专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201412438A 抑制複合材料層板脫層之鑽孔裝置及方法审中-公开
简体标题：抑制复合材料层板脱层之钻孔设备及方法
公开(公告)号：TW201412438A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW101134630
申请日：2012-09-21
申请人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG , 曹中丞 , TSAO, CHUNG CHEN
发明人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG , 曹中丞 , TSAO, CHUNG CHEN
IPC分类号： B23B35/00 , B23B47/00
摘要：本發明提供一種抑制複合材料層板脫層之鑽孔裝置及方法。在鑽孔時，對一複合材料層板工件提供一可調式的主動撐力以抑制複合材料層板工件的脫層，尤其是在使用一高鑽孔軸向推力進行快速鑽孔時，其主動撐力的施加與該複合材料層板工件的施力位置配合，用以調節抑制該鑽孔軸向推力，並抑制該複合材料層板工件之鑽孔出口的脫層和其損害程度。
简体摘要：本发明提供一种抑制复合材料层板脱层之钻孔设备及方法。在钻孔时，对一复合材料层板工件提供一可调式的主动撑力以抑制复合材料层板工件的脱层，尤其是在使用一高钻孔轴向推力进行快速钻孔时，其主动撑力的施加与该复合材料层板工件的施力位置配合，用以调节抑制该钻孔轴向推力，并抑制该复合材料层板工件之钻孔出口的脱层和其损害程度。

2. 发明专利

TWI473680B 抑制複合材料層板脫層之鑽孔裝置及方法有权
简体标题：抑制复合材料层板脱层之钻孔设备及方法
公开(公告)号：TWI473680B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW101134630
申请日：2012-09-21
申请人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG , 曹中丞 , TSAO, CHUNG CHEN
发明人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG , 曹中丞 , TSAO, CHUNG CHEN
IPC分类号： B23B35/00 , B23B47/00

3. 发明专利

TW201741466A 利用檸檬酸回收印刷電路板中金屬之方法审中-公开
简体标题：利用柠檬酸回收印刷电路板中金属之方法
公开(公告)号：TW201741466A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105115192
申请日：2016-05-17
申请人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG
发明人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG , 蘇純慧 , SU, CHUN HUI , 游敏序 , JADHAV, UMESH U.
IPC分类号： C22B7/00 , B09B3/00 , H05K1/02
摘要：本發明提供一種利用檸檬酸回收印刷電路板中金屬之方法，以解決空氣汙染與廢水問題並簡化回收流程。本發明係利用檸檬酸與雙氧水的結合方案來回收印刷電路板中的金屬，其中研究指出雙氧水含量、檸檬酸濃度、震盪速率及溫度等系統參數皆對金屬回收率有所影響，其中，檸檬酸及雙氧水必須同時存在於浸取液中，以完全回收PCBs中的金屬。本發明的結果顯示使用檸檬酸及雙氧水可建立一種有效率、對環境友善的回收方法，以回收大片狀印刷電路板中的金屬。
简体摘要：本发明提供一种利用柠檬酸回收印刷电路板中金属之方法，以解决空气污染与废水问题并简化回收流程。本发明系利用柠檬酸与双氧水的结合方案来回收印刷电路板中的金属，其中研究指出双氧水含量、柠檬酸浓度、震荡速率及温度等系统参数皆对金属回收率有所影响，其中，柠檬酸及双氧水必须同时存在于浸取液中，以完全回收PCBs中的金属。本发明的结果显示使用柠檬酸及双氧水可创建一种有效率、对环境友善的回收方法，以回收大片状印刷电路板中的金属。

4. 发明专利

TW201732088A 利用鹽酸回收印刷電路板中金屬之方法审中-公开
简体标题：利用盐酸回收印刷电路板中金属之方法
公开(公告)号：TW201732088A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105107230
申请日：2016-03-09
申请人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG
发明人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG , 游敏序 , JADHAV, UMESH U.
IPC分类号： C23F4/00 , B09B3/00
CPC分类号： Y02W30/822
摘要：本發明提供一種利用鹽酸回收印刷電路板中金屬之方法，採用濕式冶金法來回收廢棄印刷電路板中的貴金屬。為了簡化該方法中的金屬浸取步驟，使用了大片印刷電路板來取代粉碎後的樣品。在進行濕式冶金法處理之前，利用氫氧化鈉處理來去除印刷電路板上存在的化學塗層。浸取劑中的鹽酸對金屬回收表現出極大的潛力，並隨著鹽酸濃度的增加而減少完全回收金屬所需的時間。迴旋轉速也顯示對金屬回收有著正面的效果。透過本發明之方法，在室溫、迴旋轉速為150rpm、持續浸取22h之下，顯示濃度1M的鹽酸可完全溶出4×4cm印刷電路板中的金屬並進行回收。
简体摘要：本发明提供一种利用盐酸回收印刷电路板中金属之方法，采用湿式冶金法来回收废弃印刷电路板中的贵金属。为了简化该方法中的金属浸取步骤，使用了大片印刷电路板来取代粉碎后的样品。在进行湿式冶金法处理之前，利用氢氧化钠处理来去除印刷电路板上存在的化学涂层。浸取剂中的盐酸对金属回收表现出极大的潜力，并随着盐酸浓度的增加而减少完全回收金属所需的时间。回旋转速也显示对金属回收有着正面的效果。透过本发明之方法，在室温、回旋转速为150rpm、持续浸取22h之下，显示浓度1M的盐酸可完全溶出4×4cm印刷电路板中的金属并进行回收。

