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1. 发明专利

TW200738868A 使用雙相基板清理化合物之方法及系統 METHOD AND SYSTEM FOR USING A TWO-PHASES SUBSTRATE CLEANING COMPOUND 失效
简体标题：使用双相基板清理化合物之方法及系统 METHOD AND SYSTEM FOR USING A TWO-PHASES SUBSTRATE CLEANING COMPOUND
公开(公告)号：TW200738868A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095149604
申请日：2006-12-28
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 卡翠那米凱俐茜可 MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MIKE , 佛禮茲瑞德克 REDEKER, FRITZ
IPC分类号： C11D , H01L , B08B
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B7/02 , C11D1/146 , C11D3/2079 , C11D9/02 , C11D17/0013 , C11D17/0017 , C23G1/18 , G03F7/423 , H01L21/02052 , H01L21/31133 , H01L21/6708 , H01L21/67086
摘要：一種自基板表面移除污染物的清潔劑、設備及方法。與一種自半導體基板表面移除微粒污染物之例示性清潔劑。該清潔劑包含具有黏度介於約1 cP至約10,000 cP之黏性液體。該清潔劑亦包含分散於該黏性液體中的複數固體成分,該複數固體成分與該基板表面上的微粒污染物產生交互作用以自該基板表面移除該微粒污染物。
简体摘要：一种自基板表面移除污染物的清洁剂、设备及方法。与一种自半导体基板表面移除微粒污染物之例示性清洁剂。该清洁剂包含具有黏度介于约1 cP至约10,000 cP之黏性液体。该清洁剂亦包含分散于该黏性液体中的复数固体成分,该复数固体成分与该基板表面上的微粒污染物产生交互作用以自该基板表面移除该微粒污染物。

2. 发明专利

TW200738359A 顆粒移除方法及設備 METHOD AND APPARATUS FOR PARTICLE REMOVAL 失效
简体标题：颗粒移除方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR PARTICLE REMOVAL
公开(公告)号：TW200738359A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095149600
申请日：2006-12-28
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 卡翠那米凱俐茜可 MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 佛禮茲C 瑞德克 REDEKER, FRITZ C.
IPC分类号： B08B
CPC分类号： B08B3/024 , B08B3/003 , B08B3/08 , B08B6/00 , H01L21/67051
摘要：一種基板表面之清理方法與系統,該表面上具有微粒物,此方法與系統之特徵在於:將具有耦合元件乘載於其中的液體的噴射流撞擊於該表面。將充分的拖曳力施加至該耦合元件上,以使該耦合元件相對於該液體進行移動並使該微粒物相對於該基板進行移動。
简体摘要：一种基板表面之清理方法与系统,该表面上具有微粒物,此方法与系统之特征在于:将具有耦合组件乘载于其中的液体的喷射流撞击于该表面。将充分的拖曳力施加至该耦合组件上,以使该耦合组件相对于该液体进行移动并使该微粒物相对于该基板进行移动。

3. 发明专利

TW200738357A 半導體基板之清理方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：半导体基板之清理方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200738357A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096100025
申请日：2007-01-02
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 卡翠那米凱俐茜可 MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 佛瑞德C 瑞德克 REDEKER, FRED C.
IPC分类号： B08B
CPC分类号： B08B7/00 , B08B3/00 , B08B7/02 , C11D9/02 , C11D11/0047 , C11D17/0017 , C23G1/18 , G03F7/423 , H01L21/02052 , H01L21/31133 , H01L21/67028 , H01L21/6708 , H01L21/67086
摘要：一種基板清理方法。本方法開始時,將具有固體成分的流體層佈置於基板之表面。接著,產生實質上平行於該基板之該表面且朝向該基板之外緣的剪應力。在一實施例中,該剪應力係起因於施加至與該流體層接觸之固態體的力的正向分量或切向分量中之一者。沖洗該基板之該表面以移除該流體層。本發明亦提供一種清理系統與設備。
简体摘要：一种基板清理方法。本方法开始时,将具有固体成分的流体层布置于基板之表面。接着,产生实质上平行于该基板之该表面且朝向该基板之外缘的剪应力。在一实施例中,该剪应力系起因于施加至与该流体层接触之固态体的力的正向分量或切向分量中之一者。冲洗该基板之该表面以移除该流体层。本发明亦提供一种清理系统与设备。

