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1. 发明专利

TW522242B 接點結構及其製造方法以及使用接點結構之探針接點組合失效
简体标题：接点结构及其制造方法以及使用接点结构之探针接点组合
公开(公告)号：TW522242B
公开(公告)日：2003-03-01
申请号：TW090125707
申请日：2001-10-17
申请人：艾德文斯特公司
发明人：周豫 , 余大江 , 羅伯特阿爾達茲 , 西爾德卡瑞
IPC分类号： G01R
CPC分类号： H01R13/2407 , G01R1/06711 , G01R1/06716 , G01R1/06727 , G01R1/06733 , G01R1/06772 , G01R1/07307 , G01R1/07314 , G01R1/07378 , G01R3/00 , H01L21/4885 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01056 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01R12/57 , H01R13/2428 , H01R2201/20 , H05K3/20 , H05K3/4015 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要：一種用以與接觸目標建立電連接之接觸結構。接觸結構由一接觸基體及多個接觸件構成。接觸件具有一接觸部份，此沿垂直方向伸出，以形成接觸點；一中間部份，此插入接觸基體上所設置之通孔中；及一基部具有一基端用作接觸墊；及一彈簧部份設置於基端端及中間部份之間，當接觸件壓於接觸目標上時，用以產生彈性接觸力。
简体摘要：一种用以与接触目标创建电连接之接触结构。接触结构由一接触基体及多个接触件构成。接触件具有一接触部份，此沿垂直方向伸出，以形成接触点；一中间部份，此插入接触基体上所设置之通孔中；及一基部具有一基端用作接触垫；及一弹簧部份设置于基端端及中间部份之间，当接触件压于接触目标上时，用以产生弹性接触力。

2. 发明专利

TW548417B 具有可平面性調整機構之探針接觸系統失效
简体标题：具有可平面性调整机构之探针接触系统
公开(公告)号：TW548417B
公开(公告)日：2003-08-21
申请号：TW090112794
申请日：2001-05-28
申请人：艾德文斯特公司
发明人：西爾德卡瑞 , 羅伯特阿爾達茲
IPC分类号： G01R , H01L
CPC分类号： G01R1/07342 , G01R1/06794 , G01R1/07378
摘要：本發明揭示一種探針接觸系統，其能夠以簡單及低成本機構調整該接觸器之尖端及接觸標靶間之距離。該可平面性調整機構包含一接觸基板，具有安裝在其一表面上之大量接觸器；一探針板，用以在該接觸器及半導體測試系統之測試頭之間建立電相通；一導電彈性體，提供在該接觸基板及該探針板之間；連接構件，用以在該接觸基板之三處位置連接該接觸基板與該探針板，在此每一連接構件係可旋轉，用以改變該接觸基板及該探針板間之距離；一間隙感測器，用以測量該接觸基板及半導體晶圓間之間隙；及一旋轉調整裝置，用以調整該連接構件，以致使在該三處位置之每一位置於該接觸基板及該半導體晶圓間之間隙變成彼此完全相同。
简体摘要：本发明揭示一种探针接触系统，其能够以简单及低成本机构调整该接触器之尖端及接触标靶间之距离。该可平面性调整机构包含一接触基板，具有安装在其一表面上之大量接触器；一探针板，用以在该接触器及半导体测试系统之测试头之间创建电相通；一导电弹性体，提供在该接触基板及该探针板之间；连接构件，用以在该接触基板之三处位置连接该接触基板与该探针板，在此每一连接构件系可旋转，用以改变该接触基板及该探针板间之距离；一间隙传感器，用以测量该接触基板及半导体晶圆间之间隙；及一旋转调整设备，用以调整该连接构件，以致使在该三处位置之每一位置于该接触基板及该半导体晶圆间之间隙变成彼此完全相同。

