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1. 发明专利

TWI319112B 微型顯示器的製程 PROCESS OF MICRO-DISPLAY 有权
简体标题：微型显示器的制程 PROCESS OF MICRO-DISPLAY
公开(公告)号：TWI319112B
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW094134472
申请日：2005-10-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：吳沂庭 , 陳世鴻 , 蔡懷萱 , 鄭志鴻 , 蔡健華 , 陳炫旭
IPC分类号： G02F
摘要：一種微型顯示器的製程，首先提供一晶圓，晶圓上已形成有驅動電路。然後，於晶圓上形成金屬反射層，接著，於金屬反射層上依序形成抗反射層與圖案化之光阻層，之後，以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，於抗反射層與金屬反射層中形成溝渠圖案，以曝露出晶圓表面。隨後，再移除圖案化之光阻層。繼之，形成介電層以覆蓋抗反射層，且填入溝渠圖案中。接著，移除部分介電層與抗反射層，直至曝露出金屬反射層表面。 A process for fabricating a micro-display is provided. First, a wafer having a driving circuit thereon is provided. Then, a metallic reflective layer is formed on the wafer. Thereafter, an anti-reflection layer and a patterned photoresist layer are sequentially formed on the metallic reflective layer. Using the patterned photoresist layer as an etching mask, the anti-reflection layer and the metallic reflective layer are etched to form a trench pattern that exposes the surface of the wafer. After that, the patterned photoresist layer is removed. A dielectric layer is formed to cover the anti-reflection layer and fill the trench pattern. Then, a portion of the dielectric layer and the anti-reflection layer are removed to expose the surface of the metallic reflective layer. 【創作特點】本發明的目的就是在提供一種微型顯示器的製程，能夠提高微型顯示器的開口率及其光反射率。
本發明的另一目的是提供一種微型顯示器的製程，能夠提高微型顯示器的開口率及其光反射率。
本發明提出一種微型顯示器的製程，首先提供一晶圓，晶圓上已形成有驅動電路。然後，於晶圓上形成金屬反射層，接著，於金屬反射層上依序形成抗反射層與圖案化之光阻層，之後，以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，於抗反射層與金屬反射層中形成溝渠圖案，以曝露出晶圓表面。隨後，再移除圖案化之光阻層。繼之，形成介電層以覆蓋抗反射層，且填入溝渠圖案中。接著，移除部分介電層與抗反射層，直至曝露出金屬反射層表面。
依照本發明的實施例所述，上述之圖案化之光阻層的材質例如是深紫外光光阻。
依照本發明的實施例所述，上述之溝渠圖案的形成方法例如是以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，直接移除部分抗反射層與部分金屬反射層，至曝露出晶圓表面。在另一實施例中，溝渠圖案的形成方法例如是，先以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，移除部分抗反射層至曝露出金屬反射層表面。然後，移除圖案化之光阻層。接著，再以抗反射層為蝕刻罩幕，移除部分金屬反射層至曝露出晶圓表面。
依照本發明的實施例所述，上述之金屬反射層的材質例如是鋁、金或銀。
依照本發明的實施例所述，上述之抗反射層例如是無機抗反射層。
依照本發明的實施例所述，上述之介電層例如是氧化層。
依照本發明的實施例所述，上述移除部分介電層與抗反射層，直至曝露出金屬反射層表面的方法例如是進行一化學機械研磨製程。
依照本發明的實施例所述，上述之溝渠圖案係成棋盤狀。
本發明另提出一種微型顯示器的製程，首先提供一晶圓，晶圓上已形成有驅動電路。然後，於晶圓上形成金屬反射層。接著，於金屬反射層上依序形成第一介電層、抗反射層與圖案化之光阻層。之後，以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，於抗反射層、第一介電層與金屬反射層中形成溝渠圖案，以曝露出晶圓表面。隨後，再移除圖案化之光阻層。繼之，形成第二介電層，以覆蓋抗反射層，且填入溝渠圖案中。之後，移除部分第二介電層、抗反射層與第一介電層，直至曝露出金屬反射層表面。
依照本發明的實施例所述，上述之圖案化之光阻層的材質例如是深紫外光光阻。
依照本發明的實施例所述，上述之溝渠圖案的形成方法例如是以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，直接移除部分抗反射層、部分第一介電層與部分金屬反射層，至曝露出晶圓表面。在另一實施例中，溝渠圖案的形成方法例如是，先以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，移除部分抗反射層與第一介電層至曝露出金屬反射層表面。接著，移除圖案化之光阻層。然後，再以抗反射層與第一介電層為蝕刻罩幕，移除部分金屬反射層至曝露出晶圓表面。
依照本發明的實施例所述，上述之金屬反射層的材質例如是鋁、金或銀。
依照本發明的實施例所述，上述之抗反射層例如是無機抗反射層。
依照本發明的實施例所述，上述之第一介電層例如是氧化層。
依照本發明的實施例所述，上述之第二介電層例如是氧化層。
依照本發明的實施例所述，上述移除部分第二介電層、抗反射層與第一介電層，直至曝露出金屬反射層表面的方法例如是進行一化學機械研磨製程。
依照本發明的實施例所述，上述之溝渠圖案係成棋盤狀。
