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1. 发明专利

TW201911499A 半導體封裝結構审中-公开
简体标题：半导体封装结构
公开(公告)号：TW201911499A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107126102
申请日：2018-07-27
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：張嘉誠 , CHANG, CHIA CHENG , 林子閎 , LIN, TZU HUNG , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN , 劉乃瑋 , LIU, NAI WEI
IPC分类号： H01L23/31
摘要：本發明公開一種半導體封裝結構，包括：封裝基板，具有第一表面和與第一表面相對的第二表面；至少一個半導體晶粒，位於該封裝基板的第一表面上並由封裝層圍繞；蓋結構，圍繞該封裝層並與該封裝層間隔開；其中該蓋結構包括第一開口，該第一開口由該封裝基板的第一表面所覆蓋；第一電子部件，位於該封裝基板的第一表面上方，並設置在該蓋結構的第一開口之內。
简体摘要：本发明公开一种半导体封装结构，包括：封装基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；至少一个半导体晶粒，位于该封装基板的第一表面上并由封装层围绕；盖结构，围绕该封装层并与该封装层间隔开；其中该盖结构包括第一开口，该第一开口由该封装基板的第一表面所覆盖；第一电子部件，位于该封装基板的第一表面上方，并设置在该盖结构的第一开口之内。

4. 发明专利

TW201714259A 半導體封裝結構及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体封装结构及其形成方法
公开(公告)号：TW201714259A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105128083
申请日：2016-08-31
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：劉乃瑋 , LIU, NAI WEI , 林子閎 , LIN, TZU HUNG , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN , 黃偉哲 , HUANG, WEI CHE
IPC分类号： H01L23/28
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/03011 , H01L2224/03502 , H01L2224/036 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/06136 , H01L2224/06146 , H01L2224/06156 , H01L2224/06166 , H01L2224/10126 , H01L2224/12105 , H01L2224/16235 , H01L2224/17136 , H01L2224/17146 , H01L2224/17156 , H01L2224/17166 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2225/06572 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/10253 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/214 , H01L2924/00
摘要：本發明提供了一種半導體封裝結構及其形成方法。該半導體封裝結構包括：一半導體主體；一互連結構，設置在該半導體主體的表面上；一模塑料，圍繞該半導體主體及該互連結構；以及一重分佈層結構，設置在該互連結構及該模塑料上。其中，該模塑料的一部分在該重分佈層結構及該半導體主體之間延伸，並且該部分的模塑料係位於該半導體主體的表面的正下方。
简体摘要：本发明提供了一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括：一半导体主体；一互链接构，设置在该半导体主体的表面上；一模塑料，围绕该半导体主体及该互链接构；以及一重分布层结构，设置在该互链接构及该模塑料上。其中，该模塑料的一部分在该重分布层结构及该半导体主体之间延伸，并且该部分的模塑料系位于该半导体主体的表面的正下方。

5. 发明专利

TW201642358A 半導體封裝組件及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体封装组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201642358A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105113409
申请日：2016-04-29
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：林子閎 , LIN, TZU HUNG , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L23/16
CPC分类号： H01L25/16 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/14051 , H01L2224/16145 , H01L2224/16265 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/81815 , H01L2224/92124 , H01L2224/92225 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/37001 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2924/00
摘要：本發明提供半導體封裝組件，半導體封裝組件包含半導體封裝。半導體封裝包含半導體晶片。重佈層結構設置於半導體晶片之上，且與半導體晶片電性連接。主動或被動元件設置於半導體晶片與重佈層結構之間。模塑料圍繞半導體晶片和主動或被動元件。
简体摘要：本发明提供半导体封装组件，半导体封装组件包含半导体封装。半导体封装包含半导体芯片。重布层结构设置于半导体芯片之上，且与半导体芯片电性连接。主动或被动组件设置于半导体芯片与重布层结构之间。模塑料围绕半导体芯片和主动或被动组件。

