专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201843709A 使用極紫外線光微影技術形成積體電路結構之方法及相關積體電路結構审中-公开
简体标题：使用极紫外线光微影技术形成集成电路结构之方法及相关集成电路结构
公开(公告)号：TW201843709A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106140107
申请日：2017-11-20
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：孫磊 , SUN, LEI , 王文輝 , WANG, WENHUI , 張洵淵 , ZHANG, XUNYUAN , 謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 曾伽 , ZENG, JIA , 朱雪蓮 , ZHU, XUELIAN , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 劉紹銘 , LAW, SHAO BENG
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/28 , H01L29/41
摘要：本揭露之一項態樣係針對形成積體電路結構之方法。該方法可包括：提供位在半導體基板上方之鰭片集合，該鰭片集合包括複數個工作鰭片及複數個虛設鰭片，該複數個虛設鰭片包括離該複數個工作鰭片中任一者在預定義距離內之第一虛設鰭片子集、及離該複數個工作鰭片中任一者超出該預定義距離之第二虛設鰭片子集；藉由極紫外線(EUV)微影技術將該第一虛設鰭片子集移除；以及將該第二虛設鰭片子集之至少一部分移除。
简体摘要：本揭露之一项态样系针对形成集成电路结构之方法。该方法可包括：提供位在半导体基板上方之鳍片集合，该鳍片集合包括复数个工作鳍片及复数个虚设鳍片，该复数个虚设鳍片包括离该复数个工作鳍片中任一者在预定义距离内之第一虚设鳍片子集、及离该复数个工作鳍片中任一者超出该预定义距离之第二虚设鳍片子集；借由极紫外线(EUV)微影技术将该第一虚设鳍片子集移除；以及将该第二虚设鳍片子集之至少一部分移除。

2. 发明专利

TWI646585B 運用選擇性移除鰭部之半導體結構的形成有权
简体标题：运用选择性移除鳍部之半导体结构的形成
公开(公告)号：TWI646585B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106106412
申请日：2017-02-24
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 拉貝爾卡瑞妮B , LABELLE, CATHERINE B. , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L29/78

3. 发明专利

TW201834245A 在主動區上方具有氣隙間隔件與閘極接觸之基於電晶體的半導體裝置审中-公开
简体标题：在主动区上方具有气隙间隔件与闸极接触之基于晶体管的半导体设备
公开(公告)号：TW201834245A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106120890
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 賴柏曼拉爾斯渥夫岡 , LIEBMANN, LARS WOLFGANG , 金勳 , KIM, HOON
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要：一種半導體結構，包括半導體基板、在該半導體基板上的半導體鰭片、與該半導體鰭片整合在其頂部的電晶體，該電晶體包括主動區，該主動區包括源極、汲極以及在源極與汲極其間的通道區域。該半導體結構進一步包括在該通道區域上方的閘極結構，該閘極結構包括閘極電極、在該閘極電極之相對側壁上的氣隙間隔件對、以及用於該閘極電極的閘極接觸。還提供一種製造這種半導體裝置的方法。
简体摘要：一种半导体结构，包括半导体基板、在该半导体基板上的半导体鳍片、与该半导体鳍片集成在其顶部的晶体管，该晶体管包括主动区，该主动区包括源极、汲极以及在源极与汲极其间的信道区域。该半导体结构进一步包括在该信道区域上方的闸极结构，该闸极结构包括闸极电极、在该闸极电极之相对侧壁上的气隙间隔件对、以及用于该闸极电极的闸极接触。还提供一种制造这种半导体设备的方法。

4. 发明专利

TWI677096B 在主動區上方具有氣隙間隔件與閘極接觸之基於電晶體的半導體裝置有权
简体标题：在主动区上方具有气隙间隔件与闸极接触之基于晶体管的半导体设备
公开(公告)号：TWI677096B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW106120890
申请日：2017-06-22
申请人：美商格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 朴燦柔 , PARK, CHANRO , 賴柏曼拉爾斯渥夫岡 , LIEBMANN, LARS WOLFGANG , 金勳 , KIM, HOON
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/772 , H01L21/28 , H01L21/336