本發明係於金屬反射層上形成抗反射層或者是介電層與抗反射層，以定義出間隙尺寸較小的溝渠圖案，因此可突破微影製程的限制，提高微型顯示器的開口率，進而提高光反射率與元件效能。而且，金屬反射層上所形成之抗反射層或者是介電層與抗反射層亦可作為更進一步縮小間隙尺寸時的蝕刻罩幕。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
简体摘要：一种微型显示器的制程，首先提供一晶圆，晶圆上已形成有驱动电路。然后，于晶圆上形成金属反射层，接着，于金属反射层上依序形成抗反射层与图案化之光阻层，之后，以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，于抗反射层与金属反射层中形成沟渠图案，以曝露出晶圆表面。随后，再移除图案化之光阻层。继之，形成介电层以覆盖抗反射层，且填入沟渠图案中。接着，移除部分介电层与抗反射层，直至曝露出金属反射层表面。 A process for fabricating a micro-display is provided. First, a wafer having a driving circuit thereon is provided. Then, a metallic reflective layer is formed on the wafer. Thereafter, an anti-reflection layer and a patterned photoresist layer are sequentially formed on the metallic reflective layer. Using the patterned photoresist layer as an etching mask, the anti-reflection layer and the metallic reflective layer are etched to form a trench pattern that exposes the surface of the wafer. After that, the patterned photoresist layer is removed. A dielectric layer is formed to cover the anti-reflection layer and fill the trench pattern. Then, a portion of the dielectric layer and the anti-reflection layer are removed to expose the surface of the metallic reflective layer. 【创作特点】本发明的目的就是在提供一种微型显示器的制程，能够提高微型显示器的开口率及其光反射率。本发明的另一目的是提供一种微型显示器的制程，能够提高微型显示器的开口率及其光反射率。本发明提出一种微型显示器的制程，首先提供一晶圆，晶圆上已形成有驱动电路。然后，于晶圆上形成金属反射层，接着，于金属反射层上依序形成抗反射层与图案化之光阻层，之后，以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，于抗反射层与金属反射层中形成沟渠图案，以曝露出晶圆表面。随后，再移除图案化之光阻层。继之，形成介电层以覆盖抗反射层，且填入沟渠图案中。接着，移除部分介电层与抗反射层，直至曝露出金属反射层表面。依照本发明的实施例所述，上述之图案化之光阻层的材质例如是深紫外光光阻。依照本发明的实施例所述，上述之沟渠图案的形成方法例如是以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，直接移除部分抗反射层与部分金属反射层，至曝露出晶圆表面。在另一实施例中，沟渠图案的形成方法例如是，先以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，移除部分抗反射层至曝露出金属反射层表面。然后，移除图案化之光阻层。接着，再以抗反射层为蚀刻罩幕，移除部分金属反射层至曝露出晶圆表面。依照本发明的实施例所述，上述之金属反射层的材质例如是铝、金或银。依照本发明的实施例所述，上述之抗反射层例如是无机抗反射层。依照本发明的实施例所述，上述之介电层例如是氧化层。依照本发明的实施例所述，上述移除部分介电层与抗反射层，直至曝露出金属反射层表面的方法例如是进行一化学机械研磨制程。依照本发明的实施例所述，上述之沟渠图案系成棋盘状。本发明另提出一种微型显示器的制程，首先提供一晶圆，晶圆上已形成有驱动电路。然后，于晶圆上形成金属反射层。接着，于金属反射层上依序形成第一介电层、抗反射层与图案化之光阻层。之后，以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，于抗反射层、第一介电层与金属反射层中形成沟渠图案，以曝露出晶圆表面。随后，再移除图案化之光阻层。继之，形成第二介电层，以覆盖抗反射层，且填入沟渠图案中。之后，移除部分第二介电层、抗反射层与第一介电层，直至曝露出金属反射层表面。依照本发明的实施例所述，上述之图案化之光阻层的材质例如是深紫外光光阻。依照本发明的实施例所述，上述之沟渠图案的形成方法例如是以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，直接移除部分抗反射层、部分第一介电层与部分金属反射层，至曝露出晶圆表面。在另一实施例中，沟渠图案的形成方法例如是，先以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，移除部分抗反射层与第一介电层至曝露出金属反射层表面。接着，移除图案化之光阻层。然后，再以抗反射层与第一介电层为蚀刻罩幕，移除部分金属反射层至曝露出晶圆表面。依照本发明的实施例所述，上述之金属反射层的材质例如是铝、金或银。依照本发明的实施例所述，上述之抗反射层例如是无机抗反射层。依照本发明的实施例所述，上述之第一介电层例如是氧化层。依照本发明的实施例所述，上述之第二介电层例如是氧化层。依照本发明的实施例所述，上述移除部分第二介电层、抗反射层与第一介电层，直至曝露出金属反射层表面的方法例如是进行一化学机械研磨制程。依照本发明的实施例所述，上述之沟渠图案系成棋盘状。本发明系于金属反射层上形成抗反射层或者是介电层与抗反射层，以定义出间隙尺寸较小的沟渠图案，因此可突破微影制程的限制，提高微型显示器的开口率，进而提高光反射率与组件性能。而且，金属反射层上所形成之抗反射层或者是介电层与抗反射层亦可作为更进一步缩小间隙尺寸时的蚀刻罩幕。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

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