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1. 发明专利

TW201618889A 應用於連續製程之接觸式線上量測裝置审中-公开
简体标题：应用于连续制程之接触式在线量测设备
公开(公告)号：TW201618889A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103141517
申请日：2014-11-28
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：李宗信 , 孫嘉鴻 , 楊思華 , 張益三
IPC分类号： B23Q17/00
摘要：本發明應用於連續製程之接觸式線上量測裝置，其具有一橫移組，該橫移組裝設於一連續製程設備之基板，該橫移組透過一彈性緩衝機構而與一夾持量測組連接；透過橫移組之裝設以帶動夾持量測組，使夾持量測組可與連續製程設備運送之薄膜材進行同步移動，從而達成製程中之同步量測與即時監控，藉以提升產品之品質而確保製程良率，同時，可避免卷料無謂的浪費以節省製造成本，此外，因彈性緩衝機構之裝設，可防止因夾持量測組與連續製程設備間同步速度的誤差，而造成量測薄膜材之損害。
简体摘要：本发明应用于连续制程之接触式在线量测设备，其具有一横移组，该横移组装设于一连续制程设备之基板，该横移组透过一弹性缓冲机构而与一夹持量测组连接；透过横移组之装设以带动夹持量测组，使夹持量测组可与连续制程设备运送之薄膜材进行同步移动，从而达成制程中之同步量测与实时监控，借以提升产品之品质而确保制程良率，同时，可避免卷料无谓的浪费以节省制造成本，此外，因弹性缓冲机构之装设，可防止因夹持量测组与连续制程设备间同步速度的误差，而造成量测薄膜材之损害。

2. 发明专利

TWI503054B 輻射產生設備有权
简体标题：辐射产生设备
公开(公告)号：TWI503054B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103120209
申请日：2014-06-11
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：陳彥君 , CHEN, YEN CHUN , 施威宏 , SHIH, WEI HUNG , 張益三 , CHANG, YI SAN , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH , 謝文馨 , HSIEH, WEN HSIN , 鄭茗徽 , CHENG, MING HUI , 伏和中 , FU, HO CHUNG
IPC分类号： H05G1/02
CPC分类号： H01J35/12 , H01J35/16 , H01J2235/1204 , H01J2235/1262 , H01J2235/1295 , H01J2235/186

3. 发明专利

TWI480912B 輻射產生設備有权
简体标题：辐射产生设备
公开(公告)号：TWI480912B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW103105708
申请日：2014-02-20
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：施威宏 , SHIH, WEI HUNG , 陳彥君 , CHEN, YEN CHUN , 張益三 , CHANG, YI SA , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH , 鄭茗徽 , CHENG, MING HUI
IPC分类号： H01J35/24
CPC分类号： H01J35/28

4. 发明专利

TWI692538B 超高頻反應式電漿薄膜製造設備及薄膜沉積方法有权
简体标题：超高频反应式等离子薄膜制造设备及薄膜沉积方法
公开(公告)号：TWI692538B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107142332
申请日：2018-11-27
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：葉昌鑫 , YE, CHANG-SIN , 張益三 , CHANG, YI-SAN , 田偉辰 , TIEN, WEI-CHEN , 黃俊凱 , HUANG, CHUN-KAI , 洪政源 , HUNG, CHENG-YUAN , 吳以德 , WU, YII-DER
IPC分类号： C23C14/34 , H05H1/46

5. 发明专利

TWI581894B 應用於連續製程之接觸式線上量測裝置有权
简体标题：应用于连续制程之接触式在线量测设备
公开(公告)号：TWI581894B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW103141517
申请日：2014-11-28
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：李宗信 , 孫嘉鴻 , 楊思華 , 張益三
IPC分类号： B23Q17/00

6. 发明专利

TW201547331A 輻射產生設備审中-公开
简体标题：辐射产生设备
公开(公告)号：TW201547331A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW103120209
申请日：2014-06-11
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：陳彥君 , CHEN, YEN CHUN , 施威宏 , SHIH, WEI HUNG , 張益三 , CHANG, YI SAN , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH , 謝文馨 , HSIEH, WEN HSIN , 鄭茗徽 , CHENG, MING HUI , 伏和中 , FU, HO CHUNG
IPC分类号： H05G1/02
CPC分类号： H01J35/12 , H01J35/16 , H01J2235/1204 , H01J2235/1262 , H01J2235/1295 , H01J2235/186
摘要：一種輻射產生設備，包括一靶材基座、一靶材、一電子束產生裝置、一管體、一槽體及一多孔性結構。靶材配置於靶材基座上。電子束產生裝置適於產生一電子束，電子束射至靶材以產生一輻射。管體容納靶材及電子束產生裝置。槽體連接靶材基座且容納管體。多孔性結構環設於槽體與管體之間，並與槽體內壁及管體外壁相接觸。冷卻流體流經多孔性結構，以對多孔性結構散熱。
简体摘要：一种辐射产生设备，包括一靶材基座、一靶材、一电子束产生设备、一管体、一槽体及一多孔性结构。靶材配置于靶材基座上。电子束产生设备适于产生一电子束，电子束射至靶材以产生一辐射。管体容纳靶材及电子束产生设备。槽体连接靶材基座且容纳管体。多孔性结构环设于槽体与管体之间，并与槽体内壁及管体外壁相接触。冷却流体流经多孔性结构，以对多孔性结构散热。