5. 发明专利

TWI585238B 利用鹽酸回收印刷電路板中金屬之方法有权
简体标题：利用盐酸回收印刷电路板中金属之方法
公开(公告)号：TWI585238B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105107230
申请日：2016-03-09
申请人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG
发明人：賀陳弘 , HOCHENG, HONG , 游敏序 , JADHAV, UMESH U.
IPC分类号： C23F4/00 , B09B3/00
CPC分类号： Y02W30/822

6. 发明专利

TW571087B 原位式奈米壓印微影技術之模具變形監測的方法與系統有权
简体标题：原位式奈米压印微影技术之模具变形监测的方法与系统
公开(公告)号：TW571087B
公开(公告)日：2004-01-11
申请号：TW092114912
申请日：2003-06-02
申请人：賀陳弘 , 粘金重
发明人：賀陳弘 , 粘金重
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , Y10S977/887
摘要：本發明提供一種即時監測奈米壓印微影技術之模具形變的方法，其中該方法使用一資料庫，用以記錄暫時性資料，同時利用在該壓印微影技術之模具上製作監測記號，並在該壓印微影技術之模具的周圍設置發射源與監測裝置，以進行下列步驟：(A)在奈米壓印所使用的模具本體之較易觀測的位置，製作監測模具變形所需之記號；(B)裝設發射源與監測裝置，以偵測模具之監測記號的變形量；(C)將上述偵測之變形量，轉換為輸出信號輸入至個人電腦處理，而個人電腦處理之暫時性資料則藉由資料庫加以記錄；(D)憑藉步驟(C)個人電腦處理之信號，發出控制訊號，以控制模具是否停止或令機台發出警報訊號。伍、(一)、本案代表圖為：第＿＿＿一＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
110 模具
111 監測記號
120 監測裝置
140 發射源
150 個人電腦
160 資料庫
简体摘要：本发明提供一种实时监测奈米压印微影技术之模具形变的方法，其中该方法使用一数据库，用以记录暂时性数据，同时利用在该压印微影技术之模具上制作监测记号，并在该压印微影技术之模具的周围设置发射源与监测设备，以进行下列步骤：(A)在奈米压印所使用的模具本体之较易观测的位置，制作监测模具变形所需之记号；(B)装设发射源与监测设备，以侦测模具之监测记号的变形量；(C)将上述侦测之变形量，转换为输出信号输入至个人电脑处理，而个人电脑处理之暂时性数据则借由数据库加以记录；(D)凭借步骤(C)个人电脑处理之信号，发出控制信号，以控制模具是否停止或令机台发出警报信号。伍、(一)、本案代表图为：第＿＿＿一＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 110 模具 111 监测记号 120 监测设备 140 发射源 150 个人电脑 160 数据库

