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1. 发明专利

TWI581335B 熱處理裝置有权
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TWI581335B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104124214
申请日：2015-07-24
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：呂維倫 , LU, WEI LUN , 陳皇宇 , CHEN, HUANG YU , 郭光揚 , KUO, KUANG YANG , 王建竣 , WANG, CHIEN CHUN , 白玉磐 , PAI, YU PAN
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/677

2. 发明专利

TW201705290A 熱處理裝置审中-公开
简体标题：热处理设备
公开(公告)号：TW201705290A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104124214
申请日：2015-07-24
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：呂維倫 , LU, WEI LUN , 陳皇宇 , CHEN, HUANG YU , 郭光揚 , KUO, KUANG YANG , 王建竣 , WANG, CHIEN CHUN , 白玉磐 , PAI, YU PAN
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/677
摘要：本發明之熱處理裝置包含有一箱體、複數個運輸通道以及複數個設置在箱體內的照光加熱源。箱體的第一表面上開設有連通至箱體內的N個進氣孔與N個排氣孔，其中N為大於1的正整數，且每一進氣孔係分別對應到排氣孔之一而形成N組氣孔對。運輸通道水平排列設置在箱體內，用以朝向一第一方向運輸半導體基板。第i組氣孔對中進氣孔中心點與排氣孔中心點在第一方向上的距離為LDi，第i組氣孔對中進氣孔在第一方向上的長度為LBi，第i組氣孔對中排氣孔在第一方向上的長度為LEi，max1i表示LBi與LEi兩者中的最大值，其中以下關係被滿足：1≦i≦N且LDi
简体摘要：本发明之热处理设备包含有一箱体、复数个运输信道以及复数个设置在箱体内的照光加热源。箱体的第一表面上开设有连通至箱体内的N个进气孔与N个排气孔，其中N为大于1的正整数，且每一进气孔系分别对应到排气孔之一而形成N组气孔对。运输信道水平排列设置在箱体内，用以朝向一第一方向运输半导体基板。第i组气孔对中进气孔中心点与排气孔中心点在第一方向上的距离为LDi，第i组气孔对中进气孔在第一方向上的长度为LBi，第i组气孔对中排气孔在第一方向上的长度为LEi，max1i表示LBi与LEi两者中的最大值，其中以下关系被满足：1≦i≦N且LDi<0.5*max1i。

3. 发明专利

TWI626755B 單面受光之太陽能電池及其製造方法與太陽能電池模組有权
简体标题：单面受光之太阳能电池及其制造方法与太阳能电池模块
公开(公告)号：TWI626755B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW105119324
申请日：2016-06-20
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：張評款 , CHANG, PING KUAN , 魏志銘 , WEI, CHIH MING , 王建竣 , WANG, CHIEN CHUN , 李濟群 , LI, CHI CHUN
IPC分类号： H01L31/0203 , H01L31/04 , H01L31/05 , H01L31/18

4. 发明专利

TWI604630B 半導體基板的處理裝置有权
简体标题：半导体基板的处理设备
公开(公告)号：TWI604630B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105141267
申请日：2016-12-13
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：呂維倫 , LU, WEILUN , 郭光揚 , KUO, KUANGYANG , 陳皇宇 , CHEN, HUANGYU , 王建竣 , WANG, CHIEN CHUN , 白玉磐 , PAI, YUPAN
IPC分类号： H01L31/18

5. 发明专利

TW201626583A 背接觸太陽能電池的製造方法审中-公开
简体标题：背接触太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：TW201626583A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104100583
申请日：2015-01-08
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES, INC.
发明人：曹韻國 , TSAO, YUN KUO , 賴光傑 , LAI, KUAN JAY , 白玉磐 , PAI, YU PAN , 王建竣 , WANG, CHIEN CHUN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：一種背接觸太陽能電池的製造方法，包含：以熱擴散法同時於一半導體基板之一背表面形成一第一摻雜區以及於該半導體基板之一受光面形成一第二摻雜區；移除該第二摻雜區；以離子佈值法對該背表面之一第一子區域進行摻雜以形成一射極區；對移除該第二摻雜區後的該受光面進行再蝕刻以提高該受光面的抗反射率；以及形成互相分離的一第一電極及一第二電極，且該第一電極與該第二電極分別與背接觸太陽能電池的射極區與背表面電場區連接。
简体摘要：一种背接触太阳能电池的制造方法，包含：以热扩散法同时于一半导体基板之一背表面形成一第一掺杂区以及于该半导体基板之一受光面形成一第二掺杂区；移除该第二掺杂区；以离子布值法对该背表面之一第一子区域进行掺杂以形成一射极区；对移除该第二掺杂区后的该受光面进行再蚀刻以提高该受光面的抗反射率；以及形成互相分离的一第一电极及一第二电极，且该第一电极与该第二电极分别与背接触太阳能电池的射极区与背表面电场区连接。