5. 发明专利

TW201810389A 運用選擇性移除鰭部之半導體結構的形成审中-公开
简体标题：运用选择性移除鳍部之半导体结构的形成
公开(公告)号：TW201810389A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106106412
申请日：2017-02-24
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 拉貝爾卡瑞妮B , LABELLE, CATHERINE B. , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3065 , H01L21/308 , H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/40 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1037 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L29/16 , H01L29/66795 , H01L29/7851
摘要：運用選擇性移除鰭部之半導體結構的形成，舉例而言，包括提供基材，其具備上有第一硬遮罩之第一複數個鰭部、上有第二硬遮罩之第二複數個鰭部，該第一硬遮罩有別於該第二硬遮罩，在該等第一與第二鰭部之諸下部分之間沉積第一填充材料，在介於該等第一與第二鰭部之間的該第一填充材料上沉積第三硬遮罩層，在延展於該等第一與第二鰭部之諸上部分之間的該第三硬遮罩上沉積第二填充材料，選擇性地移除該等第二硬遮罩及該等第二鰭部以在該等第一與第二填充材料中形成開穴，在該等開穴中沉積第三填充材料，以及移除該第三硬遮罩上面之該第二填充材料與該第三填充材料以形成鰭部切口區。
简体摘要：运用选择性移除鳍部之半导体结构的形成，举例而言，包括提供基材，其具备上有第一硬遮罩之第一复数个鳍部、上有第二硬遮罩之第二复数个鳍部，该第一硬遮罩有别于该第二硬遮罩，在该等第一与第二鳍部之诸下部分之间沉积第一填充材料，在介于该等第一与第二鳍部之间的该第一填充材料上沉积第三硬遮罩层，在延展于该等第一与第二鳍部之诸上部分之间的该第三硬遮罩上沉积第二填充材料，选择性地移除该等第二硬遮罩及该等第二鳍部以在该等第一与第二填充材料中形成开穴，在该等开穴中沉积第三填充材料，以及移除该第三硬遮罩上面之该第二填充材料与该第三填充材料以形成鳍部切口区。

6. 发明专利

TWI663651B 使用強化閘極蓋體及間隔物部份之自對準接觸部保護有权
简体标题：使用强化闸极盖体及间隔物部份之自对准接触部保护
公开(公告)号：TWI663651B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW106120340
申请日：2017-06-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 朴燦柔 , PARK, CHANRO
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/3205 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/66

7. 发明专利

TW201830520A 使用強化閘極蓋體及間隔物部份之自對準接觸部保護审中-公开
简体标题：使用强化闸极盖体及间隔物部份之自对准接触部保护
公开(公告)号：TW201830520A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106120340
申请日：2017-06-19
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 成敏圭 , SUNG, MIN GYU , 金勳 , KIM, HOON , 朴燦柔 , PARK, CHANRO
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/3205 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L29/66
摘要：一種方法，包括：提供起始結構，該起始結構包含半導體基材、源極與汲極、位在該等源極與汲極上方之硬罩襯墊層、位在該硬罩襯墊層上方之底端介電層、介於該等源極與汲極之間的金屬閘極，其中該等金屬閘極係藉由間隔物所界定、介於對應間隔物之間並且位在該等金屬閘極上面之閘極蓋體開口、以及位在該底端介電層上面並且位在該等閘極蓋體開口中之頂端介電層，從而產生閘極蓋體。該方法更包括移除該頂端介電層之部分，該移除導致接觸開口及位於該等間隔物及/或閘極蓋體之頂端部分處的(多個)凹坑，以及以蝕刻終止材料來填充該(等)凹坑，該蝕刻終止材料具有比該等間隔物與閘極蓋體之材料更佳之蝕刻終止能力。亦揭示所產生之半導體結構。
简体摘要：一种方法，包括：提供起始结构，该起始结构包含半导体基材、源极与汲极、位在该等源极与汲极上方之硬罩衬垫层、位在该硬罩衬垫层上方之底端介电层、介于该等源极与汲极之间的金属闸极，其中该等金属闸极系借由间隔物所界定、介于对应间隔物之间并且位在该等金属闸极上面之闸极盖体开口、以及位在该底端介电层上面并且位在该等闸极盖体开口中之顶端介电层，从而产生闸极盖体。该方法更包括移除该顶端介电层之部分，该移除导致接触开口及位于该等间隔物及/或闸极盖体之顶端部分处的(多个)凹坑，以及以蚀刻终止材料来填充该(等)凹坑，该蚀刻终止材料具有比该等间隔物与闸极盖体之材料更佳之蚀刻终止能力。亦揭示所产生之半导体结构。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式