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1. 发明专利

TW201828441A 於積體電路中使用層間穿孔审中-公开
简体标题：于集成电路中使用层间穿孔
公开(公告)号：TW201828441A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106120099
申请日：2017-06-16
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：辛哈紹拉皮邱庫瑪 , SINHA, SAURABH PIJUSKUMAR , 艾特肯羅伯特坎貝爾 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL , 克萊因布萊恩特雷西 , CLINE, BRIAN TRACY , 耶利克葛瑞格穆森 , YERIC, GREGORY MUNSON , 張坤吾 , CHANG, KYUNGWOOK
IPC分类号： H01L23/535
摘要：本文中描述之各種實施方案可涉及於積體電路(IC)中使用層間穿孔(IV)。在一個實施方案中，一三維(3D) IC可包含安置在一基板層上之複數個層，其中該等層可包含具有電耦合至第一互連層之一第一主動裝置層之一第一層，且亦可包含具有電耦合至一第二互連層之一第二主動裝置層之一第二層，其中該等第一互連層包含最不接近該第一主動裝置層之一最上層。該3D IC可進一步包含電耦合該第二互連層及該最上層之IV。該最上層可在該第一層之周邊位置處電耦合至一電源，藉此將該電源電耦合至該第一主動裝置層及該第二主動裝置層。
简体摘要：本文中描述之各种实施方案可涉及于集成电路(IC)中使用层间穿孔(IV)。在一个实施方案中，一三维(3D) IC可包含安置在一基板层上之复数个层，其中该等层可包含具有电耦合至第一互连层之一第一主动设备层之一第一层，且亦可包含具有电耦合至一第二互连层之一第二主动设备层之一第二层，其中该等第一互连层包含最不接近该第一主动设备层之一最上层。该3D IC可进一步包含电耦合该第二互连层及该最上层之IV。该最上层可在该第一层之周边位置处电耦合至一电源，借此将该电源电耦合至该第一主动设备层及该第二主动设备层。

2. 发明专利

TWI691833B 在儲存資料值中的錯誤偵測有权
简体标题：在存储数据值中的错误侦测
公开(公告)号：TWI691833B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW104119465
申请日：2015-06-16
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：錢德拉維卡斯 , CHANDRA, VIKAS , 艾特肯羅伯特坎貝爾 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL
IPC分类号： G06F11/10

3. 发明专利

TW201816786A 用於非易失性記憶體裝置操作的方法、系統及裝置审中-公开
简体标题：用于非易失性内存设备操作的方法、系统及设备
公开(公告)号：TW201816786A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106136476
申请日：2017-10-24
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：哈瓦那格瓦拉阿茲其傑努丁 , BHAVNAGARWALA, AZEEZ JENNUDIN , 席芙蘭露西安 , SHIFREN, LUCIAN , 阿嘉瓦皮尤希 , AGARWAL, PIYUSH , 庫瑪阿克夏 , KUMAR, AKSHAY , 阿金羅伯特坎貝爾 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL
IPC分类号： G11C7/12 , G11C11/4094
摘要：揭示了用於操作非易失性記憶體裝置的方法、系統及裝置。在一個態樣中，可將相關電子開關(CES)裝置在寫入操作中設置為多個記憶體狀態的任一者。在兩階段操作期間，複數個位元格可連接到共同電源電壓，以將個別位元格設置為預期阻抗狀態。
简体摘要：揭示了用于操作非易失性内存设备的方法、系统及设备。在一个态样中，可将相关电子开关(CES)设备在写入操作中设置为多个内存状态的任一者。在两阶段操作期间，复数个比特格可连接到共同电源电压，以将个别比特格设置为预期阻抗状态。

4. 发明专利

TWI693514B 在儲存資料值中的錯誤偵測有权
简体标题：在存储数据值中的错误侦测
公开(公告)号：TWI693514B
公开(公告)日：2020-05-11
申请号：TW104119464
申请日：2015-06-16
申请人：英商ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：錢德拉維卡斯 , CHANDRA, VIKAS , 艾特肯羅伯特坎貝爾 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL
IPC分类号： G06F11/10

5. 发明专利

TWI596487B 具有元件以增加診斷資料路徑上維持時間之序列閂鎖裝置與方法有权
简体标题：具有组件以增加诊断数据路径上维持时间之串行闩锁设备与方法
公开(公告)号：TWI596487B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102119146
申请日：2013-05-30
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：伊剛濟薩青薩帝許 , IDGUNJI, SACHIN SATISH , 安帝凱羅伯坎保 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL , 伊克保艾姆萊 , IQBAL, IMRAN
IPC分类号： G06F13/40 , G06F13/42
CPC分类号： H03K3/0375

6. 发明专利

TWI462109B 多埠記憶體之自我測試期間的時脈控制有权
简体标题：多端口内存之自我测试期间的时脉控制
公开(公告)号：TWI462109B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW098106212
申请日：2009-02-26
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：安帝凱羅伯坎保 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL
IPC分类号： G11C29/08 , G11C7/22
CPC分类号： G11C8/16 , G11C8/18 , G11C29/028 , G11C29/12015 , G11C29/14