7. 发明专利

TW201122456A 奈米轉印製程之監測裝置與方法 MONITORING APPARATUS AND METHOD OF NANO-TRANSFER PRINTING PROCESS 审中-公开
简体标题：奈米转印制程之监测设备与方法 MONITORING APPARATUS AND METHOD OF NANO-TRANSFER PRINTING PROCESS
公开(公告)号：TW201122456A
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：TW098145911
申请日：2009-12-30
申请人：賀陳弘
发明人：賀陳弘 , 徐偉軒
IPC分类号： G01N , B29C
CPC分类号： G01N21/553
摘要：本發明之奈米轉印製程之監測裝置設於一轉印單元周圍之特定位置，並於轉印製程中之任一階段，進行監測或量測此轉印單元內成型材料之充填高度、成型率與成型輪廓。此監測裝置包含一偵測單元、一量測單元、以及一分析單元。此偵測單元發射一偵測訊號至此轉印單元。此量測單元接收此偵測訊號通過自此轉印單元之任一反應訊號。此分析單元分析此反應訊號，以判斷此轉印單元中轉印材料充填高度、填充率、填充外型或充填輪廓。本發明為奈米轉印製程之監測方法，包含下列步驟：準備一轉印單元：此轉印單元包含一模具、一基板、以及一轉印材料；設置一監測裝置：此監測裝置包含一偵測單元、一量測單元、以及一分析單元，將此監測裝置設置於此轉印單元周圍之特定位置；發射偵測訊號：於轉印製程中至少一階段，由偵測單元發射一偵測訊號入射至轉印單元之轉印區域；接收量測訊號：量測單元接收前述步驟之偵測訊號通過此轉印區域後，引起的反應或改變至少一反應訊號；分析訊號：將前述步驟所獲得之反應訊號輸至分析單元，進行分析或判斷轉印材料之充填高度、充填率、充填外型或充填輪廓；以及，輸出資訊：將前述步驟之轉印成型材料之充填高度、充填率、充填外型或充填輪廓資訊輸出作為後續製程之依據。
简体摘要：本发明之奈米转印制程之监测设备设于一转印单元周围之特定位置，并于转印制程中之任一阶段，进行监测或量测此转印单元内成型材料之充填高度、成型率与成型轮廓。此监测设备包含一侦测单元、一量测单元、以及一分析单元。此侦测单元发射一侦测信号至此转印单元。此量测单元接收此侦测信号通过自此转印单元之任一反应信号。此分析单元分析此反应信号，以判断此转印单元中转印材料充填高度、填充率、填充外型或充填轮廓。本发明为奈米转印制程之监测方法，包含下列步骤：准备一转印单元：此转印单元包含一模具、一基板、以及一转印材料；设置一监测设备：此监测设备包含一侦测单元、一量测单元、以及一分析单元，将此监测设备设置于此转印单元周围之特定位置；发射侦测信号：于转印制程中至少一阶段，由侦测单元发射一侦测信号入射至转印单元之转印区域；接收量测信号：量测单元接收前述步骤之侦测信号通过此转印区域后，引起的反应或改变至少一反应信号；分析信号：将前述步骤所获得之反应信号输至分析单元，进行分析或判断转印材料之充填高度、充填率、充填外型或充填轮廓；以及，输出信息：将前述步骤之转印成型材料之充填高度、充填率、充填外型或充填轮廓信息输出作为后续制程之依据。

8. 发明专利

TW201120431A 奈米轉印製程均勻性與殘留層厚度之監測裝置與方法 MONITORING APPARATUS AND METHOD FOR UNIFORMITY AND RESIDUAL THICKNESS OF NANO-TRANSFER PRINTING PROCESS 审中-公开
简体标题：奈米转印制程均匀性与残留层厚度之监测设备与方法 MONITORING APPARATUS AND METHOD FOR UNIFORMITY AND RESIDUAL THICKNESS OF NANO-TRANSFER PRINTING PROCESS
公开(公告)号：TW201120431A
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：TW098141566
申请日：2009-12-04
申请人：賀陳弘
发明人：賀陳弘 , 徐偉軒
IPC分类号： G01N , B29C
CPC分类号： G01B11/0625
摘要：本發明之奈米轉印製程均勻性與殘留層厚度之監測裝置設於一轉印單元周圍之特定位置,並於轉印製程中之任一階段,進行監測或量測此轉印單元內成型材料之成型率與成型輪廓。此監測裝置包含一偵測單元、一量測單元、以及一分析單元。此偵測單元發射一偵測光源至此轉印單元。此量測單元接收此偵測光源通過自此轉印單元之一反應訊號。此分析單元分析此反應訊號,以判斷此轉印單元中轉印材料殘留層厚度與轉印均勻性。本發明之奈米轉印製程均勻性與殘留層厚度之監測方法,包含下列步驟:準備一轉印單元:此轉印單元包含一模具、一基板、以及一轉印材料;設置一監測裝置:此監測裝置包含一偵測單元、一量測單元、以及一分析單元,將此監測裝置設置於此轉印單元周圍之特定位置;發射偵測訊號:於轉印製程中至少任一階段,由偵測單元發射一偵測訊號入射至轉印單元之轉印區域;接收量測訊號:量測單元接收前述步驟之偵測訊號通過此轉印區域後,引起的反應或改變至少一訊號;分析訊號:將前述步驟所獲得之訊號輸至分析單元,進行分析或判斷轉印殘留厚度與該次轉印之均勻性;以及,輸出資訊:將前述步驟之轉印殘留厚度之資訊輸出,作為後續製程之參考。
简体摘要：本发明之奈米转印制程均匀性与残留层厚度之监测设备设于一转印单元周围之特定位置,并于转印制程中之任一阶段,进行监测或量测此转印单元内成型材料之成型率与成型轮廓。此监测设备包含一侦测单元、一量测单元、以及一分析单元。此侦测单元发射一侦测光源至此转印单元。此量测单元接收此侦测光源通过自此转印单元之一反应信号。此分析单元分析此反应信号,以判断此转印单元中转印材料残留层厚度与转印均匀性。本发明之奈米转印制程均匀性与残留层厚度之监测方法,包含下列步骤:准备一转印单元:此转印单元包含一模具、一基板、以及一转印材料;设置一监测设备:此监测设备包含一侦测单元、一量测单元、以及一分析单元,将此监测设备设置于此转印单元周围之特定位置;发射侦测信号:于转印制程中至少任一阶段,由侦测单元发射一侦测信号入射至转印单元之转印区域;接收量测信号:量测单元接收前述步骤之侦测信号通过此转印区域后,引起的反应或改变至少一信号;分析信号:将前述步骤所获得之信号输至分析单元,进行分析或判断转印残留厚度与该次转印之均匀性;以及,输出信息:将前述步骤之转印残留厚度之信息输出,作为后续制程之参考。

