专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW404018B 開口之製造方法失效
简体标题：开口之制造方法
公开(公告)号：TW404018B
公开(公告)日：2000-09-01
申请号：TW087112104
申请日：1998-07-24
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡健華
IPC分类号： H01L
摘要：一種開口之製造方法，使用反應性離子蝕刻法(Reactive Ion Etch)進行積體電路中之絕緣層或介電層之蝕刻，產生具有漸縮輪廓(Tapper Profile)之開口。控制蝕刻反應器溫度低於10℃，蝕刻反應器內之下電極板之溫度低於-10℃，以氟化氮、一氧化氮、氬氣與氧氣為電漿反應氣體，並控制氬氣流量在50至180sccm，可任意調整開口之關鍵尺寸偏差(Critical Dimension Bias)在O至-0.2微米，以解決因微影與蝕刻造成開口形狀之誤差所衍生之問題，並可解決0.25微米以下線寬限制之問題。
简体摘要：一种开口之制造方法，使用反应性离子蚀刻法(Reactive Ion Etch)进行集成电路中之绝缘层或介电层之蚀刻，产生具有渐缩轮廓(Tapper Profile)之开口。控制蚀刻反应器温度低于10℃，蚀刻反应器内之下电极板之温度低于-10℃，以氟化氮、一氧化氮、氩气与氧气为等离子反应气体，并控制氩气流量在50至180sccm，可任意调整开口之关键尺寸偏差(Critical Dimension Bias)在O至-0.2微米，以解决因微影与蚀刻造成开口形状之误差所衍生之问题，并可解决0.25微米以下线宽限制之问题。

2. 发明专利

TW400617B 節點接觸窗開口的製造方法有权
简体标题：节点接触窗开口的制造方法
公开(公告)号：TW400617B
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：TW087120802
申请日：1998-12-15
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡健華 , 林郭琪
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/76804 , H01L21/76816
摘要：一種節點接觸窗開口的製造方法，此方法係提供一基底，且於基底上形成有一層介電層，使用C4F8/Ar/CH2F2蝕刻劑，先蝕刻形成開口，接著，使用CHF3／CO蝕刻劑，蝕刻部份開口下的介電層，直到裸露出基底，形成節點接觸窗開口。
简体摘要：一种节点接触窗开口的制造方法，此方法系提供一基底，且于基底上形成有一层介电层，使用C4F8/Ar/CH2F2蚀刻剂，先蚀刻形成开口，接着，使用CHF3／CO蚀刻剂，蚀刻部份开口下的介电层，直到裸露出基底，形成节点接触窗开口。

