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1. 发明专利

TW201543574A 硬遮罩材料审中-公开
公开(公告)号：TW201543574A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104126278
申请日：2010-11-25
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：雷家拉健維許瓦納森 , RANGARAJAN, VISHWANATHAN , 安東尼力喬治安德魯 , ANTONELLI, GEORGE ANDREW , 班尼吉亞那達 , BANERJI, ANANDA , 凡史拉文德克巴特 , VAN SCHRAVENDIJK, BART
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/321 , C23C16/30 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/76813
摘要：本發明提供具有高硬度及低應力之硬遮罩薄膜。在某些實施例中，一薄膜之應力介於約-600MPa與600MPa之間且硬度為至少約12GPa。在某些實施例中，藉由使用多個緻密化電漿後處理在一PECVD製程室中沈積多個經摻雜或未經摻雜碳化矽子層來製備一硬遮罩薄膜。在某些實施例中，一硬遮罩薄膜包括選自由以下各項組成之群組之一高硬度含硼薄膜：SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxCy及BxNy。在某些實施例中，一硬遮罩薄膜包括包含至少約60原子%之鍺之一富鍺GeNx材料。此等硬遮罩可用於積體電路製作中之若干個後端及前端處理方案中。
简体摘要：本发明提供具有高硬度及低应力之硬遮罩薄膜。在某些实施例中，一薄膜之应力介于约-600MPa与600MPa之间且硬度为至少约12GPa。在某些实施例中，借由使用多个致密化等离子后处理在一PECVD制程室中沉积多个经掺杂或未经掺杂碳化硅子层来制备一硬遮罩薄膜。在某些实施例中，一硬遮罩薄膜包括选自由以下各项组成之群组之一高硬度含硼薄膜：SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxCy及BxNy。在某些实施例中，一硬遮罩薄膜包括包含至少约60原子%之锗之一富锗GeNx材料。此等硬遮罩可用于集成电路制作中之若干个后端及前端处理方案中。

2. 发明专利

TW201138024A 用於鑲嵌互連件中的電遷移電阻改進的界面層 INTERFACIAL LAYERS FOR ELECTROMIGRATION RESISTANCE IMPROVEMENT IN DAMASCENE INTERCONNECTS 审中-公开
简体标题：用于镶嵌互连件中的电迁移电阻改进的界面层 INTERFACIAL LAYERS FOR ELECTROMIGRATION RESISTANCE IMPROVEMENT IN DAMASCENE INTERCONNECTS
公开(公告)号：TW201138024A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW100101507
申请日：2011-01-14
申请人：諾菲勒斯系統公司
发明人：班尼吉亞那達 , 安東尼力喬治安德魯 , 歐勞夫林珍妮佛 , 史林雷曼地炎 , 凡史拉文德克巴特 , 瓦拉達拉詹西莎薩伊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：使用駐留於金屬線與介電質擴散障壁(或蝕刻終止)層之間的界面處之保護蓋來改進互連件之電遷移效能。藉由藉助在至少約350℃之基板溫度下在無電漿的情況下用有機鋁化合物處理無氧化物之銅表面而將第一含鋁材料層沈積於暴露之銅線上,來形成保護蓋。該所形成之含鋁層在化學轉化中被部分或完全鈍化,該化學轉化在該層中形成Al-N、Al-O或Al-O與Al-N鍵兩者。在一些實施例中,藉由在無電漿的情況下使具有暴露之第一層的基板與含氧反應物及/或含氮反應物接觸來執行鈍化。可在包含暴露之ULK介電質之基板上形成保護蓋。駐留於該介電質部分上之該含鋁層通常將自發地形成包含Al-O鍵之非導電層。
简体摘要：使用驻留于金属线与介电质扩散障壁(或蚀刻终止)层之间的界面处之保护盖来改进互连件之电迁移性能。借由借助在至少约350℃之基板温度下在无等离子的情况下用有机铝化合物处理无氧化物之铜表面而将第一含铝材料层沉积于暴露之铜在线,来形成保护盖。该所形成之含铝层在化学转化中被部分或完全钝化,该化学转化在该层中形成Al-N、Al-O或Al-O与Al-N键两者。在一些实施例中,借由在无等离子的情况下使具有暴露之第一层的基板与含氧反应物及/或含氮反应物接触来运行钝化。可在包含暴露之ULK介电质之基板上形成保护盖。驻留于该介电质部分上之该含铝层通常将自发地形成包含Al-O键之非导电层。

3. 发明专利

TWI505364B 硬遮罩材料有权
公开(公告)号：TWI505364B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW099140866
申请日：2010-11-25
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：雷家拉健維許瓦納森 , RANGARAJAN, VISHWANATHAN , 安東尼力喬治安德魯 , ANTONELLI, GEORGE ANDREW , 班尼吉亞那達 , BANERJI, ANANDA , 凡史拉文德克巴特 , VAN SCHRAVENDIJK, BART
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/321 , C23C16/38 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/76813

