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1. 发明专利

TW201547042A 鍺光偵測器审中-公开
简体标题：锗光侦测器
公开(公告)号：TW201547042A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104129493
申请日：2011-06-30
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：艾薩發索羅門 , ASSEFA, SOLOMON , 金知煥 , KIM, JEEHWAN , 朴鎮宏 , PARK, JIN-HONG , 維拉索夫尤利A , VLASOV, YURII A.
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1808 , H01L31/1085 , Y02E10/50
摘要：一種形成光偵測器元件的方法，其包括在基板上形成絕緣層、在該絕緣層和該基板之一部分上形成Ge(鍺)層、在該Ge層上形成第二絕緣層、在該Ge層中植入n型離子、圖案化該n型Ge層、在該第二絕緣層和該第一絕緣層之一部分上形成覆蓋絕緣層、加熱該元件以結晶該Ge層產生單晶n型Ge層，以及形成電連接至該單晶n型Ge層的電極。
简体摘要：一种形成光侦测器组件的方法，其包括在基板上形成绝缘层、在该绝缘层和该基板之一部分上形成Ge(锗)层、在该Ge层上形成第二绝缘层、在该Ge层中植入n型离子、图案化该n型Ge层、在该第二绝缘层和该第一绝缘层之一部分上形成覆盖绝缘层、加热该组件以结晶该Ge层产生单晶n型Ge层，以及形成电连接至该单晶n型Ge层的电极。

2. 发明专利

TWI513015B 鍺光偵測器有权
简体标题：锗光侦测器
公开(公告)号：TWI513015B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100123032
申请日：2011-06-30
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：艾薩發索羅門 , ASSEFA, SOLOMON , 金知煥 , KIM, JEEHWAN , 朴鎮宏 , PARK, JIN-HONG , 維拉索夫尤利A , VLASOV, YURII A.
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1808 , H01L31/1085 , Y02E10/50

3. 发明专利

TWI497742B 使用硼摻雜的矽鍺層的層轉移技術有权
简体标题：使用硼掺杂的硅锗层的层转移技术
公开(公告)号：TWI497742B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW100103869
申请日：2011-02-01
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：貝戴爾史帝芬 , BEDELL, STEPHEN , 佛傑基斯 , FOGEL, KEITH , 印斯丹尼爾 , INNS, DANIEL , 金知煥 , KIM, JEEHWAN , 沙達那蒂凡卓 , SADANA, DEVENDRA , 凡奇康提詹姆斯 , VICHICONTI, JAMES
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/187

4. 发明专利

TWI568001B 鍺光偵測器有权
简体标题：锗光侦测器
公开(公告)号：TWI568001B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW104129493
申请日：2011-06-30
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：艾薩發索羅門 , ASSEFA, SOLOMON , 金知煥 , KIM, JEEHWAN , 朴鎮宏 , PARK, JIN-HONG , 維拉索夫尤利A , VLASOV, YURII A.
IPC分类号： H01L31/028 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1808 , H01L31/1085 , Y02E10/50

5. 发明专利

TW201214720A 鍺光偵測器 GERMANIUM PHOTODETECTOR 审中-公开
简体标题：锗光侦测器 GERMANIUM PHOTODETECTOR
公开(公告)号：TW201214720A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100123032
申请日：2011-06-30
申请人：萬國商業機器公司
发明人：艾薩發索羅門 , 金知煥 , 朴鎮宏 , 維拉索夫尤利A
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1808 , H01L31/1085 , Y02E10/50
摘要：一種形成光偵測器元件的方法，其包括在基板上形成絕緣層、在該絕緣層和該基板之一部分上形成Ge(鍺)層、在該Ge層上形成第二絕緣層、在該Ge層中植入n型離子、圖案化該n型Ge層、在該第二絕緣層和該第一絕緣層之一部分上形成覆蓋絕緣層、加熱該元件以結晶該Ge層產生單晶n型Ge層，以及形成電連接至該單晶n型Ge層的電極。
简体摘要：一种形成光侦测器组件的方法，其包括在基板上形成绝缘层、在该绝缘层和该基板之一部分上形成Ge(锗)层、在该Ge层上形成第二绝缘层、在该Ge层中植入n型离子、图案化该n型Ge层、在该第二绝缘层和该第一绝缘层之一部分上形成覆盖绝缘层、加热该组件以结晶该Ge层产生单晶n型Ge层，以及形成电连接至该单晶n型Ge层的电极。

6. 发明专利

TW201143123A 使用硼摻雜的矽鍺層的層轉移技術 LAYER TRANSFER USING BORON-DOPED SIGE LAYER 审中-公开
简体标题：使用硼掺杂的硅锗层的层转移技术 LAYER TRANSFER USING BORON-DOPED SIGE LAYER
公开(公告)号：TW201143123A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100103869
申请日：2011-02-01
申请人：萬國商業機器公司
发明人：貝戴爾史帝芬 , 佛傑基斯 , 印斯丹尼爾 , 金知煥 , 沙達那蒂凡卓 , 凡奇康提詹姆斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/187
摘要：本發明揭示一種使用硼摻雜的矽鍺(SiGe)層之層轉移方法,該方法包括:在一塊狀矽基板上形成一硼摻雜的矽鍺(SiGe)層;在該硼摻雜的矽鍺層之上形成一上矽(Si)層;將該硼摻雜的矽鍺層氫化;將該上矽層與一替代基板接合;以及在該硼摻雜的矽鍺層與該塊狀矽基板之間的一介面上蔓延一裂縫。本發明揭示一種使用硼摻雜的矽鍺(SiGe)層之層轉移系統,該系統包括:一塊狀矽基板;一硼摻雜的矽鍺層,其形成於該塊狀矽基板上,如此該硼摻雜的矽鍺層位於一上矽(Si)層底下,其中該硼摻雜的矽鍺層設置成在該硼摻雜的矽鍺層氫化之後,在該硼摻雜的矽鍺層與該塊狀矽基板之間的一介面上蔓延一裂縫;以及一替代基板,其接合至該上矽層。
简体摘要：本发明揭示一种使用硼掺杂的硅锗(SiGe)层之层转移方法,该方法包括:在一块状硅基板上形成一硼掺杂的硅锗(SiGe)层;在该硼掺杂的硅锗层之上形成一上硅(Si)层;将该硼掺杂的硅锗层氢化;将该上硅层与一替代基板接合;以及在该硼掺杂的硅锗层与该块状硅基板之间的一界面上蔓延一裂缝。本发明揭示一种使用硼掺杂的硅锗(SiGe)层之层转移系统,该系统包括:一块状硅基板;一硼掺杂的硅锗层,其形成于该块状硅基板上,如此该硼掺杂的硅锗层位于一上硅(Si)层底下,其中该硼掺杂的硅锗层设置成在该硼掺杂的硅锗层氢化之后,在该硼掺杂的硅锗层与该块状硅基板之间的一界面上蔓延一裂缝;以及一替代基板,其接合至该上硅层。

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