3. 发明专利

TWI319112B 微型顯示器的製程 PROCESS OF MICRO-DISPLAY 有权
简体标题：微型显示器的制程 PROCESS OF MICRO-DISPLAY
公开(公告)号：TWI319112B
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW094134472
申请日：2005-10-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：吳沂庭 , 陳世鴻 , 蔡懷萱 , 鄭志鴻 , 蔡健華 , 陳炫旭
IPC分类号： G02F
摘要：一種微型顯示器的製程，首先提供一晶圓，晶圓上已形成有驅動電路。然後，於晶圓上形成金屬反射層，接著，於金屬反射層上依序形成抗反射層與圖案化之光阻層，之後，以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，於抗反射層與金屬反射層中形成溝渠圖案，以曝露出晶圓表面。隨後，再移除圖案化之光阻層。繼之，形成介電層以覆蓋抗反射層，且填入溝渠圖案中。接著，移除部分介電層與抗反射層，直至曝露出金屬反射層表面。 A process for fabricating a micro-display is provided. First, a wafer having a driving circuit thereon is provided. Then, a metallic reflective layer is formed on the wafer. Thereafter, an anti-reflection layer and a patterned photoresist layer are sequentially formed on the metallic reflective layer. Using the patterned photoresist layer as an etching mask, the anti-reflection layer and the metallic reflective layer are etched to form a trench pattern that exposes the surface of the wafer. After that, the patterned photoresist layer is removed. A dielectric layer is formed to cover the anti-reflection layer and fill the trench pattern. Then, a portion of the dielectric layer and the anti-reflection layer are removed to expose the surface of the metallic reflective layer. 【創作特點】本發明的目的就是在提供一種微型顯示器的製程，能夠提高微型顯示器的開口率及其光反射率。
本發明的另一目的是提供一種微型顯示器的製程，能夠提高微型顯示器的開口率及其光反射率。
本發明提出一種微型顯示器的製程，首先提供一晶圓，晶圓上已形成有驅動電路。然後，於晶圓上形成金屬反射層，接著，於金屬反射層上依序形成抗反射層與圖案化之光阻層，之後，以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，於抗反射層與金屬反射層中形成溝渠圖案，以曝露出晶圓表面。隨後，再移除圖案化之光阻層。繼之，形成介電層以覆蓋抗反射層，且填入溝渠圖案中。接著，移除部分介電層與抗反射層，直至曝露出金屬反射層表面。
依照本發明的實施例所述，上述之圖案化之光阻層的材質例如是深紫外光光阻。
依照本發明的實施例所述，上述之溝渠圖案的形成方法例如是以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，直接移除部分抗反射層與部分金屬反射層，至曝露出晶圓表面。在另一實施例中，溝渠圖案的形成方法例如是，先以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，移除部分抗反射層至曝露出金屬反射層表面。然後，移除圖案化之光阻層。接著，再以抗反射層為蝕刻罩幕，移除部分金屬反射層至曝露出晶圓表面。
依照本發明的實施例所述，上述之金屬反射層的材質例如是鋁、金或銀。
依照本發明的實施例所述，上述之抗反射層例如是無機抗反射層。
依照本發明的實施例所述，上述之介電層例如是氧化層。
依照本發明的實施例所述，上述移除部分介電層與抗反射層，直至曝露出金屬反射層表面的方法例如是進行一化學機械研磨製程。
依照本發明的實施例所述，上述之溝渠圖案係成棋盤狀。
本發明另提出一種微型顯示器的製程，首先提供一晶圓，晶圓上已形成有驅動電路。然後，於晶圓上形成金屬反射層。接著，於金屬反射層上依序形成第一介電層、抗反射層與圖案化之光阻層。之後，以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，於抗反射層、第一介電層與金屬反射層中形成溝渠圖案，以曝露出晶圓表面。隨後，再移除圖案化之光阻層。繼之，形成第二介電層，以覆蓋抗反射層，且填入溝渠圖案中。之後，移除部分第二介電層、抗反射層與第一介電層，直至曝露出金屬反射層表面。
依照本發明的實施例所述，上述之圖案化之光阻層的材質例如是深紫外光光阻。
依照本發明的實施例所述，上述之溝渠圖案的形成方法例如是以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，直接移除部分抗反射層、部分第一介電層與部分金屬反射層，至曝露出晶圓表面。在另一實施例中，溝渠圖案的形成方法例如是，先以圖案化之光阻層為蝕刻罩幕，移除部分抗反射層與第一介電層至曝露出金屬反射層表面。接著，移除圖案化之光阻層。然後，再以抗反射層與第一介電層為蝕刻罩幕，移除部分金屬反射層至曝露出晶圓表面。
依照本發明的實施例所述，上述之金屬反射層的材質例如是鋁、金或銀。
依照本發明的實施例所述，上述之抗反射層例如是無機抗反射層。
依照本發明的實施例所述，上述之第一介電層例如是氧化層。
依照本發明的實施例所述，上述之第二介電層例如是氧化層。
依照本發明的實施例所述，上述移除部分第二介電層、抗反射層與第一介電層，直至曝露出金屬反射層表面的方法例如是進行一化學機械研磨製程。
依照本發明的實施例所述，上述之溝渠圖案係成棋盤狀。