4. 发明专利

TW200849351A 施加週期性之剪應力於清理溶液以清理半導體晶圓表面的方法 METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES BY APPLYING PERIODIC SHEAR STRESS TO THE CLEANING SOLUTION 审中-公开
简体标题：施加周期性之剪应力于清理溶液以清理半导体晶圆表面的方法 METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER SURFACES BY APPLYING PERIODIC SHEAR STRESS TO THE CLEANING SOLUTION
公开(公告)号：TW200849351A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW097112306
申请日：2008-04-03
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 佛禮茲C 瑞德克 REDEKER, FRITZ C.
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： B08B3/12 , H01L21/67051 , H01L21/67057
摘要：本發明係關於用以清理附著於晶圓表面之微粒污染物的系統與方法。包含懸浮在其中之分散耦合元素的清理媒介被施加至晶圓表面上。外部能量被施加至清理媒介,以在此媒介內產生週期性剪應力。週期性剪應力在耦合元素上給予動量及/或曳力,而使耦合元素與微粒污染物產生交互作用,以從晶圓表面移除微粒污染物。
简体摘要：本发明系关于用以清理附着于晶圆表面之微粒污染物的系统与方法。包含悬浮在其中之分散耦合元素的清理媒介被施加至晶圆表面上。外部能量被施加至清理媒介,以在此媒介内产生周期性剪应力。周期性剪应力在耦合元素上给予动量及/或曳力,而使耦合元素与微粒污染物产生交互作用,以从晶圆表面移除微粒污染物。

5. 发明专利

TW200805467A 基板之清理設備及系統 APPARATUS AND SYSTEM FOR CLEANING A SUBSTRATE 失效
简体标题：基板之清理设备及系统 APPARATUS AND SYSTEM FOR CLEANING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200805467A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW095147823
申请日：2006-12-20
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 卡翠那米凱俐茜可 MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 佛瑞德C 瑞德克 REDEKER, FRED C. , 克林特湯瑪斯 THOMAS, CLINT , 約翰帕克斯 PARKS, JOHN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/003 , B08B3/02
摘要：一種基板清理設備,具有第一頭單元及第二頭單元。該第一頭單元位於該基板之表面的附近,且具有形成於內並用以將泡沫供給至該基板之該表面的第一列導管。第二頭單元的位置實質上與該第一頭單元相鄰且位於該基板之該表面的附近。第二及第三列導管形成於該第二頭單元內。第二列導管係用以將流體供給至該基板之該表面。該第三列導管係用以將真空施加至該基板之該表面。
简体摘要：一种基板清理设备,具有第一头单元及第二头单元。该第一头单元位于该基板之表面的附近,且具有形成于内并用以将泡沫供给至该基板之该表面的第一列导管。第二头单元的位置实质上与该第一头单元相邻且位于该基板之该表面的附近。第二及第三列导管形成于该第二头单元内。第二列导管系用以将流体供给至该基板之该表面。该第三列导管系用以将真空施加至该基板之该表面。

6. 发明专利

TW200740536A 半導體基板之清理方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 失效
简体标题：半导体基板之清理方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR CLEANING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200740536A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096100024
申请日：2007-01-02
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 卡翠那米凱俐茜可 MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 佛瑞德C 瑞德克 REDEKER, FRED C.
IPC分类号： B08B
CPC分类号： H01L21/6715 , B05D3/10 , C11D3/14 , C11D11/0047 , C11D17/0004 , C11D17/0013 , C23G1/00 , G03F7/42 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/67051
摘要：本發明提供一種基板清理方法。本方法開始於施加活性溶液至基板表面。使活性溶液及基板表面與固體清理表面之表面接觸。活性溶液被吸收至固體清理元件之部分中,接著基板或固體清理表面中之一者相對於彼此作移動,以清理基板表面。本發明亦提供一種基板表面的清理方法,其利用經歷塑性形變的固體清理元件來進行。本發明亦提供對應的清理設備。
简体摘要：本发明提供一种基板清理方法。本方法开始于施加活性溶液至基板表面。使活性溶液及基板表面与固体清理表面之表面接触。活性溶液被吸收至固体清理组件之部分中,接着基板或固体清理表面中之一者相对于彼此作移动,以清理基板表面。本发明亦提供一种基板表面的清理方法,其利用经历塑性形变的固体清理组件来进行。本发明亦提供对应的清理设备。

