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1. 发明专利

TWI354333B 開口蝕刻後的清洗方法 CLEANING METHOD FOLLOWING OPENING ETCH 有权
简体标题：开口蚀刻后的清洗方法 CLEANING METHOD FOLLOWING OPENING ETCH
公开(公告)号：TWI354333B
公开(公告)日：2011-12-11
申请号：TW096145201
申请日：2007-11-28
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：王界入 , 姚志成 , 賴育聰 , 廖俊雄
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種開口蝕刻後的清洗方法，首先提供一半導體基底，其上具有一介電層接著進行該開口蝕刻，以於該介電層中形成至少一開口，隨即進行一氮氣處理製程以清洗該開口中的碳氟鍵結(C－F)聚合物殘留物，最後進行一濕式清洗製程。
简体摘要：本发明提供一种开口蚀刻后的清洗方法，首先提供一半导体基底，其上具有一介电层接着进行该开口蚀刻，以于该介电层中形成至少一开口，随即进行一氮气处理制程以清洗该开口中的碳氟键结(C－F)聚合物残留物，最后进行一湿式清洗制程。

2. 发明专利

TW201005793A 圖案化的方法 PATTERNING METHOD 审中-公开
简体标题：图案化的方法 PATTERNING METHOD
公开(公告)号：TW201005793A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW097129073
申请日：2008-07-31
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：賴育聰 , 張世璋 , 王界入 , 姚志成 , 廖俊雄
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種圖案化的方法。此方法是在底部抗反射塗佈層上先形成圖案化光阻層，此圖案化光阻層具有開口，裸露出底部抗反射塗佈層。接著以含氟碳化合物之氣體，處理圖案化光阻層，使其表面與開口處側壁表面形成聚合物層。之後，再以圖案化光阻層為罩幕，使用包括氬氣以及氫氣且不包括氟碳化合物以及不包括含氧物種之氣體蝕刻底部抗反射塗佈層，以移除裸露出的底部抗反射塗佈層。
简体摘要：本发明提供一种图案化的方法。此方法是在底部抗反射涂布层上先形成图案化光阻层，此图案化光阻层具有开口，裸露出底部抗反射涂布层。接着以含氟碳化合物之气体，处理图案化光阻层，使其表面与开口处侧壁表面形成聚合物层。之后，再以图案化光阻层为罩幕，使用包括氩气以及氢气且不包括氟碳化合物以及不包括含氧物种之气体蚀刻底部抗反射涂布层，以移除裸露出的底部抗反射涂布层。

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