本發明係於金屬反射層上形成抗反射層或者是介電層與抗反射層，以定義出間隙尺寸較小的溝渠圖案，因此可突破微影製程的限制，提高微型顯示器的開口率，進而提高光反射率與元件效能。而且，金屬反射層上所形成之抗反射層或者是介電層與抗反射層亦可作為更進一步縮小間隙尺寸時的蝕刻罩幕。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
简体摘要：一种微型显示器的制程，首先提供一晶圆，晶圆上已形成有驱动电路。然后，于晶圆上形成金属反射层，接着，于金属反射层上依序形成抗反射层与图案化之光阻层，之后，以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，于抗反射层与金属反射层中形成沟渠图案，以曝露出晶圆表面。随后，再移除图案化之光阻层。继之，形成介电层以覆盖抗反射层，且填入沟渠图案中。接着，移除部分介电层与抗反射层，直至曝露出金属反射层表面。 A process for fabricating a micro-display is provided. First, a wafer having a driving circuit thereon is provided. Then, a metallic reflective layer is formed on the wafer. Thereafter, an anti-reflection layer and a patterned photoresist layer are sequentially formed on the metallic reflective layer. Using the patterned photoresist layer as an etching mask, the anti-reflection layer and the metallic reflective layer are etched to form a trench pattern that exposes the surface of the wafer. After that, the patterned photoresist layer is removed. A dielectric layer is formed to cover the anti-reflection layer and fill the trench pattern. Then, a portion of the dielectric layer and the anti-reflection layer are removed to expose the surface of the metallic reflective layer. 【创作特点】本发明的目的就是在提供一种微型显示器的制程，能够提高微型显示器的开口率及其光反射率。本发明的另一目的是提供一种微型显示器的制程，能够提高微型显示器的开口率及其光反射率。本发明提出一种微型显示器的制程，首先提供一晶圆，晶圆上已形成有驱动电路。然后，于晶圆上形成金属反射层，接着，于金属反射层上依序形成抗反射层与图案化之光阻层，之后，以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，于抗反射层与金属反射层中形成沟渠图案，以曝露出晶圆表面。随后，再移除图案化之光阻层。继之，形成介电层以覆盖抗反射层，且填入沟渠图案中。接着，移除部分介电层与抗反射层，直至曝露出金属反射层表面。依照本发明的实施例所述，上述之图案化之光阻层的材质例如是深紫外光光阻。依照本发明的实施例所述，上述之沟渠图案的形成方法例如是以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，直接移除部分抗反射层与部分金属反射层，至曝露出晶圆表面。在另一实施例中，沟渠图案的形成方法例如是，先以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，移除部分抗反射层至曝露出金属反射层表面。然后，移除图案化之光阻层。接着，再以抗反射层为蚀刻罩幕，移除部分金属反射层至曝露出晶圆表面。依照本发明的实施例所述，上述之金属反射层的材质例如是铝、金或银。依照本发明的实施例所述，上述之抗反射层例如是无机抗反射层。依照本发明的实施例所述，上述之介电层例如是氧化层。依照本发明的实施例所述，上述移除部分介电层与抗反射层，直至曝露出金属反射层表面的方法例如是进行一化学机械研磨制程。依照本发明的实施例所述，上述之沟渠图案系成棋盘状。本发明另提出一种微型显示器的制程，首先提供一晶圆，晶圆上已形成有驱动电路。然后，于晶圆上形成金属反射层。接着，于金属反射层上依序形成第一介电层、抗反射层与图案化之光阻层。之后，以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，于抗反射层、第一介电层与金属反射层中形成沟渠图案，以曝露出晶圆表面。随后，再移除图案化之光阻层。继之，形成第二介电层，以覆盖抗反射层，且填入沟渠图案中。之后，移除部分第二介电层、抗反射层与第一介电层，直至曝露出金属反射层表面。依照本发明的实施例所述，上述之图案化之光阻层的材质例如是深紫外光光阻。依照本发明的实施例所述，上述之沟渠图案的形成方法例如是以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，直接移除部分抗反射层、部分第一介电层与部分金属反射层，至曝露出晶圆表面。在另一实施例中，沟渠图案的形成方法例如是，先以图案化之光阻层为蚀刻罩幕，移除部分抗反射层与第一介电层至曝露出金属反射层表面。接着，移除图案化之光阻层。然后，再以抗反射层与第一介电层为蚀刻罩幕，移除部分金属反射层至曝露出晶圆表面。依照本发明的实施例所述，上述之金属反射层的材质例如是铝、金或银。依照本发明的实施例所述，上述之抗反射层例如是无机抗反射层。依照本发明的实施例所述，上述之第一介电层例如是氧化层。依照本发明的实施例所述，上述之第二介电层例如是氧化层。依照本发明的实施例所述，上述移除部分第二介电层、抗反射层与第一介电层，直至曝露出金属反射层表面的方法例如是进行一化学机械研磨制程。依照本发明的实施例所述，上述之沟渠图案系成棋盘状。本发明系于金属反射层上形成抗反射层或者是介电层与抗反射层，以定义出间隙尺寸较小的沟渠图案，因此可突破微影制程的限制，提高微型显示器的开口率，进而提高光反射率与组件性能。而且，金属反射层上所形成之抗反射层或者是介电层与抗反射层亦可作为更进一步缩小间隙尺寸时的蚀刻罩幕。为让本发明之上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