7. 发明专利

TW200921779A 包含化學品表面的處理方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR CONTAINED CHEMICAL SURFACE TREATMENT 失效
简体标题：包含化学品表面的处理方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTAINED CHEMICAL SURFACE TREATMENT
公开(公告)号：TW200921779A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097104245
申请日：2008-02-04
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：卡翠那米凱俐茜可 MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MIKE , 佛禮茲瑞德克 REDEKER, FRITZ , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02057 , C25D5/34 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , H01L21/76841
摘要：一種使用近接頭製備基板表面的裝置、系統以及方法包含:將非牛頓流體施加在基板表面與近接頭之頭表面之間。非牛頓流體沿著位於頭表面與基板表面之間的一個或更多側邊形成容納壁。以非牛頓流體所設置的一個或更多側邊,形成位於頭表面與基板表面之間的基板上的處理區域。透過近接頭將牛頓流體施加至基板表面,以使所施加的牛頓流體實質上被容納在容納壁所形成的處理區域中。所容納的牛頓流體可促進從基板表面移除一種或更多的污染物。在一範例中,非牛頓流體亦可用以建立環境受控隔離區域,此可促進在此區域內之表面的受控處理。在另一範例中,第二非牛頓流體被施加至處理區域以取代牛頓流體。該第二非牛頓流體與基板表面上的一種或更多污染物發生作用,而從基板表面將該等污染物實質移除。
简体摘要：一种使用近接头制备基板表面的设备、系统以及方法包含:将非牛顿流体施加在基板表面与近接头之头表面之间。非牛顿流体沿着位于头表面与基板表面之间的一个或更多侧边形成容纳壁。以非牛顿流体所设置的一个或更多侧边,形成位于头表面与基板表面之间的基板上的处理区域。透过近接头将牛顿流体施加至基板表面,以使所施加的牛顿流体实质上被容纳在容纳壁所形成的处理区域中。所容纳的牛顿流体可促进从基板表面移除一种或更多的污染物。在一范例中,非牛顿流体亦可用以创建环境受控隔离区域,此可促进在此区域内之表面的受控处理。在另一范例中,第二非牛顿流体被施加至处理区域以取代牛顿流体。该第二非牛顿流体与基板表面上的一种或更多污染物发生作用,而从基板表面将该等污染物实质移除。

8. 发明专利

TW200907118A 利用多相溶液之基板清理技術 SUBSTRATE CLEANING TECHNIQUES EMPLOYING MULTI-PHASE SOLUTION 失效
简体标题：利用多相溶液之基板清理技术 SUBSTRATE CLEANING TECHNIQUES EMPLOYING MULTI-PHASE SOLUTION
公开(公告)号：TW200907118A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097115555
申请日：2008-04-28
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 佛禮茲C 瑞德克 REDEKER, FRITZ C.
IPC分类号： C25F , B08B , H01L
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/02052 , H01L21/67034 , H01L21/67057 , H01L21/67751
摘要：一種清理半導體晶圓之相對表面的方法與系統,於該等相對表面上具有微粒物質。該方法包含在一流體與該基板之間產生相對運動。該相對運動係位於橫切該等相對表面其中之一之法向的方向,並且產生兩分離流。每一該等流係鄰接於該等相對表面其中之一,該相對表面係不同於該等複數流的剩餘流所鄰接的該相對表面。該流體具有混入於其中的耦合元件,並且該相對運動被建立而對該等耦合元件的一子集合施予足夠的拖曳力,以在該流體內產生該子集合之該等耦合元件的運動。以此種方式對該微粒物質施予一拖曳力,該拖曳力可導致該微粒物質相對於該基板而移動。
简体摘要：一种清理半导体晶圆之相对表面的方法与系统,于该等相对表面上具有微粒物质。该方法包含在一流体与该基板之间产生相对运动。该相对运动系位于横切该等相对表面其中之一之法向的方向,并且产生两分离流。每一该等流系邻接于该等相对表面其中之一,该相对表面系不同于该等复数流的剩余流所邻接的该相对表面。该流体具有混入于其中的耦合组件,并且该相对运动被创建而对该等耦合组件的一子集合施予足够的拖曳力,以在该流体内产生该子集合之该等耦合组件的运动。以此种方式对该微粒物质施予一拖曳力,该拖曳力可导致该微粒物质相对于该基板而移动。

