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1. 发明专利

TW201821994A 記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元审中-公开
简体标题：内存管理方法、内存存储设备及内存控制电路单元
公开(公告)号：TW201821994A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW105141375
申请日：2016-12-14
申请人：群聯電子股份有限公司 , PHISON ELECTRONICS CORP.
发明人：蕭博文 , HSIAO, PO-WEN , 呂學錡 , LU, HSUEH-CHI
IPC分类号： G06F12/02 , G06F12/08
摘要：一種記憶體管理方法、記憶體儲存裝置及記憶體控制電路單元。所述方法包括：獲得可複寫式非揮發性記憶體模組中用以儲存來自主機系統之資料的第一實體單元的使用狀況；根據所述使用狀況決定第一規則；以及根據所述第一規則執行第一操作。所述第一操作包括：將來自主機系統的第一資料儲存至所述第一實體單元中；以及將來自可複寫式非揮發性記憶體模組的第二資料儲存至第二實體單元中，其中所述第一規則對應於所述第一資料的資料量與所述第二資料的資料量的第一比例。藉此，記憶體儲存裝置可穩定地儲存來自外部與內部的資料。
简体摘要：一种内存管理方法、内存存储设备及内存控制电路单元。所述方法包括：获得可复写式非挥发性内存模块中用以存储来自主机系统之数据的第一实体单元的使用状况；根据所述使用状况决定第一守则；以及根据所述第一守则运行第一操作。所述第一操作包括：将来自主机系统的第一数据存储至所述第一实体单元中；以及将来自可复写式非挥发性内存模块的第二数据存储至第二实体单元中，其中所述第一守则对应于所述第一数据的数据量与所述第二数据的数据量的第一比例。借此，内存存储设备可稳定地存储来自外部与内部的数据。

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