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1. 发明专利

TWI681457B 複合接觸蝕刻停止層有权
简体标题：复合接触蚀刻停止层
公开(公告)号：TWI681457B
公开(公告)日：2020-01-01
申请号：TW107115740
申请日：2018-05-09
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：黃海苟 , HUANG, HAIGOU , 傑格丹尼爾 , JAEGER, DANIEL , 吳旭昇 , WU, XUSHENG , 高金晟 , GAO, JINSHENG
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786

2. 发明专利

TW201911414A 複合接觸蝕刻停止層审中-公开
简体标题：复合接触蚀刻停止层
公开(公告)号：TW201911414A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107115740
申请日：2018-05-09
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：黃海苟 , HUANG, HAIGOU , 傑格丹尼爾 , JAEGER, DANIEL , 吳旭昇 , WU, XUSHENG , 高金晟 , GAO, JINSHENG
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要：一複合蝕刻停止層包括形成於一犧牲閘極結構上方的一氧化物層以及形成於該氧化物層上方的一氮化物層。該氧化物層僅設於該犧牲閘極結構的較低部分的上方，而該氮化物層包封該氧化物層，並直接設於該犧牲閘極結構的一頂表面的上方。例如，於該複合蝕刻停止層的上方形成一層間介電質的期間，氮化物層對氧化的敏感性，通過於該犧牲閘極層的上部消除該氧化物層而降低。
简体摘要：一复合蚀刻停止层包括形成于一牺牲闸极结构上方的一氧化物层以及形成于该氧化物层上方的一氮化物层。该氧化物层仅设于该牺牲闸极结构的较低部分的上方，而该氮化物层包封该氧化物层，并直接设于该牺牲闸极结构的一顶表面的上方。例如，于该复合蚀刻停止层的上方形成一层间介电质的期间，氮化物层对氧化的敏感性，通过于该牺牲闸极层的上部消除该氧化物层而降低。

3. 发明专利

TW201843735A 具有單擴散中斷的鰭式場效應電晶體及方法审中-公开
简体标题：具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法
公开(公告)号：TW201843735A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106139921
申请日：2017-11-17
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：王海艇 , WANG, HAITING , 趙薇 , ZHAO, WEI , 宇宏 , YU, HONG , 吳旭昇 , WU, XUSHENG , 臧輝 , ZANG, HUI , 胡振宇 , HU, ZHENYU
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/8234 , H01L21/84 , H01L29/06 , H01L29/66
摘要：本發明揭示一種包括至少一個鰭式場效應電晶體及至少一個單擴散中斷(SDB)型隔離區的半導體結構，以及形成該半導體結構的方法。在該方法中，在半導體鰭片內的隔離區上方形成隔離凸塊並在該凸塊上形成側間隙壁。在用以降低該凸塊的高度並自該鰭片的側壁移除隔離材料的蝕刻製程期間，該側間隙壁防止橫向蝕刻該凸塊。在用以在該鰭片中形成源/汲凹槽的蝕刻製程期間，該側間隙壁保護鄰近該隔離區的該半導體材料。因此，各凹槽的側及底部包括半導體表面並最大限度地降低其中所形成的磊晶源/汲區的頂部表面的角度，從而最大限度地降低未著陸源/汲接觸的風險。
简体摘要：本发明揭示一种包括至少一个鳍式场效应晶体管及至少一个单扩散中断(SDB)型隔离区的半导体结构，以及形成该半导体结构的方法。在该方法中，在半导体鳍片内的隔离区上方形成隔离凸块并在该凸块上形成侧间隙壁。在用以降低该凸块的高度并自该鳍片的侧壁移除隔离材料的蚀刻制程期间，该侧间隙壁防止横向蚀刻该凸块。在用以在该鳍片中形成源/汲凹槽的蚀刻制程期间，该侧间隙壁保护邻近该隔离区的该半导体材料。因此，各凹槽的侧及底部包括半导体表面并最大限度地降低其中所形成的磊晶源/汲区的顶部表面的角度，从而最大限度地降低未着陆源/汲接触的风险。

4. 发明专利

TWI668761B 具有單擴散中斷的鰭式場效應電晶體及方法有权
简体标题：具有单扩散中断的鳍式场效应晶体管及方法
公开(公告)号：TWI668761B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW106139921
申请日：2017-11-17
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：王海艇 , WANG, HAITING , 趙薇 , ZHAO, WEI , 宇宏 , YU, HONG , 吳旭昇 , WU, XUSHENG , 臧輝 , ZANG, HUI , 胡振宇 , HU, ZHENYU
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/8234 , H01L21/84 , H01L29/06 , H01L29/66

5. 发明专利

TWI683783B 具有改進的內間隔件的奈米片電晶體有权
简体标题：具有改进的内间隔件的奈米片晶体管
公开(公告)号：TWI683783B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107114683
申请日：2018-04-30
申请人：美商格芯(美國)集成電路科技有限公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：謝瑞龍 , XIE, RUILONG , 程慷果 , CHENG, KANGGUO , 羅貝特尼可拉斯 , LOUBET, NICOLAS , 苗欣 , MIAO, XIN , 摩塔尼彼特羅 , MONTANINI, PIETRO , 張宏光 , ZHANG, JOHN , 黃海苟 , HUANG, HAIGOU , 彭建偉 , PENG, JIANWEI , 顧四朋 , GU, SIPENG , 臧輝 , ZANG, HUI , 亓屹 , QI, YI , 吳旭昇 , WU, XUSHENG
IPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00