7. 发明专利

TW201411361A 具有元件以增加診斷資料路徑上維持時間之序列閂鎖裝置审中-公开
简体标题：具有组件以增加诊断数据路径上维持时间之串行闩锁设备
公开(公告)号：TW201411361A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102119146
申请日：2013-05-30
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：伊剛濟薩青薩帝許 , IDGUNJI, SACHIN SATISH , 安帝凱羅伯坎保 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL , 伊克保艾姆萊 , IQBAL, IMRAN
IPC分类号： G06F13/40 , G06F13/42
CPC分类号： H03K3/0375
摘要：本發明提供一種閂鎖裝置，經配置以回應於時脈訊號接收、維持並且輸出資料值，該時脈訊號在第一值與第二值之間週期地切換。該閂鎖裝置包含：輸入閂鎖元件，經配置以接收輸入資料值；及輸出閂鎖元件，經配置以輸出資料值；其中輸入閂鎖元件經配置以接收第一時脈訊號並且輸出閂鎖元件經配置以接收第二時脈訊號，第一時脈訊號及第二時脈訊號具有相同頻率及相位但是相對於彼此反相。輸入閂鎖元件及輸出閂鎖元件各自經配置以為透明的並且回應於接收的時脈訊號的第一值在輸入端與輸出端之間傳送資料，以及為不透明的並且回應於接收的時脈訊號的第二值維持資料值，使得回應於第一時脈訊號及第二時脈訊號，經由輸入閂鎖元件及輸出閂鎖元件至輸出端計時(clock)輸入資料值。該閂鎖裝置進一步包含：選擇裝置，用於回應於指示功能模式或診斷模式之診斷賦能訊號的值而選擇操作資料值或診斷資料值以輸入至輸入閂鎖元件；及進一步閂鎖元件，經配置以由第二時脈訊號計時且經配置以為透明的並且回應於具有第一值的第二時脈訊號在輸入端與輸出端之間傳送資料，以及為不透明的並且回應於具有第二值的第二時脈訊號維持資料值。
简体摘要：本发明提供一种闩锁设备，经配置以回应于时脉信号接收、维持并且输出数据值，该时脉信号在第一值与第二值之间周期地切换。该闩锁设备包含：输入闩锁组件，经配置以接收输入数据值；及输出闩锁组件，经配置以输出数据值；其中输入闩锁组件经配置以接收第一时脉信号并且输出闩锁组件经配置以接收第二时脉信号，第一时脉信号及第二时脉信号具有相同频率及相位但是相对于彼此反相。输入闩锁组件及输出闩锁组件各自经配置以为透明的并且回应于接收的时脉信号的第一值在输入端与输出端之间发送数据，以及为不透明的并且回应于接收的时脉信号的第二值维持数据值，使得回应于第一时脉信号及第二时脉信号，经由输入闩锁组件及输出闩锁组件至输出端计时(clock)输入数据值。该闩锁设备进一步包含：选择设备，用于回应于指示功能模式或诊断模式之诊断赋能信号的值而选择操作数据值或诊断数据值以输入至输入闩锁组件；及进一步闩锁组件，经配置以由第二时脉信号计时且经配置以为透明的并且回应于具有第一值的第二时脉信号在输入端与输出端之间发送数据，以及为不透明的并且回应于具有第二值的第二时脉信号维持数据值。

8. 发明专利

TW201725467A 用於相關電子開關的可程式化電流审中-公开
简体标题：用于相关电子开关的可进程化电流
公开(公告)号：TW201725467A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105125722
申请日：2016-08-12
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：桑德胡巴爾S , SANDHU, BAL S. , 拉鐵摩爾喬治麥克內爾 , LATTIMORE, GEORGE MCNEIL , 阿金羅伯特坎貝爾 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL
IPC分类号： G05F1/46
CPC分类号： H03K17/14 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2013/0078 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/149 , H01L49/003
摘要：本文中所揭示的標的物可係關於用於相關電子開關的可程式化電流。
简体摘要：本文中所揭示的标的物可系关于用于相关电子开关的可进程化电流。

9. 发明专利

TWI512723B 具有改善的讀取穩定性之記憶體失效
简体标题：具有改善的读取稳定性之内存
公开(公告)号：TWI512723B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099132628
申请日：2010-09-27
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：錢德維克斯 , CHANDRA, VIKAS , 那萊塞亞那德菲傑 , NALAM, SATYANAND VIJAY , 派卓克西扎里 , PIETRZYK, CEZARY , 安帝凱羅伯坎保 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL
IPC分类号： G11C11/34
CPC分类号： G11C7/02 , G11C11/419

10. 发明专利

TWI502607B 用於當在記憶體中存取儲存格時將升壓電壓位準施加至存取控制線的裝置、方法及構件有权
简体标题：用于当在内存中存取存储格时将升压电压位准施加至存取控制线的设备、方法及构件
公开(公告)号：TWI502607B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW099131089
申请日：2010-09-14
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：錢德維克斯 , CHANDRA, VIKAS , 派卓克西扎里 , PIETRZYK, CEZARY , 安帝凱羅伯坎保 , AITKEN, ROBERT CAMPBELL
IPC分类号： G11C8/08
CPC分类号： G11C11/413 , G11C8/08

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