6. 发明专利

TW201633471A 半導體封裝結構审中-公开
简体标题：半导体封装结构
公开(公告)号：TW201633471A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW105104430
申请日：2016-02-16
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：林子閎 , LIN, TZU HUNG , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/488
CPC分类号： H01L25/105 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/16 , H01L2224/04042 , H01L2224/12105 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06568 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00
摘要：本發明提供了一種半導體封裝結構。該半導體封裝結構包含：一第一半導體封裝，該第一半導體封裝包含有：一第一半導體祼晶片；一第一模塑料，圍繞該第一半導體祼晶片；一第一重分佈層結構，設置在該第一模塑料的底面上，該第一半導體祼晶片耦接至該第一重分佈層結構；一第二重分佈層結構，設置在該第一模塑料的頂面上；以及一被動元件，耦接至該第二重分佈層結構。
简体摘要：本发明提供了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包含：一第一半导体封装，该第一半导体封装包含有：一第一半导体祼芯片；一第一模塑料，围绕该第一半导体祼芯片；一第一重分布层结构，设置在该第一模塑料的底面上，该第一半导体祼芯片耦接至该第一重分布层结构；一第二重分布层结构，设置在该第一模塑料的顶面上；以及一被动组件，耦接至该第二重分布层结构。

7. 发明专利

TW201911494A 半導體封裝組件及其形成方法审中-公开
简体标题：半导体封装组件及其形成方法
公开(公告)号：TW201911494A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107127101
申请日：2018-08-03
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：張嘉誠 , CHANG, CHIA CHENG , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN , 林子閎 , LIN, TZU HUNG
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48
摘要：本發明公開一種半導體封裝組件，包括：半導體晶粒和第一記憶體晶粒，設置在基板的第一表面上，其中該第一記憶體晶粒包括面向該半導體晶粒的第一邊緣，並且該半導體晶粒包括：外圍區域，具有面向該第一記憶體晶粒的第一邊緣的第二邊緣和與該第二邊緣相對的第三邊緣；以及電路區域，由該外圍區域圍繞，其中該電路區域具有與該第二邊緣相鄰的第四邊緣和與該第三邊緣相鄰的第五邊緣，其中，該第二邊緣和該第四邊緣之間的距離為第一距離，該第三邊緣和該第五邊緣之間的距離為第二距離，該第一距離不同於該第二距離。
简体摘要：本发明公开一种半导体封装组件，包括：半导体晶粒和第一内存晶粒，设置在基板的第一表面上，其中该第一内存晶粒包括面向该半导体晶粒的第一边缘，并且该半导体晶粒包括：外围区域，具有面向该第一内存晶粒的第一边缘的第二边缘和与该第二边缘相对的第三边缘；以及电路区域，由该外围区域围绕，其中该电路区域具有与该第二边缘相邻的第四边缘和与该第三边缘相邻的第五边缘，其中，该第二边缘和该第四边缘之间的距离为第一距离，该第三边缘和该第五边缘之间的距离为第二距离，该第一距离不同于该第二距离。

8. 发明专利

TWI644404B 半導體封裝結構有权
简体标题：半导体封装结构
公开(公告)号：TWI644404B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106116433
申请日：2017-05-18
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：劉乃瑋 , LIU, NAI WEI , 林子閎 , LIN, TZU HUNG , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN , 郭哲宏 , KUO, CHE HUNG , 周哲雅 , CHOU, CHE YA , 黃偉哲 , HUANG, WEI CHE
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/065

10. 发明专利

TW201715670A 半導體封裝結構审中-公开
简体标题：半导体封装结构
公开(公告)号：TW201715670A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105113049
申请日：2016-04-27
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：林子閎 , LIN, TZU HUNG , 彭逸軒 , PENG, I HSUAN , 劉乃瑋 , LIU, NAI WEI , 蕭景文 , HSIAO, CHING WEN , 黃偉哲 , HUANG, WEI CHE
IPC分类号： H01L23/48 , H01Q1/22
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L23/3128 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L25/16 , H01L2223/6677 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/1421 , H01L2924/1435 , H01L2924/1438 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025
摘要：本發明提供了一種具有一半導體封裝的一半導體封裝結構。該半導體封裝包括：一重分佈層結構，具有一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面；一半導體晶粒，設置在該重分佈層結構的該第一表面上；一模塑料，設置在該重分佈層結構的該第一表面上且圍繞該半導體晶粒；以及一金屬間介電結構，設置在該第一模塑料和該第一半導體晶粒上，其中，該金屬間介電結構包括：具有一天線圖案的一導電層或者一金屬遮罩層。
简体摘要：本发明提供了一种具有一半导体封装的一半导体封装结构。该半导体封装包括：一重分布层结构，具有一第一表面及相对于该第一表面的一第二表面；一半导体晶粒，设置在该重分布层结构的该第一表面上；一模塑料，设置在该重分布层结构的该第一表面上且围绕该半导体晶粒；以及一金属间介电结构，设置在该第一模塑料和该第一半导体晶粒上，其中，该金属间介电结构包括：具有一天线图案的一导电层或者一金属遮罩层。

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