3. 发明专利

TW534998B 由光刻製程所形成之接觸裝置及其製造方法失效
简体标题：由光刻制程所形成之接触设备及其制造方法
公开(公告)号：TW534998B
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW089101415
申请日：2000-01-27
申请人：艾德文斯特公司
发明人：西爾德卡瑞 , 馬克瓊恩 , 詹姆士弗藍
IPC分类号： G01R , H01R
CPC分类号： G01R3/00 , G01R1/06711 , G01R1/07342
摘要：一種用來測試半導體晶圓、封裝之LSI或印刷電路板的接觸裝置，以光刻術而被形成於基底的平表面上。接觸裝置係由矽基底所構成，而矽基底具有經由各向異性蝕刻法所製成的斜支撐部，一絕緣層形成於矽基底上，且毗鄰斜支撐部，以及一導電層，由導電材料所製成，形成於絕緣層上，俾使絕緣層與導電層構成一棒狀部，其中棒狀部在它的橫向方向上顯現簧力，當棒狀部被壓向接觸目標時，棒狀部建立一接觸力。
简体摘要：一种用来测试半导体晶圆、封装之LSI或印刷电路板的接触设备，以光刻术而被形成于基底的平表面上。接触设备系由硅基底所构成，而硅基底具有经由各向异性蚀刻法所制成的斜支撑部，一绝缘层形成于硅基底上，且毗邻斜支撑部，以及一导电层，由导电材料所制成，形成于绝缘层上，俾使绝缘层与导电层构成一棒状部，其中棒状部在它的横向方向上显现簧力，当棒状部被压向接触目标时，棒状部创建一接触力。

4. 发明专利

TW469671B 以微製造方法形成之接觸構造失效
简体标题：以微制造方法形成之接触构造
公开(公告)号：TW469671B
公开(公告)日：2001-12-21
申请号：TW089114839
申请日：2000-07-25
申请人：艾德文斯特公司
发明人：西爾德卡瑞
IPC分类号： H01R , G01R
CPC分类号： G01R3/00 , H01L24/11 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573
摘要：一種用以獲致與接觸目標電氣連接的接觸構造，是在半導體基底上以微製造技術製造的接觸件。接觸構造是由接觸基底及複數個固定於接觸基底上的接觸件所構成。每一個接觸件上有一球形接點，用以與接觸目標連接。當接觸件壓向接觸目標時，接觸件產生一簧力。文中也描述各種型式的接觸構造及製造方法。
简体摘要：一种用以获致与接触目标电气连接的接触构造，是在半导体基底上以微制造技术制造的接触件。接触构造是由接触基底及复数个固定于接触基底上的接触件所构成。每一个接触件上有一球形接点，用以与接触目标连接。当接触件压向接触目标时，接触件产生一簧力。文中也描述各种型式的接触构造及制造方法。

5. 发明专利

TW464961B 高性能積體電路晶片封裝失效
简体标题：高性能集成电路芯片封装
公开(公告)号：TW464961B
公开(公告)日：2001-11-21
申请号：TW088114564
申请日：1999-08-25
申请人：艾德文斯特公司
发明人：馬克.瓊恩 , 西爾德卡瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/32 , H01L23/3114 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K3/325 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要：一種高性能的IC封裝，可提供高密度的電子內接及封裝予高速、高頻寬的晶片，並可容易的安裝於電路板上並輕易的移除。此IC封裝包括:由具有高導熱性之絕緣材料所構成的封殼;具有前表面及背表面的積體電路晶片，其中背表面藉由黏著物接附於封殼的內室:多個經由蝕刻製程形成於積體電路前表面之電路片上的接觸部，每一該接觸部具有形成於該電路片上的基座部，一端形成於該基座部上的水平部，及垂直形成於該水平部之另一端的接觸部份;並包括提供於積體電路晶片前表面，用做氣密密封的封閉劑;其中多個接觸部穿過封閉劑而突出，且當接觸部壓抵於接觸目標時，每一接觸部的水平部產生一接觸力。
简体摘要：一种高性能的IC封装，可提供高密度的电子内接及封装予高速、高带宽的芯片，并可容易的安装于电路板上并轻易的移除。此IC封装包括:由具有高导热性之绝缘材料所构成的封壳;具有前表面及背表面的集成电路芯片，其中背表面借由黏着物接附于封壳的内室:多个经由蚀刻制程形成于集成电路前表面之电路片上的接触部，每一该接触部具有形成于该电路片上的基座部，一端形成于该基座部上的水平部，及垂直形成于该水平部之另一端的接触部份;并包括提供于集成电路芯片前表面，用做气密密封的封闭剂;其中多个接触部穿过封闭剂而突出，且当接触部压抵于接触目标时，每一接触部的水平部产生一接触力。