9. 发明专利

TW200733210A 清理基板用之方法與材料 METHOD AND MATERIAL FOR CLEANING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：清理基板用之方法与材料 METHOD AND MATERIAL FOR CLEANING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200733210A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095144352
申请日：2006-11-30
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M. , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 卡翠那米凱俐茜可 MIKHAYLICHENKO, KATRINA , 麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 佛瑞德C 瑞德克 REDEKER, FRED C.
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/04 , B08B7/00 , C11D11/0047 , C11D17/0013 , C11D17/0017 , G03F1/82 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/67051
摘要：本發明揭露使用三相體之清理方法。提供具有粒子沈積於上之基板。產生具有固體部、液體部及氣體部之三相體。施力於該三相體上以在固體部與粒子間產生交互作用。自基板表面將三相體與粒子一起移除。固體部與粒子間之交互作用使粒子隨著三相體一起被移除。
简体摘要：本发明揭露使用三相体之清理方法。提供具有粒子沉积于上之基板。产生具有固体部、液体部及气体部之三相体。施力于该三相体上以在固体部与粒子间产生交互作用。自基板表面将三相体与粒子一起移除。固体部与粒子间之交互作用使粒子随着三相体一起被移除。

10. 发明专利

TW200903573A 具有轉向之真空導管的近接頭相關之系統、設備及方法 PROXIMITY HEAD WITH ANGLED VACUUM CONDUIT SYSTEM, APPARATUS AND METHOD 审中-公开
简体标题：具有转向之真空导管的近接头相关之系统、设备及方法 PROXIMITY HEAD WITH ANGLED VACUUM CONDUIT SYSTEM, APPARATUS AND METHOD
公开(公告)号：TW200903573A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097111301
申请日：2008-03-28
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：麥可瑞夫肯 RAVKIN, MICHAEL , 約翰M 德賴瑞厄斯 DE LARIOS, JOHN M. , 佛瑞德C 瑞德克 REDEKER, FRED C. , 密克海爾克羅立克 KOROLIK, MIKHAIL , 艾瑞克M 弗利爾 FREER, ERIK M.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051
摘要：一近接頭包含一頭部表面。該頭部表面包含一第一平坦區域及複數之第一導管。每一該複數之第一導管由相對應的複數之第一分離孔的其中一個所界定。該複數之第一分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第一平坦區域。該頭部表面亦包含一第二平坦區域及複數之第二導管。該複數之第二導管由相對應的複數之第二分離孔所界定,該第二分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第二平坦區域。該頭部表面亦包含一第三平坦區域及複數之第三導管,該第三平坦區域被設置於該第一平坦區域與該第二平坦區域之間並鄰近於該二者。該複數之第三導管由相對應的複數之第三分離孔所界定,該第三分離孔存在於該頭部表面中且延伸穿過該第三平坦區域。該第三導管以相對於該第三平坦區域之一第一角度而形成,該第一角度介於30與60度之間。亦說明利用近接頭來處理基板的系統及方法。
简体摘要：一近接头包含一头部表面。该头部表面包含一第一平坦区域及复数之第一导管。每一该复数之第一导管由相对应的复数之第一分离孔的其中一个所界定。该复数之第一分离孔存在于该头部表面中且延伸穿过该第一平坦区域。该头部表面亦包含一第二平坦区域及复数之第二导管。该复数之第二导管由相对应的复数之第二分离孔所界定,该第二分离孔存在于该头部表面中且延伸穿过该第二平坦区域。该头部表面亦包含一第三平坦区域及复数之第三导管,该第三平坦区域被设置于该第一平坦区域与该第二平坦区域之间并邻近于该二者。该复数之第三导管由相对应的复数之第三分离孔所界定,该第三分离孔存在于该头部表面中且延伸穿过该第三平坦区域。该第三导管以相对于该第三平坦区域之一第一角度而形成,该第一角度介于30与60度之间。亦说明利用近接头来处理基板的系统及方法。

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