4. 发明专利

TW442936B 一種接觸洞的製作方法有权
简体标题：一种接触洞的制作方法
公开(公告)号：TW442936B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW088112062
申请日：1999-07-16
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：李進輝 , 蔡健華 , 劉志拯
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種於一半導體晶片上製作一接觸洞的製作方法。該半導體晶片包含有一基底，一氧矽層設於該矽基底表面,以及一光阻層設於該氧矽層表面。該光阻層上至少設有一通達至該氧矽層表面之孔洞。該方法包含進行一非等向性之乾蝕刻製程，沿該孔洞垂直向下去除該氧矽層至一預定深度，以約略形成該接觸洞，並於該接觸洞表面形成一高分子(polymer)層。接著進行一清洗(soft etch)製程，以去除該接觸洞內之高分子層。然後沿該孔洞重複進行該乾蝕刻及清洗製程以垂直向下去除該氧矽層至該基底表面，以完成該接觸洞之製作。
简体摘要：本发明提供一种于一半导体芯片上制作一接触洞的制作方法。该半导体芯片包含有一基底，一氧硅层设于该硅基底表面,以及一光阻层设于该氧硅层表面。该光阻层上至少设有一通达至该氧硅层表面之孔洞。该方法包含进行一非等向性之干蚀刻制程，沿该孔洞垂直向下去除该氧硅层至一预定深度，以约略形成该接触洞，并于该接触洞表面形成一高分子(polymer)层。接着进行一清洗(soft etch)制程，以去除该接触洞内之高分子层。然后沿该孔洞重复进行该干蚀刻及清洗制程以垂直向下去除该氧硅层至该基底表面，以完成该接触洞之制作。

5. 发明专利

TW430905B 一種MOS電晶體的製作方法失效
简体标题：一种MOS晶体管的制作方法
公开(公告)号：TW430905B
公开(公告)日：2001-04-21
申请号：TW088115934
申请日：1999-09-15
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳宏男 , 蔡健華
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種於一半導體晶片上製作一MOS電晶體的方法。該半導體晶片表面包含有一矽基底，以及一介電層設於該矽基底表面。該製作方法係先於該介電層表面之至
少一預定區域上生成一閘極，再於該閘極表面上覆蓋一第一氧矽層。然後進行一第一離子佈植製程，以於該閘極兩側之矽基底表層形成二摻雜區，做為該MOS電晶體之輕摻雜汲極。隨後依序於該第一氧矽層表面上形成一第二氧矽層以及一犧牲層。接著進行一第一蝕刻製程，以去除該閘極上方之犧牲層並使一預定高度之該閘極頂部凸出於該殘留之犧牲層之上。跟著進行一第二蝕刻製程，以去除該閘極頂部位於該凸出部分表面之第一、第二氧矽層。然後將該犧牲層完全去除後，於該半導體晶片表面均勻地形成一氮矽層以覆蓋住該閘極之凸出部分以及該第一及第二氧矽層表面。接著進行一第三蝕刻製程，以垂直向下去除位於該閘極上方之氮矽層，並位於該閘極周圍之氮矽層形成側壁子。最後進行一第二離子佈植製程，使該側壁子外緣之矽基底上形成二摻雜區，做為該MOS電晶體的源極及汲極,以完成MOS電晶體的製作。
简体摘要：本发明系提供一种于一半导体芯片上制作一MOS晶体管的方法。该半导体芯片表面包含有一硅基底，以及一介电层设于该硅基底表面。该制作方法系先于该介电层表面之至少一预定区域上生成一闸极，再于该闸极表面上覆盖一第一氧硅层。然后进行一第一离子布植制程，以于该闸极两侧之硅基底表层形成二掺杂区，做为该MOS晶体管之轻掺杂汲极。随后依序于该第一氧硅层表面上形成一第二氧硅层以及一牺牲层。接着进行一第一蚀刻制程，以去除该闸极上方之牺牲层并使一预定高度之该闸极顶部凸出于该残留之牺牲层之上。跟着进行一第二蚀刻制程，以去除该闸极顶部位于该凸出部分表面之第一、第二氧硅层。然后将该牺牲层完全去除后，于该半导体芯片表面均匀地形成一氮硅层以覆盖住该闸极之凸出部分以及该第一及第二氧硅层表面。接着进行一第三蚀刻制程，以垂直向下去除位于该闸极上方之氮硅层，并位于该闸极周围之氮硅层形成侧壁子。最后进行一第二离子布植制程，使该侧壁子外缘之硅基底上形成二掺杂区，做为该MOS晶体管的源极及汲极,以完成MOS晶体管的制作。

