A)層所形成的面與晶圓貼合，將粘著劑(B)層所形成的面與支持板貼合；在該對粘著劑(A)層施予刺激之步驟及該從晶圓剝離支持帶之步驟中，係邊對晶圓整體從分割膠帶側均一地實施減壓吸引，邊施予剌激，而從晶圓剝離支持帶。
简体摘要：本发明之目的，系提供出IC芯片之制造方法，就算将晶圆弄薄成厚度50μm左右时，仍能防止晶圆之破损等，可改善处理性而良好地加工成IC芯片。本发明之IC芯片之制造方法，其特征在于，系至少具备以下步骤：透过具有粘着剂(A)(含有受刺激会产生气体之气体产生剂)层所形成的面与粘着剂(B)层所形成的面之支持带，将晶圆固定在支持板之步骤；以透过该支持带将晶圆固定在支持板的状态来进行研磨之步骤；将研磨后的晶圆贴附在分割胶带之步骤；对该粘着剂(A)层施予刺激之步骤；从该晶圆剥离支持带之步骤；及进行该晶圆的分割之步骤；在该透过支持带将晶圆固定在支持板之步骤中，系将粘着剂(A)层所形成的面与晶圆贴合，将粘着剂(B)层所形成的面与支持板贴合；在该对粘着剂(A)层施予刺激之步骤及该从晶圆剥离支持带之步骤中，系边对晶圆整体从分割胶带侧均一地实施减压吸引，边施予剌激，而从晶圆剥离支持带。

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