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1. 发明专利

TW201842613A 下電極組裝用邊緣密封审中-公开
简体标题：下电极组装用边缘密封
公开(公告)号：TW201842613A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107131546
申请日：2014-12-24
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：高夫凱伊斯威廉 , GAFF,KEITH WILLIAM , 布吉馬修 , BUSCHE,MATTHEW , 瑞奇安東尼 , RICCI,ANTHONY , 普瓦尼亨利S , POVOLNY,HENRY S. , 史帝夫諾史考特 , STEVENOT,SCOTT
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/66 , H01J37/32
摘要：一種用以在電漿處理腔室中支撐半導體基板的下電極組件，包括：一溫度控制下基座板、一上板、一圍繞接合層的安裝溝槽、以及一包含壓縮在溝槽中的環之邊緣密封件。氣體源將惰性氣體供應至溝槽，並將溝槽中之惰性氣體維持在100毫托耳至100托耳的壓力。
简体摘要：一种用以在等离子处理腔室中支撑半导体基板的下电极组件，包括：一温度控制下基座板、一上板、一围绕接合层的安装沟槽、以及一包含压缩在沟槽中的环之边缘密封件。气体源将惰性气体供应至沟槽，并将沟槽中之惰性气体维持在100毫托耳至100托耳的压力。

2. 发明专利

TW201643993A 熱板及具有該熱板之基板支持組件及製造該熱板的方法审中-公开
简体标题：热板及具有该热板之基板支持组件及制造该热板的方法
公开(公告)号：TW201643993A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105130713
申请日：2012-09-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：高夫凱伊斯威廉 , GAFF,KEITH WILLIAM , 卡門登特凱伊斯 , COMENDANT,KEITH , 瑞奇安東尼 , RICCI,ANTHONY
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165
摘要：在半導體電漿處理設備內的基板支持組件之一熱板，包含複數個獨立可控制平面熱區被安排成可縮放多工布局，和獨立控制和啟動該平面熱區的電子設備。各個平面熱區使用至少一個帕耳帖裝置當作熱電元件。於內結合該熱板的一基板支持組件包含一靜電夾持電極層和一溫度控制底板。製造該熱板的方法包含接合具有平面熱區、正、負、和共同線和穿孔的陶瓷或聚合物片狀物。
简体摘要：在半导体等离子处理设备内的基板支持组件之一热板，包含复数个独立可控制平面热区被安排成可缩放多任务布局，和独立控制和启动该平面热区的电子设备。各个平面热区使用至少一个帕耳帖设备当作热电组件。于内结合该热板的一基板支持组件包含一静电夹持电极层和一温度控制底板。制造该热板的方法包含接合具有平面热区、正、负、和共同线和穿孔的陶瓷或聚合物片状物。

3. 发明专利

TWI688028B 下電極組裝用邊緣密封有权
简体标题：下电极组装用边缘密封
公开(公告)号：TWI688028B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107131546
申请日：2014-12-24
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：高夫凱伊斯威廉 , GAFF,KEITH WILLIAM , 布吉馬修 , BUSCHE,MATTHEW , 瑞奇安東尼 , RICCI,ANTHONY , 普瓦尼亨利S , POVOLNY,HENRY S. , 史帝夫諾史考特 , STEVENOT,SCOTT
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/66 , H01J37/32

4. 发明专利

TW201611108A 半導體基板支座之溫度控制設備及方法审中-公开
简体标题：半导体基板支座之温度控制设备及方法
公开(公告)号：TW201611108A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104139542
申请日：2011-04-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞絲安東尼 , RICCI,ANTHONY , 艾略爾沙瑞伯 , ULLAL,SAURABH , 肯麥可 , KANG,MICHAEL , 布吉馬修 , BUSCHE,MATTHEW
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109
摘要：一種基板支座之再循環系統，該基板支座之上係支撐著在一真空室之中受一多步驟處理的一半導體基板，此系統包含一基板支座，具有位在其底座之中的至少一液體流道、一入口及一出口，與該流道呈流體連通、一供流管，與該入口呈流體連通、及一回流管，與該出口呈流體連通；一第一再循環器，與該供流管及該回流管呈流體連通而提供溫度為T1 的液體；一第二再循環器，與該供流管及該回流管呈流體連通而提供溫度為T2 的液體，而溫度T2 係高於溫度T1 至少10°C；一預冷單元，連接至該入口及該出口而提供溫度為Tpc 的液體，而溫度Tpc 係低於T1 至少10°C；一預熱單元，連接至該入口及該出口而提供溫度為Tph 的液體，而溫度Tph 係高於T2 至少10°C；一控制器，可受操作地選擇性操作該再循環系統的閥件，俾能使液體在該流道與該第一再循環器、該第二再循環器、該預冷單元或該預熱單元之間再循環。
简体摘要：一种基板支座之再循环系统，该基板支座之上系支撑着在一真空室之中受一多步骤处理的一半导体基板，此系统包含一基板支座，具有位在其底座之中的至少一液体流道、一入口及一出口，与该流道呈流体连通、一供流管，与该入口呈流体连通、及一回流管，与该出口呈流体连通；一第一再循环器，与该供流管及该回流管呈流体连通而提供温度为T1 的液体；一第二再循环器，与该供流管及该回流管呈流体连通而提供温度为T2 的液体，而温度T2 系高于温度T1 至少10°C；一预冷单元，连接至该入口及该出口而提供温度为Tpc 的液体，而温度Tpc 系低于T1 至少10°C；一预热单元，连接至该入口及该出口而提供温度为Tph 的液体，而温度Tph 系高于T2 至少10°C；一控制器，可受操作地选择性操作该再循环系统的阀件，俾能使液体在该流道与该第一再循环器、该第二再循环器、该预冷单元或该预热单元之间再循环。

5. 发明专利

TWI598989B 熱板及具有該熱板之基板支持組件及製造該熱板的方法有权
简体标题：热板及具有该热板之基板支持组件及制造该热板的方法
公开(公告)号：TWI598989B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105130713
申请日：2012-09-20
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：高夫凱伊斯威廉 , GAFF,KEITH WILLIAM , 卡門登特凱伊斯 , COMENDANT,KEITH , 瑞奇安東尼 , RICCI,ANTHONY
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： F25B21/04 , H01L21/0201 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L35/34 , Y10T29/49083 , Y10T29/49165

6. 发明专利

TWI567808B 半導體基板支座之溫度控制設備及方法有权
简体标题：半导体基板支座之温度控制设备及方法
公开(公告)号：TWI567808B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104139542
申请日：2011-04-26
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞絲安東尼 , RICCI,ANTHONY , 艾略爾沙瑞伯 , ULLAL,SAURABH , 肯麥可 , KANG,MICHAEL , 布吉馬修 , BUSCHE,MATTHEW
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01L21/67248 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01L21/67109

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