7. 发明专利

TWI503053B 輻射產生設備有权
简体标题：辐射产生设备
公开(公告)号：TWI503053B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103120208
申请日：2014-06-11
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：陳彥君 , CHEN, YEN CHUN , 施威宏 , SHIH, WEI HUNG , 張益三 , CHANG, YI SAN , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH , 謝文馨 , HSIEH, WEN HSIN , 鄭茗徽 , CHENG, MING HUI
IPC分类号： H05G1/02
CPC分类号： H01J35/12 , H01J35/106 , H01J2235/1204 , H01J2235/1262 , H01J2235/186

8. 发明专利

TW201533768A 輻射產生設備审中-公开
简体标题：辐射产生设备
公开(公告)号：TW201533768A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103105705
申请日：2014-02-20
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：陳彥君 , CHEN, YEN CHUN , 施威宏 , SHIH, WEI HUNG , 張益三 , CHANG, YI SA , 尤崇智 , YU, TSUNG CHIH , 鄭茗徽 , CHENG, MING HUI
IPC分类号： H01J35/24
CPC分类号： H01J35/28 , H01J35/10 , H01J2235/087
摘要：一種輻射產生設備，包括一靶材基座、一靶材、一支撐組件及一電子束產生裝置。靶材配置於靶材基座上。支撐組件支撐靶材基座。電子束產生裝置適於產生一電子束，其中電子束射至靶材以產生一輻射。靶材、支撐組件及電子束產生裝置位於靶材基座的同一側。
简体摘要：一种辐射产生设备，包括一靶材基座、一靶材、一支撑组件及一电子束产生设备。靶材配置于靶材基座上。支撑组件支撑靶材基座。电子束产生设备适于产生一电子束，其中电子束射至靶材以产生一辐射。靶材、支撑组件及电子束产生设备位于靶材基座的同一侧。

9. 发明专利

TW201523180A 製造執行系統及其調校製程參數的方法审中-公开
简体标题：制造运行系统及其调校制程参数的方法
公开(公告)号：TW201523180A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW102144342
申请日：2013-12-04
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：謝余松 , HSIEH, YU SUNG , 張益三 , CHANG, YI SAN , 盧宥任 , LU, YU JEN
IPC分类号： G05B19/401 , B23K26/00
摘要：一種製造執行系統調校製程參數的方法，用以使設備能快速的找到符合製程需求的製程參數，包含以下步驟：設定製程步驟、匯入參考製程調控參數步驟、虛擬量測步驟、比對步驟、實際量測步驟、調整參數步驟及實際值比對步驟，由於將製程參數區分為機台參數及製程調控參數，且機台參數留在設備端可解決設備於啟動前需花費大量時間進行繁複實驗的問題，而製程調控參數則由決策資料庫中匯入，可大幅減少設備求得製程參數所花費的時間及成本。
简体摘要：一种制造运行系统调校制程参数的方法，用以使设备能快速的找到符合制程需求的制程参数，包含以下步骤：设置制程步骤、导入参考制程调控参数步骤、虚拟量测步骤、比对步骤、实际量测步骤、调整参数步骤及实际值比对步骤，由于将制程参数区分为机台参数及制程调控参数，且机台参数留在设备端可解决设备于启动前需花费大量时间进行繁复实验的问题，而制程调控参数则由决策数据库中导入，可大幅减少设备求得制程参数所花费的时间及成本。

10. 发明专利

TWI599793B 組織玻片影像掃描系統有权
简体标题：组织玻片影像扫描系统
公开(公告)号：TWI599793B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW104138842
申请日：2015-11-23
申请人：財團法人金屬工業研究發展中心 , METAL INDUSTRIES RESEARCH & DEVELOPMENT CENTRE
发明人：謝余松 , HSIEH, YU-SUNG , 張益三 , CHANG, YI-SAN , 盧宥任 , LU, YU-JEN
IPC分类号： G02B21/18 , G02B21/36
CPC分类号： G02B21/361 , G02B21/18 , G02B21/26 , G02B21/367 , G02B26/02 , H04N5/23238

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