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1. 发明专利

TWI467935B 可見光通訊收發器與系統有权
简体标题：可见光通信收发器与系统
公开(公告)号：TWI467935B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW101107501
申请日：2012-03-06
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：趙嘉信 , CHAO, CHIA HSIN , 葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 楊泓斌 , YANG, HUNG PIN
IPC分类号： H04B10/11 , H04B1/38 , G02B6/32
CPC分类号： H05B33/0827 , H04B10/116

2. 发明专利

TW201338444A 可見光通訊收發器與系統审中-公开
简体标题：可见光通信收发器与系统
公开(公告)号：TW201338444A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW101107501
申请日：2012-03-06
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：趙嘉信 , CHAO, CHIA HSIN , 葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 楊泓斌 , YANG, HUNG PIN
IPC分类号： H04B10/11 , H04B1/38 , G02B6/32
CPC分类号： H05B33/0827 , H04B10/116
摘要：一種可見光通訊收發器與系統。可見光通訊收發器包括基板、透鏡模組以及多個通道單元。這些通道單元呈陣列配置於基板上以提供不同的雙向通訊通道。其中，每一個通道單元各自包含至少一可見光發射器與至少一可見光接收器。這些通道單元可以利用空間多工或時間多工等調變技術來提高通訊頻寬。透鏡模組配置於這些通道單元的光徑上。透鏡模組主動追蹤可見光接收器的接收狀況，以提升多工高速通訊之信號品質。
简体摘要：一种可见光通信收发器与系统。可见光通信收发器包括基板、透镜模块以及多个信道单元。这些信道单元呈数组配置于基板上以提供不同的双向通信信道。其中，每一个信道单元各自包含至少一可见光发射器与至少一可见光接收器。这些信道单元可以利用空分复用或时间多任务等调制技术来提高通信带宽。透镜模块配置于这些信道单元的光径上。透镜模块主动追踪可见光接收器的接收状况，以提升多任务高速通信之信号品质。

3. 发明专利

TW301061B 次微米T型閘極的製作方法失效
简体标题：次微米T型闸极的制作方法
公开(公告)号：TW301061B
公开(公告)日：1997-03-21
申请号：TW085106842
申请日：1996-06-07
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：中村一光 , 張俊彥 , 張瑞裕 , 張翼 , 楊泓斌 , 賴永齡
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66863 , H01L21/28581 , H01L21/28587 , H01L29/66462 , Y10S438/951
摘要：一種次微米T型閘極的製作方法，其提出一新的三層正光阻組合的方式，應用電子束微影系統單次曝光，便可形成T型閘，可解決次微米場效應電晶體閘極電阻過高的問題，並可增加元作製造的良率。本發明的方法只需應用單次電子束曝光，並經顯影液一次顯影後，即可形成次微米線寬的T型開口，較習知技術的效率高，故具有進步性及產業上的利用價值。
简体摘要：一种次微米T型闸极的制作方法，其提出一新的三层正光阻组合的方式，应用电子束微影系统单次曝光，便可形成T型闸，可解决次微米场效应晶体管闸极电阻过高的问题，并可增加元作制造的良率。本发明的方法只需应用单次电子束曝光，并经显影液一次显影后，即可形成次微米线宽的T型开口，较习知技术的效率高，故具有进步性及产业上的利用价值。

4. 发明专利

TW434919B 垂直共振腔面型雷射二極體及其封裝裝置失效
简体标题：垂直共振腔面型激光二极管及其封装设备
公开(公告)号：TW434919B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW086114920
申请日：1997-10-13
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊泓斌 , 吳建昌 , 洪銘煌
IPC分类号： H01S , H01L
摘要：一種垂直共振腔面型雷射二極體及其封裝裝置，此雷射二極體主要包括一Ｐ-型分佈式布拉格反射鏡，一活性區，及一Ｎ-型分佈式布拉格反射鏡，使雷射分子在活性區中來回振盪。雙面發光為其主要特性之一，且因兩面反射鏡之反射率不同，具較小雷射光輸出之一端可利用一光偵測器，測量出主要的雷射光輸出強度。此外，雷射二極體及光偵測器封裝於一金屬封裝裝置中以供實際應用。
简体摘要：一种垂直共振腔面型激光二极管及其封装设备，此激光二极管主要包括一Ｐ-型分布式布拉格反射镜，一活性区，及一Ｎ-型分布式布拉格反射镜，使激光分子在活性区中来回振荡。双面发光为其主要特性之一，且因两面反射镜之反射率不同，具较小激光光输出之一端可利用一光侦测器，测量出主要的激光光输出强度。此外，激光二极管及光侦测器封装于一金属封装设备中以供实际应用。