6. 发明专利

TWI615987B 太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI615987B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW104142229
申请日：2015-12-16
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES, INC.
发明人：劉書巖 , LIU, SHU YEN , 王建峻 , WANG, CHIEN CHUN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0693
CPC分类号： Y02E10/544

7. 发明专利

TW201801332A 單面受光之太陽能電池及其製造方法與太陽能電池模組审中-公开
简体标题：单面受光之太阳能电池及其制造方法与太阳能电池模块
公开(公告)号：TW201801332A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105119324
申请日：2016-06-20
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：張評款 , CHANG, PING KUAN , 魏志銘 , WEI, CHIH MING , 王建竣 , WANG, CHIEN CHUN , 李濟群 , LI, CHI CHUN
IPC分类号： H01L31/0203 , H01L31/04 , H01L31/05 , H01L31/18
摘要：一種單面受光之太陽能電池，其包含基板、第一鈍化層與第二鈍化層、正面電極及背面電極。基板具有正面與背面。基板包含射極層設於正面、及背面電場層設於背面。第一鈍化層與第二鈍化層分別覆蓋正面與背面。第二鈍化層具有數個開孔暴露出部分背面電場層。正面電極位於正面上。背面電極位於背面上，且包含數個第一電極、一第二電極及數個匯流電極。第一電極分別設在開孔中且接觸背面，第二電極覆蓋在第二鈍化層上並對應覆蓋到背面周圍的範圍，第二電極覆蓋第一電極，第一電極與第二電極材質不同，匯流電極排列配置於背面處且與第二電極接觸。
简体摘要：一种单面受光之太阳能电池，其包含基板、第一钝化层与第二钝化层、正面电极及背面电极。基板具有正面与背面。基板包含射极层设于正面、及背面电场层设于背面。第一钝化层与第二钝化层分别覆盖正面与背面。第二钝化层具有数个开孔暴露出部分背面电场层。正面电极位于正面上。背面电极位于背面上，且包含数个第一电极、一第二电极及数个汇流电极。第一电极分别设在开孔中且接触背面，第二电极覆盖在第二钝化层上并对应覆盖到背面周围的范围，第二电极覆盖第一电极，第一电极与第二电极材质不同，汇流电极排列配置于背面处且与第二电极接触。

8. 发明专利

TWI565085B 背接觸太陽能電池的製造方法有权
简体标题：背接触太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：TWI565085B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104100583
申请日：2015-01-08
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES, INC.
发明人：曹韻國 , TSAO, YUN KUO , 賴光傑 , LAI, KUAN JAY , 白玉磐 , PAI, YU PAN , 王建竣 , WANG, CHIEN CHUN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521

9. 发明专利

TWI626760B 太陽能電池及其製造方法有权
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TWI626760B
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：TW106123633
申请日：2017-07-14
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES INC.
发明人：賴光傑 , LAI, KUANG CHIEH , 李岳霖 , LEE, YUEH LIN , 莊佳智 , CHUANG, CHIA CHIH , 李濟群 , LI, CHI CHUN , 王建竣 , WANG, CHIEN CHUN
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18

10. 发明专利

TW201724536A 太陽能電池及其製造方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：TW201724536A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104142229
申请日：2015-12-16
申请人：茂迪股份有限公司 , MOTECH INDUSTRIES, INC.
发明人：劉書巖 , LIU, SHU YEN , 王建峻 , WANG, CHIEN CHUN
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0693
CPC分类号： Y02E10/544
摘要：一種太陽能電池包含一基板、一第一摻雜層、一第二摻雜層、一鈍化層及一合金層。該基板具有相對應的一第一表面與一第二表面。該第一摻雜層設置於該第一表面上，並包含一低摻雜區及一高摻雜區。該第二摻雜層設置於該第二表面上，並與該第一摻雜層的摻雜類型不同。該鈍化層設置於該第一摻雜層上，並具有一鈍化層開口，以裸露出該高摻雜區。該合金層設置於裸露的該高摻雜區上，其中該高摻雜區之寬度大於該合金層之寬度，且該高摻雜區的深度大於該低摻雜區的深度。
简体摘要：一种太阳能电池包含一基板、一第一掺杂层、一第二掺杂层、一钝化层及一合金层。该基板具有相对应的一第一表面与一第二表面。该第一掺杂层设置于该第一表面上，并包含一低掺杂区及一高掺杂区。该第二掺杂层设置于该第二表面上，并与该第一掺杂层的掺杂类型不同。该钝化层设置于该第一掺杂层上，并具有一钝化层开口，以裸露出该高掺杂区。该合金层设置于裸露的该高掺杂区上，其中该高掺杂区之宽度大于该合金层之宽度，且该高掺杂区的深度大于该低掺杂区的深度。

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