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    • 3. 发明专利
    • 薄膜太陽能電池及其製造方法
    • 薄膜太阳能电池及其制造方法
    • TW201351670A
    • 2013-12-16
    • TW101121426
    • 2012-06-14
    • 聯相光電股份有限公司NEXPOWER TECHNOLOGY CORPORATION
    • 李佳霖LEE, CHIA LING畢建中BI, CHIEN CHUNG
    • H01L31/042H01L31/18
    • H01L31/0376H01L31/075Y02E10/548
    • 本發明係揭露一種薄膜太陽能電池及其製造方法。薄膜太陽能電池包含基板、P型層、界面層、I型非晶矽層、I型吸收層、N型層以及電極層。P型層設置於基板之上方。界面層設置於P型層之上方。I型非晶矽層設置於界面層之上方。I型吸收層設置於I型非晶矽層之上方。N型層設置於I型吸收層之上方。電極層設置於N型層之上方。其中,藉由I型吸收層之能隙小於I型非晶矽層,增加光吸收度,並提升薄膜太陽能電池之電流。藉由界面層改善I型非晶矽層之界面薄膜品質,以提升薄膜太陽能電池之填充因子。其中,I型吸收層厚度大於I型非晶矽層厚度之20%,且界面層之厚度小於I型非晶矽層之20%。
    • 本发明系揭露一种薄膜太阳能电池及其制造方法。薄膜太阳能电池包含基板、P型层、界面层、I型非晶硅层、I型吸收层、N型层以及电极层。P型层设置于基板之上方。界面层设置于P型层之上方。I型非晶硅层设置于界面层之上方。I型吸收层设置于I型非晶硅层之上方。N型层设置于I型吸收层之上方。电极层设置于N型层之上方。其中,借由I型吸收层之能隙小于I型非晶硅层,增加光吸收度,并提升薄膜太阳能电池之电流。借由界面层改善I型非晶硅层之界面薄膜品质,以提升薄膜太阳能电池之填充因子。其中,I型吸收层厚度大于I型非晶硅层厚度之20%,且界面层之厚度小于I型非晶硅层之20%。