5. 发明专利

TW565975B 氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法失效
简体标题：氧化局限型之垂直共振腔面射型激光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW565975B
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：TW091137787
申请日：2002-12-27
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：江文章 , 宋嘉斌 , 楊泓斌 , 尤信介
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18311 , H01S5/02461 , H01S5/18327 , H01S5/18375 , H01S5/18377
摘要：一種氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件及其製造方法，係於氧化侷限型之垂直共振腔面射型雷射元件完成氧化製程之後，將填充材料沉積於氧化製程所造成之蝕刻溝渠，使蝕刻後之元件表面平坦化以利於後續之金屬電極製作，增進元件的良率並同時改良元件特性。伍、(一)、本案代表圖為：第 1 圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
10 基板
20 N型電極
30 N型布拉格反射鏡
40 活性層
50 選擇性氧化電流侷限區
60 P型布拉格反射鏡
70 P型電極
80 蝕刻溝渠
90 金屬電極
简体摘要：一种氧化局限型之垂直共振腔面射型激光组件及其制造方法，系于氧化局限型之垂直共振腔面射型激光组件完成氧化制程之后，将填充材料沉积于氧化制程所造成之蚀刻沟渠，使蚀刻后之组件表面平坦化以利于后续之金属电极制作，增进组件的良率并同时改良组件特性。伍、(一)、本案代表图为：第 1 图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 10 基板 20 N型电极 30 N型布拉格反射镜 40 活性层 50 选择性氧化电流局限区 60 P型布拉格反射镜 70 P型电极 80 蚀刻沟渠 90 金属电极

6. 实用新型

TW490074U 發光二極體之封裝裝置失效
简体标题：发光二极管之封装设备
公开(公告)号：TW490074U
公开(公告)日：2002-06-01
申请号：TW089213105
申请日：1997-12-10
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊泓斌 , 黃榮義 , 許榮宗 , 劉惠芬
IPC分类号： H01L
摘要：一種LED之封裝裝置，主要包括兩個或兩個以上的發光二極體晶粒及其樹脂封裝，具較大之發光角度，其四週及底部之發光強度亦增加，可取代部分燈泡之照明及裝飾功能，具有省電、不易破損、壽命期長之特性，且可使大型顯示幕顯示範圍大幅增加，由數公尺至數公里。
简体摘要：一种LED之封装设备，主要包括两个或两个以上的发光二极管晶粒及其树脂封装，具较大之发光角度，其四周及底部之发光强度亦增加，可取代部分灯泡之照明及装饰功能，具有省电、不易破损、寿命期长之特性，且可使大型显示幕显示范围大幅增加，由数公尺至数公里。

7. 实用新型

TWM376052U 具半導體雷射之光電元件 OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING SEMICONDUCTOR LASER 有权
简体标题：具半导体激光之光电组件 OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING SEMICONDUCTOR LASER
公开(公告)号：TWM376052U
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：TW098213161
申请日：2009-07-17
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊淑媚 , 陳永睿 , 石志聰 , 趙煦 , 孫健仁 , 楊泓斌
IPC分类号： H01S
摘要：一種具半導體雷射之光電元件，其包括基板、半導體雷射以及光波導。半導體雷射位於基板上。光波導位於基板上且半導體雷射的下方，並提供一耦合區，以耦合半導體雷射所發出的光，其中光波導的長度較光電半導體雷射的長度短。
简体摘要：一种具半导体激光之光电组件，其包括基板、半导体激光以及光波导。半导体激光位于基板上。光波导位于基板上且半导体激光的下方，并提供一耦合区，以耦合半导体激光所发出的光，其中光波导的长度较光电半导体激光的长度短。

