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1. 发明专利

TWI445192B 薄膜型太陽能電池及其製作方法有权
简体标题：薄膜型太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TWI445192B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW100119318
申请日：2011-06-01
申请人：聯相光電股份有限公司 , NEXPOWER TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：楊英哲 , YANG, YING JHE , 曾名輝 , TSENG, MING HUI , 畢建中 , BI, CHIEN CHUNG , 劉致為 , LIU, CHEE WEE
IPC分类号： H01L31/0445
CPC分类号： Y02E10/50

2. 发明专利

TW201314928A 串疊型薄膜太陽能電池結構审中-公开
简体标题：串叠型薄膜太阳能电池结构
公开(公告)号：TW201314928A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW100135203
申请日：2011-09-29
申请人：聯相光電股份有限公司 , NEXPOWER TECHNOLOGY CORP.
发明人：楊英哲 , YANG, YING JHE , 曾名輝 , TSENG, MING HUI , 畢建中 , BI, CHIEN CHUNG
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明係有關於一種串疊型薄膜太陽能電池結構，包括：一基板、一第一電極層、一第一半導體層、一第一本質層、一第一穿隧復合層、一第二穿隧復合層、一第二本質層、一第二半導體層、一第二電極層，藉由於任一穿隧復合層中摻雜一微晶矽鍺（microcrystalline silicon germanium, μc-SiGe）材料，可取代現有材料，且可將因照光所產生之內部多餘累積電子電洞復合，進一步維持太陽光能轉換效率。
简体摘要：本发明系有关于一种串叠型薄膜太阳能电池结构，包括：一基板、一第一电极层、一第一半导体层、一第一本质层、一第一穿隧复合层、一第二穿隧复合层、一第二本质层、一第二半导体层、一第二电极层，借由于任一穿隧复合层中掺杂一微晶硅锗（microcrystalline silicon germanium, μc-SiGe）材料，可取代现有材料，且可将因照光所产生之内部多余累积电子电洞复合，进一步维持太阳光能转换效率。

3. 发明专利

TW201251046A 薄膜型太陽能電池及其製作方法 THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：薄膜型太阳能电池及其制作方法 THIN FILM SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201251046A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100119318
申请日：2011-06-01
申请人：聯相光電股份有限公司
发明人：楊英哲 , 曾名輝 , 畢建中 , 劉致為
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：本發明係揭露一薄膜型太陽能電池,至少包括:一基材、一第一導電層、一第二導電層、一第一半導體層、一第二半導體層以及一第三半導體層、一電極層、一異質半導體層,該異質半導體層之材料選擇性地與該第一半導體層或第三半導體層之材料相異,該異質半導體層選擇性地為P型異質半導體層、N型異質半導體層或本質半導體層;該異質半導體層設於該第一半導體層及該第二半導體層之間,亦或該異質半導體層設於該第二半導體層及該第三半導體層之間;據此,本發明薄膜型太陽能電池具有暗電流小以及開路電壓大之優點。
简体摘要：本发明系揭露一薄膜型太阳能电池,至少包括:一基材、一第一导电层、一第二导电层、一第一半导体层、一第二半导体层以及一第三半导体层、一电极层、一异质半导体层,该异质半导体层之材料选择性地与该第一半导体层或第三半导体层之材料相异,该异质半导体层选择性地为P型异质半导体层、N型异质半导体层或本质半导体层;该异质半导体层设于该第一半导体层及该第二半导体层之间,亦或该异质半导体层设于该第二半导体层及该第三半导体层之间;据此,本发明薄膜型太阳能电池具有暗电流小以及开路电压大之优点。

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