6. 发明专利

TW442910B 接觸構造之封裝和互接失效
简体标题：接触构造之封装和互接
公开(公告)号：TW442910B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW089101417
申请日：2000-01-27
申请人：艾德文斯特公司
发明人：馬克.瓊恩 , 西爾德卡瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R31/2808 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/07811 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種接觸結構的封裝與互接，包括以光刻製程成形於接觸基底上由導電材料製成的接觸結構，成形於接觸基底上的接觸絲，且一端電氣連接到接觸結構的一端，接觸絲的另一端上表面配置有接觸接墊，用以從其上表面建立封裝與互接，一配置於印刷電路板(PCB)基底上的印刷電路板(PCB)接墊，要與接觸接墊電氣連接，一導電引線用以連接PCB接墊與接觸絲的上表面，一彈性體，配置在接觸基底的下方，使接觸結構的封裝與互接具有撓性，以及一支撐結構，配置於彈性體與PCB基底之間，用以支撐接觸結構、接觸基底及彈性體。
简体摘要：一种接触结构的封装与互接，包括以光刻制程成形于接触基底上由导电材料制成的接触结构，成形于接触基底上的接触丝，且一端电气连接到接触结构的一端，接触丝的另一端上表面配置有接触接垫，用以从其上表面创建封装与互接，一配置于印刷电路板(PCB)基底上的印刷电路板(PCB)接垫，要与接触接垫电气连接，一导电引线用以连接PCB接垫与接触丝的上表面，一弹性体，配置在接触基底的下方，使接触结构的封装与互接具有挠性，以及一支撑结构，配置于弹性体与PCB基底之间，用以支撑接触结构、接触基底及弹性体。

7. 发明专利

TW440897B 生產接觸結構之方法有权
简体标题：生产接触结构之方法
公开(公告)号：TW440897B
公开(公告)日：2001-06-16
申请号：TW088120847
申请日：1999-11-30
申请人：艾德文斯特公司
发明人：西爾德卡瑞 , 馬克.瓊恩 , 詹姆士.弗藍
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R1/06733 , G01R1/06744 , G01R1/07307 , G01R3/00 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01R12/57 , H01R13/2407 , H01R13/2464 , H05K3/20 , H05K3/4015 , H01L2924/00
摘要：一種在基底的平表面上成形接觸結構的生產方法。生產方法的步驟包括:(a)在矽基底表面上成形一犧牲層，(b)在犧牲層上以導電材料成形一導電層，(c)在導電層上成形一光阻層，(d)在光阻層上對準一光罩，並以紫外線透過光罩對光阻層曝光，光罩中包括接體結構的影像，(e)顯影光阻層上的影像，它在光阻層上形成開口，(f)以電鍍法在開口中成形由導電材料製成的接觸結構，(g)去除光阻層，(h)以第一蝕程去除犧牲層，以使接觸結構脫離矽基底，以及(i)以第二蝕程去除接觸結構上的導電層。
简体摘要：一种在基底的平表面上成形接触结构的生产方法。生产方法的步骤包括:(a)在硅基底表面上成形一牺牲层，(b)在牺牲层上以导电材料成形一导电层，(c)在导电层上成形一光阻层，(d)在光阻层上对准一光罩，并以紫外线透过光罩对光阻层曝光，光罩中包括接体结构的影像，(e)显影光阻层上的影像，它在光阻层上形成开口，(f)以电镀法在开口中成形由导电材料制成的接触结构，(g)去除光阻层，(h)以第一蚀程去除牺牲层，以使接触结构脱离硅基底，以及(i)以第二蚀程去除接触结构上的导电层。