8. 实用新型

TW532564U 面射型雷射元件封裝結構失效
简体标题：面射型激光组件封装结构
公开(公告)号：TW532564U
公开(公告)日：2003-05-11
申请号：TW090222822
申请日：2001-12-25
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：祁錦雲 , 楊泓斌 , 宋嘉斌
IPC分类号： H01L
摘要：本創作提供一種面射型雷射元件封裝結構，包括：基座；設置於基座上且與基座之間形成空間的蓋，蓋在其相對於基座的表面上設有鏡片；設置於基座上且位於空間中的光電二極體，其具有至少一P型接點和至少一N型接點，其中P型接點和N型接點位於光電二極體的同一表面上；以及以使其放射區域位於鏡片焦點的方式設置於光電二極體上的面射型雷射，其位於空間中且與光電二極體電性連接。藉由本創作之構成，不僅可簡化結構和製程，且可在減少成本並提高良率的情況下，符合乙太網路標準。
简体摘要：本创作提供一种面射型激光组件封装结构，包括：基座；设置于基座上且与基座之间形成空间的盖，盖在其相对于基座的表面上设有镜片；设置于基座上且位于空间中的光电二极管，其具有至少一P型接点和至少一N型接点，其中P型接点和N型接点位于光电二极管的同一表面上；以及以使其放射区域位于镜片焦点的方式设置于光电二极管上的面射型激光，其位于空间中且与光电二极管电性连接。借由本创作之构成，不仅可简化结构和制程，且可在减少成本并提高良率的情况下，符合以太网标准。

9. 发明专利

TW533632B 單模輸出之垂直共振腔面射型雷射元件失效
简体标题：单模输出之垂直共振腔面射型激光组件
公开(公告)号：TW533632B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW091112297
申请日：2002-06-07
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：邱舒偉 , 楊泓斌 , 宋嘉斌 , 祁錦雲
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18394 , H01S5/028 , H01S5/18313 , H01S5/18341 , H01S2301/166
摘要：本發明係為一種單模輸出之垂直共振腔面射型雷射(VCSEL)元件，係於一般的多模輸出之垂直共振腔面射型雷射元件上鍍上一層抗反射膜，並於抗反射膜上形成一發光窗；由於抗反射膜可讓多模輸出之垂直共振腔面射型雷射元件與在該抗反射膜底部的布拉格反射鏡之全部反射率降低，使注入電流在流向未被抗反射膜所覆蓋的區域，較易形成單模雷射光，並經由發光窗輸出單模雷射光；並且，透過光功率-電流特性曲線及光譜特性，即可找出較佳的電流值，本發明即可控制單模光的輸出。
简体摘要：本发明系为一种单模输出之垂直共振腔面射型激光(VCSEL)组件，系于一般的多模输出之垂直共振腔面射型激光组件上镀上一层抗反射膜，并于抗反射膜上形成一发光窗；由于抗反射膜可让多模输出之垂直共振腔面射型激光组件与在该抗反射膜底部的布拉格反射镜之全部反射率降低，使注入电流在流向未被抗反射膜所覆盖的区域，较易形成单模激光光，并经由发光窗输出单模激光光；并且，透过光功率-电流特性曲线及光谱特性，即可找出较佳的电流值，本发明即可控制单模光的输出。

10. 实用新型

TW372675U 具有廣視角的發光二極體及應用此發光二極體的燈具失效
简体标题：具有广视角的发光二极管及应用此发光二极管的灯具
公开(公告)号：TW372675U
公开(公告)日：1999-10-21
申请号：TW086220574
申请日：1997-12-10
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：楊泓斌 , 黃榮義 , 游本增 , 姜淑婉
IPC分类号： H05B
摘要：一種具有廣視角的發光二極體及應用此發光二極體的燈具，具有較大之發光角度，可取代部份燈泡之照明及裝飾功能，並可串聯或並聯複數個發光二極體裝置，以做為裝飾之用，具有省電、不易破損、壽命期長之優點。前述具有廣視角的發光二極體係包括：一對金屬接腳，彼此平行設置，且其中一接腳之一端上具有平台；發光二極體晶粒，固定放置於前述接腳一端之平台上；金線，用以導通前述發光二極體晶粒與另一金屬接腳；一封裝用之樹脂外殼，用以封裝前述發光二極體晶粒，其主要特徵在於該樹脂外殼的頂部起始之直徑與高度之比例小於１。
简体摘要：一种具有广视角的发光二极管及应用此发光二极管的灯具，具有较大之发光角度，可取代部份灯泡之照明及装饰功能，并可串联或并联复数个发光二极管设备，以做为装饰之用，具有省电、不易破损、寿命期长之优点。前述具有广视角的发光二极管系包括：一对金属接脚，彼此平行设置，且其中一接脚之一端上具有平台；发光二极管晶粒，固定放置于前述接脚一端之平台上；金线，用以导通前述发光二极管晶粒与另一金属接脚；一封装用之树脂外壳，用以封装前述发光二极管晶粒，其主要特征在于该树脂外壳的顶部起始之直径与高度之比例小于１。

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