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2. 发明专利

TW201226319A 具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法失效
简体标题：具有低介电常数之奈米沸石薄膜的制备方法
公开(公告)号：TW201226319A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099146567
申请日：2010-12-29
申请人：義守大學
发明人：林炯芳 , 尤俊方
IPC分类号： C01B , B32B
CPC分类号： C23C26/00 , B82Y40/00 , C23C4/123 , C23C4/134 , Y10T428/24355
摘要：本發明提供一種具有低介電常數之奈米沸石薄膜的製備方法，包含：(A)配製一奈米沸石晶體懸浮液，其包括多數個奈米沸石晶體及乙醇，每一個奈米沸石晶體含有多數個孔洞及多數個位於該等孔洞內的模板分子；(B)對一基材加熱；(C)將該奈米沸石晶體懸浮液予以霧化，形成多數個含有奈米沸石晶體之霧化液滴；(D)利用一惰性氣體，將該等霧化液滴帶入一電漿中進行電漿反應；及(E)使該等經電漿處理之奈米沸石晶體沉積於該步驟(B)之經加熱基材上，以去除該等奈米沸石晶體之模板分子，並製得一適用於半導體產業且具有低介電常數之奈米沸石薄膜。
简体摘要：本发明提供一种具有低介电常数之奈米沸石薄膜的制备方法，包含：(A)配制一奈米沸石晶体悬浮液，其包括多数个奈米沸石晶体及乙醇，每一个奈米沸石晶体含有多数个孔洞及多数个位于该等孔洞内的模板分子；(B)对一基材加热；(C)将该奈米沸石晶体悬浮液予以雾化，形成多数个含有奈米沸石晶体之雾化液滴；(D)利用一惰性气体，将该等雾化液滴带入一等离子中进行等离子反应；及(E)使该等经等离子处理之奈米沸石晶体沉积于该步骤(B)之经加热基材上，以去除该等奈米沸石晶体之模板分子，并制得一适用于半导体产业且具有低介电常数之奈米沸石薄膜。

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