6. 发明专利

TW201810391A 通過後閘極切割製程提高設備性能的設備及方法审中-公开
简体标题：通过后闸极切割制程提高设备性能的设备及方法
公开(公告)号：TW201810391A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106113261
申请日：2017-04-20
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：吳旭昇 , WU, XUSHENG , 黃海苟 , HUANG, HAIGOU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/42356 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/401 , H01L29/4991 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要：本發明提供通過後閘極切割製程以提高性能的製造積體電路設備的設備及方法。一種方法包括，例如：獲取一中間半導體設備，其具有包括多個鰭片的一基板、一STI層、一氧化層、以及該氧化層上方的一閘極材料，該鰭片延伸至該閘極材料中；移除該閘極材料以及該氧化層；沉積一高K材料於該STI層的一頂表面上並圍繞該鰭片；沉積一閘極堆疊於該高K材料的上方；用一閘極接觸金屬填充該設備的該頂部；蝕刻該閘極接觸金屬、該金屬閘極堆疊、以及該高K材料的一部分；以及用一層間介電質填充該部分。本發明還公開了由該方法形成的一中繼設備。
简体摘要：本发明提供通过后闸极切割制程以提高性能的制造集成电路设备的设备及方法。一种方法包括，例如：获取一中间半导体设备，其具有包括多个鳍片的一基板、一STI层、一氧化层、以及该氧化层上方的一闸极材料，该鳍片延伸至该闸极材料中；移除该闸极材料以及该氧化层；沉积一高K材料于该STI层的一顶表面上并围绕该鳍片；沉积一闸极堆栈于该高K材料的上方；用一闸极接触金属填充该设备的该顶部；蚀刻该闸极接触金属、该金属闸极堆栈、以及该高K材料的一部分；以及用一层间介电质填充该部分。本发明还公开了由该方法形成的一中继设备。

7. 发明专利

TWI646587B 通過後閘極切割製程提高裝置性能的裝置及方法有权
简体标题：通过后闸极切割制程提高设备性能的设备及方法
公开(公告)号：TWI646587B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：TW106113261
申请日：2017-04-20
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：吳旭昇 , WU, XUSHENG , 黃海苟 , HUANG, HAIGOU
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/02

8. 发明专利

TW201806018A 引入較低蝕刻速率的材料以形成Ｔ形ＳＤＢＳＴＩ結構审中-公开
简体标题：引入较低蚀刻速率的材料以形成Ｔ形ＳＤＢＳＴＩ结构
公开(公告)号：TW201806018A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106105272
申请日：2017-02-17
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：彭建偉 , PENG, JIANWEI , 吳旭昇 , WU, XUSHENG
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/3105 , H01L29/06 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L21/30604 , H01L21/3085 , H01L21/3105 , H01L29/66795 , H01L29/785
摘要：本發明提供一種在形成t形單擴散中斷的淺溝槽隔離(SDB STI)結構期間引入具有較低蝕刻速率的單擴散中斷(SDB)材料的方法。實施例包括在矽(Si)基板中設置淺溝槽隔離(STI)區域；在該STI區域及該矽基板上方形成硬遮罩；穿過該STI區域上方的該硬遮罩形成腔體，該腔體具有大於該STI區域的寬度的寬度；在該腔體中沉積具有低於高密度電漿(HDP)氧化物的蝕刻速率的單擴散中斷材料，以形成t形SDB STI結構；以及移除該硬遮罩。
简体摘要：本发明提供一种在形成t形单扩散中断的浅沟槽隔离(SDB STI)结构期间引入具有较低蚀刻速率的单扩散中断(SDB)材料的方法。实施例包括在硅(Si)基板中设置浅沟槽隔离(STI)区域；在该STI区域及该硅基板上方形成硬遮罩；穿过该STI区域上方的该硬遮罩形成腔体，该腔体具有大于该STI区域的宽度的宽度；在该腔体中沉积具有低于高密度等离子(HDP)氧化物的蚀刻速率的单扩散中断材料，以形成t形SDB STI结构；以及移除该硬遮罩。

9. 发明专利

TW201731018A 在絕緣體上半導體基板上形成隔離結構之方法审中-公开
简体标题：在绝缘体上半导体基板上形成隔离结构之方法
公开(公告)号：TW201731018A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105144157
申请日：2016-12-30
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：吳旭昇 , WU, XUSHENG
IPC分类号： H01L21/76
摘要：所揭示之一種說明性方法包括但不限於形成第一溝槽，其伸入穿透主動層與埋置型絕緣層，並且使主體半導體層之上表面曝露於第一溝槽之底端以便界定主動區，主動區具有外周界並於主動區整個外周界週圍第一溝槽內形成側壁間隔物。本方法亦包括在形成側壁間隔物之後，進行至少一個蝕刻程序穿過第一溝槽以界定伸入主體半導體層之第二溝槽，並且形成在第一溝槽與第二溝槽之組合物中包含絕緣材料之隔離結構。
简体摘要：所揭示之一种说明性方法包括但不限于形成第一沟槽，其伸入穿透主动层与埋置型绝缘层，并且使主体半导体层之上表面曝露于第一沟槽之底端以便界定主动区，主动区具有外周界并于主动区整个外周界周围第一沟槽内形成侧壁间隔物。本方法亦包括在形成侧壁间隔物之后，进行至少一个蚀刻进程穿过第一沟槽以界定伸入主体半导体层之第二沟槽，并且形成在第一沟槽与第二沟槽之组合物中包含绝缘材料之隔离结构。

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