4. 发明专利

TW201130050A 硬遮罩材料 HARDMASK MATERIALS 审中-公开
公开(公告)号：TW201130050A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099140866
申请日：2010-11-25
申请人：諾菲勒斯系統公司
发明人：雷家拉健維許瓦納森 , 安東尼力喬治安德魯 , 班尼吉亞那達 , 凡史拉文德克巴特
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/76813
摘要：本發明提供具有高硬度及低應力之硬遮罩薄膜。在某些實施例中，一薄膜之應力介於約-600MPa與600MPa之間且硬度為至少約12GPa。在某些實施例中，藉由使用多個緻密化電漿後處理在一PECVD製程室中沈積多個經摻雜或未經摻雜碳化矽子層來製備一硬遮罩薄膜。在某些實施例中，一硬遮罩薄膜包括選自由以下各項組成之群組之一高硬度含硼薄膜：SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxCy及BxNy。在某些實施例中，一硬遮罩薄膜包括包含至少約60原子％之鍺之一富鍺GeNx材料。此等硬遮罩可用於積體電路製作中之若干個後端及前端處理方案中。
简体摘要：本发明提供具有高硬度及低应力之硬遮罩薄膜。在某些实施例中，一薄膜之应力介于约-600MPa与600MPa之间且硬度为至少约12GPa。在某些实施例中，借由使用多个致密化等离子后处理在一PECVD制程室中沉积多个经掺杂或未经掺杂碳化硅子层来制备一硬遮罩薄膜。在某些实施例中，一硬遮罩薄膜包括选自由以下各项组成之群组之一高硬度含硼薄膜：SixByCz、SixByNz、SixByCzNw、BxCy及BxNy。在某些实施例中，一硬遮罩薄膜包括包含至少约60原子％之锗之一富锗GeNx材料。此等硬遮罩可用于集成电路制作中之若干个后端及前端处理方案中。

5. 发明专利

TWI612618B 用於鑲嵌互連件中的電遷移電阻改進的界面層有权
简体标题：用于镶嵌互连件中的电迁移电阻改进的界面层
公开(公告)号：TWI612618B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW100101507
申请日：2011-01-14
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：班尼吉亞那達 , BANERJI, ANANDA , 安東尼力喬治安德魯 , ANTONELLI, GEORGE ANDREW , 歐勞夫林珍妮佛 , O'LOUGHLIN, JENNIFER , 史林雷曼地炎 , SRIRAM, MANDYAM , 凡史拉文德克巴特 , VAN SCHRAVENDIJK, BART , 瓦拉達拉詹西莎薩伊 , VARADARAJAN, SESHASAYEE
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201709418A 用於鑲嵌互連件中的電遷移電阻改進的界面層审中-公开
简体标题：用于镶嵌互连件中的电迁移电阻改进的界面层
公开(公告)号：TW201709418A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105123303
申请日：2011-01-14
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：班尼吉亞那達 , BANERJI, ANANDA , 安東尼力喬治安德魯 , ANTONELLI, GEORGE ANDREW , 歐勞夫林珍妮佛 , O'LOUGHLIN, JENNIFER , 史林雷曼地炎 , SRIRAM, MANDYAM , 凡史拉文德克巴特 , VAN SCHRAVENDIJK, BART , 瓦拉達拉詹西莎薩伊 , VARADARAJAN, SESHASAYEE
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：使用駐留於金屬線與介電質擴散障壁(或蝕刻終止)層之間的界面處之保護蓋來改進互連件之電遷移效能。藉由藉助在至少約350℃之基板溫度下在無電漿的情況下用有機鋁化合物處理無氧化物之銅表面而將第一含鋁材料層沈積於暴露之銅線上，來形成保護蓋。該所形成之含鋁層在化學轉化中被部分或完全鈍化，該化學轉化在該層中形成Al-N、Al-O或Al-O與Al-N鍵兩者。在一些實施例中，藉由在無電漿的情況下使具有暴露之第一層的基板與含氧反應物及/或含氮反應物接觸來執行鈍化。可在包含暴露之ULK介電質之基板上形成保護蓋。駐留於該介電質部分上之該含鋁層通常將自發地形成包含Al-O鍵之非導電層。
简体摘要：使用驻留于金属线与介电质扩散障壁(或蚀刻终止)层之间的界面处之保护盖来改进互连件之电迁移性能。借由借助在至少约350℃之基板温度下在无等离子的情况下用有机铝化合物处理无氧化物之铜表面而将第一含铝材料层沉积于暴露之铜在线，来形成保护盖。该所形成之含铝层在化学转化中被部分或完全钝化，该化学转化在该层中形成Al-N、Al-O或Al-O与Al-N键两者。在一些实施例中，借由在无等离子的情况下使具有暴露之第一层的基板与含氧反应物及/或含氮反应物接触来运行钝化。可在包含暴露之ULK介电质之基板上形成保护盖。驻留于该介电质部分上之该含铝层通常将自发地形成包含Al-O键之非导电层。

7. 发明专利

TWI547997B 硬遮罩材料有权
公开(公告)号：TWI547997B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104126278
申请日：2010-11-25
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：雷家拉健維許瓦納森 , RANGARAJAN, VISHWANATHAN , 安東尼力喬治安德魯 , ANTONELLI, GEORGE ANDREW , 班尼吉亞那達 , BANERJI, ANANDA , 凡史拉文德克巴特 , VAN SCHRAVENDIJK, BART
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/321 , C23C16/30 , C23C16/513
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/76813

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