9. 发明专利

TW344690B 複合型電化鉆孔方法失效
简体标题：复合型电化钻孔方法
公开(公告)号：TW344690B
公开(公告)日：1998-11-11
申请号：TW084111857
申请日：1995-11-08
申请人：巴白山 , 賀陳弘
发明人：巴白山 , 賀陳弘
IPC分类号： B23H
摘要：一種複合型電化鉆孔方法，係結合傳統的鉆孔加工技術與非傳統的電化加工方法複合而成，其可結合習用鉆孔機具、直流電源供應器及電解液供給裝置等組裝而成，所使用之電極為現有的各型鉆頭，並連接於電源之負極，而欲進行加工之工件則接於正極。對於只施予表面硬化或硬面被覆的工件，先讓工件與鉆頭保持某一高度間隙，施予定進給方式並啟動電化學裝置，以電解方式解離工件硬面或被覆膜，繼而中斷電解供應裝置改由傳統鉆削完成後續內部材料加工。倘工件為軟韌性極大、硬脆性極高或為全件淬火硬化過的工件則以本發明之上述方法施予全程的電化鉆孔。
简体摘要：一种复合型电化钻孔方法，系结合传统的钻孔加工技术与非传统的电化加工方法复合而成，其可结合习用钻孔机具、直流电源供应器及电解液供给设备等组装而成，所使用之电极为现有的各型钻头，并连接于电源之负极，而欲进行加工之工件则接于正极。对于只施予表面硬化或硬面被覆的工件，先让工件与钻头保持某一高度间隙，施予定进给方式并启动电化学设备，以电解方式解离工件硬面或被覆膜，继而中断电解供应设备改由传统钻削完成后续内部材料加工。倘工件为软韧性极大、硬脆性极高或为全件淬火硬化过的工件则以本发明之上述方法施予全程的电化钻孔。

10. 发明专利

TWI343512B 奈米壓印系統及其方法 NANO IMPRINTING SYSTEM AND METHOD THEREOF 有权
简体标题：奈米压印系统及其方法 NANO IMPRINTING SYSTEM AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI343512B
公开(公告)日：2011-06-11
申请号：TW095111690
申请日：2006-03-31
申请人：賀陳弘
发明人：賀陳弘 , 徐偉軒
IPC分类号： G03F , B82B , H01L
摘要：本發明係提供一種奈米壓印系統，其包含一模具，其上具有一第一轉印接觸面及一第一非轉印接觸面；一基板，其上具有一第二轉印接觸面及一第二非轉印接觸面；一成型材料，置放於該第二轉印接觸面上；一溝槽結構，形成於該第一及該第二非轉印接觸面至少其中之一；以及一轉印設備，用以對該模具與該基板其中之一進行施壓，以使該成型材料在該第一及該第二轉印接觸面上成型。
简体摘要：本发明系提供一种奈米压印系统，其包含一模具，其上具有一第一转印接触面及一第一非转印接触面；一基板，其上具有一第二转印接触面及一第二非转印接触面；一成型材料，置放于该第二转印接触面上；一沟槽结构，形成于该第一及该第二非转印接触面至少其中之一；以及一转印设备，用以对该模具与该基板其中之一进行施压，以使该成型材料在该第一及该第二转印接触面上成型。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式