6. 发明专利

TW413901B 自動對準接觸窗之製造方法失效
简体标题：自动对准接触窗之制造方法
公开(公告)号：TW413901B
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：TW088111413
申请日：1999-07-06
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：王泉富 , 蔡健華
IPC分类号： H01L
摘要：揭露一種在DRAM元件中形成開口的方法，其開口比如是自動對準的接觸窗開口。此方法主要包括:提供一介電層;在介電層上形成圖案化光阻;使用C5F8蝕刻劑來蝕刻介電層;之後將光阻移除。此開口具有好的輪廓。
简体摘要：揭露一种在DRAM组件中形成开口的方法，其开口比如是自动对准的接触窗开口。此方法主要包括:提供一介电层;在介电层上形成图案化光阻;使用C5F8蚀刻剂来蚀刻介电层;之后将光阻移除。此开口具有好的轮廓。

7. 发明专利

TW407338B 具有多襯層之節點接觸窗之結構與製造方法有权
简体标题：具有多衬层之节点接触窗之结构与制造方法
公开(公告)号：TW407338B
公开(公告)日：2000-10-01
申请号：TW087116877
申请日：1998-10-12
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：林郭琪 , 林坤佑 , 蔡健華 , 林錕吉
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有多襯層之節點接觸窗之結構與製造方法，包括提供一基底，且於基底上已形成有節點接觸窗，接著，於節點接觸窗之周圍側壁上，形成第一襯層，續之，於第一襯層上，形成第二襯層。本發明之特徵是於節點接觸窗之周圍側壁依序形成多層之襯層，與基底相接觸之第一襯層具有良好之隔離效果，而第二襯層具有較強的抗蝕刻能力。
简体摘要：一种具有多衬层之节点接触窗之结构与制造方法，包括提供一基底，且于基底上已形成有节点接触窗，接着，于节点接触窗之周围侧壁上，形成第一衬层，续之，于第一衬层上，形成第二衬层。本发明之特征是于节点接触窗之周围侧壁依序形成多层之衬层，与基底相接触之第一衬层具有良好之隔离效果，而第二衬层具有较强的抗蚀刻能力。