8. 发明专利

TW423121B 接觸構造之封裝和互接失效
简体标题：接触构造之封装和互接
公开(公告)号：TW423121B
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：TW088115853
申请日：1999-09-14
申请人：艾德文斯特公司
发明人：馬克.瓊恩 , 西爾德卡瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01R1/07378 , G01R1/06727 , G01R1/06772 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種接觸構造之封裝及互接，構製有:一接觸構造，為導電性材料所製，並經由照相製版方法構製於一接觸基體上，該接觸構造;一接觸蹤跡，構製於接觸基體上，且在一端處電連接至接觸構造，接觸蹤跡之另一端向接觸基體之一邊緣延伸;一印刷電路板(P C B)墊，設置於欲與接觸蹤跡之另一端連接之印刷電路板(P C B)基體上﹔一彈性體，設置於接觸基體下面，使該互接及封裝可撓曲﹔及一支持結構，設置於彈性體及P C B基體之間，用以支持接觸構造，接觸基體，及彈性體。
简体摘要：一种接触构造之封装及互接，构制有:一接触构造，为导电性材料所制，并经由照相制版方法构制于一接触基体上，该接触构造;一接触踪迹，构制于接触基体上，且在一端处电连接至接触构造，接触踪迹之另一端向接触基体之一边缘延伸;一印刷电路板(P C B)垫，设置于欲与接触踪迹之另一端连接之印刷电路板(P C B)基体上﹔一弹性体，设置于接触基体下面，使该互接及封装可挠曲﹔及一支持结构，设置于弹性体及P C B基体之间，用以支持接触构造，接触基体，及弹性体。

9. 发明专利

TW562945B 接觸器的拾取及放置機構有权
简体标题：接触器的十取及放置机构
公开(公告)号：TW562945B
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：TW089114783
申请日：2000-07-25
申请人：艾德文斯特公司
发明人：西爾德卡瑞
IPC分类号： G01R , H01R , B81C
CPC分类号： G01R3/00 , G01R1/07342
摘要：一種拾取及放置機構用來將大量的接觸器組裝在接觸基板上。拾取及放置機構包含用來定位上面具有多個接觸器的中間板的第一區域，用來定位用來在上面接收接觸器的接觸基板的第二區域，設置在第一與第二區域之間的用來當在一座部上接收接觸器時將接觸器的方向轉變於一預定方向的載具，用來從中間板拾取接觸器且將接觸器放置在載具的座部上的第一轉移機構，以及用來從載具的座部在維持由載具所界定的接觸器的預定方向之下拾取接觸器且將接觸器放置在接觸表面上用以黏結的第二轉移機構。
简体摘要：一种十取及放置机构用来将大量的接触器组装在接触基板上。十取及放置机构包含用来定位上面具有多个接触器的中间板的第一区域，用来定位用来在上面接收接触器的接触基板的第二区域，设置在第一与第二区域之间的用来当在一座部上接收接触器时将接触器的方向转变于一预定方向的载具，用来从中间板十取接触器且将接触器放置在载具的座部上的第一转移机构，以及用来从载具的座部在维持由载具所界定的接触器的预定方向之下十取接触器且将接触器放置在接触表面上用以黏结的第二转移机构。

10. 发明专利

TW526572B 接觸結構及其製法有权
简体标题：接触结构及其制法
公开(公告)号：TW526572B
公开(公告)日：2003-04-01
申请号：TW090101060
申请日：2001-01-17
申请人：艾德文斯特公司
发明人：西爾德卡瑞 , 詹姆士弗藍
IPC分类号： H01L , G01R , H01R
CPC分类号： G01R1/06738 , G01R1/07314 , H01L2924/0002 , H01R12/714 , H01R13/24 , H05K3/4092 , H01L2924/00
摘要：一種接觸結構，用以獲致與接觸目標的電氣連接，它是以微製造技術在半導體基底上製造接觸件所構成。接觸結構是由接觸基底與固定在接觸基底上的複數個接觸件所構成。當接觸件壓向接觸目標時，產生一簧力。其它型式的接觸結構與製造它們的方法也在描述之列。
简体摘要：一种接触结构，用以获致与接触目标的电气连接，它是以微制造技术在半导体基底上制造接触件所构成。接触结构是由接触基底与固定在接触基底上的复数个接触件所构成。当接触件压向接触目标时，产生一簧力。其它型式的接触结构与制造它们的方法也在描述之列。

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