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    • 2. 发明专利
    • 半導體封裝組件及其形成方法
    • 半导体封装组件及其形成方法
    • TW201911494A
    • 2019-03-16
    • TW107127101
    • 2018-08-03
    • 聯發科技股份有限公司MEDIATEK INC.
    • 張嘉誠CHANG, CHIA CHENG彭逸軒PENG, I HSUAN林子閎LIN, TZU HUNG
    • H01L23/28H01L23/48
    • 本發明公開一種半導體封裝組件,包括:半導體晶粒和第一記憶體晶粒,設置在基板的第一表面上,其中該第一記憶體晶粒包括面向該半導體晶粒的第一邊緣,並且該半導體晶粒包括:外圍區域,具有面向該第一記憶體晶粒的第一邊緣的第二邊緣和與該第二邊緣相對的第三邊緣;以及電路區域,由該外圍區域圍繞,其中該電路區域具有與該第二邊緣相鄰的第四邊緣和與該第三邊緣相鄰的第五邊緣,其中,該第二邊緣和該第四邊緣之間的距離為第一距離,該第三邊緣和該第五邊緣之間的距離為第二距離,該第一距離不同於該第二距離。
    • 本发明公开一种半导体封装组件,包括:半导体晶粒和第一内存晶粒,设置在基板的第一表面上,其中该第一内存晶粒包括面向该半导体晶粒的第一边缘,并且该半导体晶粒包括:外围区域,具有面向该第一内存晶粒的第一边缘的第二边缘和与该第二边缘相对的第三边缘;以及电路区域,由该外围区域围绕,其中该电路区域具有与该第二边缘相邻的第四边缘和与该第三边缘相邻的第五边缘,其中,该第二边缘和该第四边缘之间的距离为第一距离,该第三边缘和该第五边缘之间的距离为第二距离,该第一距离不同于该第二距离。
    • 5. 发明专利
    • 半導體封裝結構
    • 半导体封装结构
    • TW201832328A
    • 2018-09-01
    • TW107104989
    • 2018-02-12
    • 聯發科技股份有限公司MEDIATEK INC.
    • 林子閎LIN, TZU HUNG張嘉誠CHANG, CHIA CHENG彭逸軒PENG, I HSUAN
    • H01L23/31H01L23/52
    • 本發明提供了一種半導體封裝結構。該半導體封裝結構包括:一第一半導體封裝和一第二半導體封裝,位於該第一半導體封裝的一部分上。該第一半導體封裝包括:一第一RDL結構,一第一半導體晶粒以及一模塑料。該第一半導體晶粒設置在該第一RDL結構的一第一表面上並且電性耦接至該第一RDL結構。該第一模塑料設置在該第一RDL結構的該第一表面上並且圍繞該第一半導體晶粒。該第二半導體封裝包括:一第一記憶體晶粒和一第二記憶體晶粒,垂直地堆疊於該第一記憶體晶粒上。該第二記憶體晶粒通過穿過該第二記憶體晶粒的矽通孔(TSV)互連結構電性耦接至該第一記憶體晶粒。
    • 本发明提供了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括:一第一半导体封装和一第二半导体封装,位于该第一半导体封装的一部分上。该第一半导体封装包括:一第一RDL结构,一第一半导体晶粒以及一模塑料。该第一半导体晶粒设置在该第一RDL结构的一第一表面上并且电性耦接至该第一RDL结构。该第一模塑料设置在该第一RDL结构的该第一表面上并且围绕该第一半导体晶粒。该第二半导体封装包括:一第一内存晶粒和一第二内存晶粒,垂直地堆栈于该第一内存晶粒上。该第二内存晶粒通过穿过该第二内存晶粒的硅通孔(TSV)互链接构电性耦接至该第一内存晶粒。