8. 发明专利

TW502375B 具有不同尺寸閘極間隙壁之半導體元件製造方法失效
简体标题：具有不同尺寸闸极间隙壁之半导体组件制造方法
公开(公告)号：TW502375B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW088103442
申请日：1999-03-05
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：陳宏男 , 林錕吉 , 侯俊良 , 蔡健華 , 林則安
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有小尺寸閘極結構之製造方法。本發明至少包含其包含雙層間隙壁結構。再者，半導體基底表面上具有閘氧化層，其多晶矽層形成於閘氧化層上方。接著，導電層形成於多晶矽層上方，且第一介電質層形成於該導電層上方。緊接著，第一光阻層於形成第一介電質層上方，且利用非等向性蝕刻方式蝕刻光阻層、局部第一介電質層、導電層、多晶矽層與閘氧化層，用以形成一內部閘極元件及周邊閘極元件。再者，第二介電質層形成於內部閘極元件及周邊閘極元件周圍，其第三介電質層形成於第二介電質層上方，第四介電質層形成於第三介電質層上方。接著，光阻層形成於內部閘極元件之第四介電質層上方，利用非等向性蝕刻方式蝕刻該周邊閘極元件之第四介電質層，用以形成該周邊閘極元件之第二層間隙壁，且利用非等向性蝕刻方式蝕刻該周邊閘極元件之第三介電質層，用以形成該周邊閘極元件之第一層間隙壁。再者，移除該內部閘極元件之光阻層與第四介電質層。接著，第五介電質層形成於該內部閘極元件之第三介電質層上方，移除該周邊閘極元件之第四介電質層及該閘極元件表面上方之第二介電質層。接著，第五介電質層形成於周邊閘極元件之第一介電質層及第三介電質層上方，形成光阻層於該第五介電質層上方。最後，利用非等向性蝕刻方式蝕刻光阻層，其內部閘極元件蝕刻出半導體基底位元線接觸窗、其週邊閘極元件蝕刻出閘極位元線接觸窗及半導體基底位元線接窗。
简体摘要：一种具有小尺寸闸极结构之制造方法。本发明至少包含其包含双层间隙壁结构。再者，半导体基底表面上具有闸氧化层，其多晶硅层形成于闸氧化层上方。接着，导电层形成于多晶硅层上方，且第一介电质层形成于该导电层上方。紧接着，第一光阻层于形成第一介电质层上方，且利用非等向性蚀刻方式蚀刻光阻层、局部第一介电质层、导电层、多晶硅层与闸氧化层，用以形成一内部闸极组件及周边闸极组件。再者，第二介电质层形成于内部闸极组件及周边闸极组件周围，其第三介电质层形成于第二介电质层上方，第四介电质层形成于第三介电质层上方。接着，光阻层形成于内部闸极组件之第四介电质层上方，利用非等向性蚀刻方式蚀刻该周边闸极组件之第四介电质层，用以形成该周边闸极组件之第二层间隙壁，且利用非等向性蚀刻方式蚀刻该周边闸极组件之第三介电质层，用以形成该周边闸极组件之第一层间隙壁。再者，移除该内部闸极组件之光阻层与第四介电质层。接着，第五介电质层形成于该内部闸极组件之第三介电质层上方，移除该周边闸极组件之第四介电质层及该闸极组件表面上方之第二介电质层。接着，第五介电质层形成于周边闸极组件之第一介电质层及第三介电质层上方，形成光阻层于该第五介电质层上方。最后，利用非等向性蚀刻方式蚀刻光阻层，其内部闸极组件蚀刻出半导体基底比特线接触窗、其周边闸极组件蚀刻出闸极比特线接触窗及半导体基底比特线接窗。

9. 发明专利

TW395025B 未接著介層窗插塞之製造方法失效
简体标题：未接着介层窗插塞之制造方法
公开(公告)号：TW395025B
公开(公告)日：2000-06-21
申请号：TW087114613
申请日：1998-09-03
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：蔡健華
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76897 , H01L21/76801 , H01L21/76802 , H01L21/76829 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種未接著介層窗插塞之製造方法，此方法係在已形成導線的基底上形成一層介電層，使其表面介於導線上下緣之間。之後，在基底上形成蝕刻終止層，並將其平坦化直至露出導線。然後在蝕刻終止層上形成另一層介電層，並進行蝕刻處理，以形成介層窗口，裸露出導線。繼之，在介層窗口中完成介層窗插塞之製造。由於此蝕刻終止層與介電層之材質具有不同的蝕刻率，而且可以與電漿蝕刻製程中之氣體源產生聚合物，因此，此蝕刻終止層可以做為蝕刻終點，來防止於定義介層窗口時，因發生對準失誤造成蝕刻穿透，而致使元件失效等問題。
简体摘要：一种未接着介层窗插塞之制造方法，此方法系在已形成导线的基底上形成一层介电层，使其表面介于导在线下缘之间。之后，在基底上形成蚀刻终止层，并将其平坦化直至露出导线。然后在蚀刻终止层上形成另一层介电层，并进行蚀刻处理，以形成介层窗口，裸露出导线。继之，在介层窗口中完成介层窗插塞之制造。由于此蚀刻终止层与介电层之材质具有不同的蚀刻率，而且可以与等离子蚀刻制程中之气体源产生聚合物，因此，此蚀刻终止层可以做为蚀刻终点，来防止于定义介层窗口时，因发生对准失误造成蚀刻穿透，而致使组件失效等问题。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式