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1. 发明专利

TWI649878B 自對準置換鰭片的形成有权
简体标题：自对准置换鳍片的形成
公开(公告)号：TWI649878B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW104126426
申请日：2015-08-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張鄞 , ZHANG, YING , 仲華 , CHUNG, HUA
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/02 , H01L29/66

2. 发明专利

TWI689966B 用於原子精度之蝕刻的方法有权
简体标题：用于原子精度之蚀刻的方法
公开(公告)号：TWI689966B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105121868
申请日：2016-07-12
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：朵夫雷歐尼德 , DORF, LEONID , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S. , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMASWAMY, KATIK , 卡度希詹姆士D , CARDUCCI, JAMES D. , 塔法梭利哈米德 , TAVASSOLI, HAMID , 瑞杰門歐嘉 , REGELMAN, OLGA , 張穎 , ZHANG, YING
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065

3. 发明专利

TWI697958B 用於蝕刻遮罩與鰭片結構形成之方法有权
简体标题：用于蚀刻遮罩与鳍片结构形成之方法
公开(公告)号：TWI697958B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108104714
申请日：2019-02-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：林永振 , LIN, YUNGCHEN , 周清軍 , ZHOU, QINGJUN , 張郢 , ZHANG, YING
IPC分类号： H01L21/31 , G03F7/20

4. 发明专利

TW202011452A 用於圖案化具有所需尺度的材料層的方法审中-公开
简体标题：用于图案化具有所需尺度的材料层的方法
公开(公告)号：TW202011452A
公开(公告)日：2020-03-16
申请号：TW108115985
申请日：2019-05-09
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張郢 , ZHANG, YING , 周林 , LIN ZHOU
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/311
摘要：提供了用於圖案化膜堆疊的方法。在一個實施例中，一種用於圖案化設置在基板上的膜堆疊的方法包括以下步驟：執行第一蝕刻過程以蝕刻設置在基板上的膜堆疊，其中該膜堆疊包括設置在上層上的圖案化的光致抗蝕層，該上層在設置在該基板上的下層上，其中該圖案化的光致抗蝕層包括界定在特徵之間的開口，且該等特徵具有第一間距，其中該第一蝕刻過程從該膜堆疊移除由該圖案化的光致抗蝕層所暴露的該下層的約40%與約95%之間；在該膜堆疊上執行第二蝕刻過程；及在該第二蝕刻過程完成之後，該等特徵就被轉移到該膜堆疊中的該上層或該下層中而具有第二間距，其中該第二間距比該第一間距短。
简体摘要：提供了用于图案化膜堆栈的方法。在一个实施例中，一种用于图案化设置在基板上的膜堆栈的方法包括以下步骤：运行第一蚀刻过程以蚀刻设置在基板上的膜堆栈，其中该膜堆栈包括设置在上层上的图案化的光致抗蚀层，该上层在设置在该基板上的下层上，其中该图案化的光致抗蚀层包括界定在特征之间的开口，且该等特征具有第一间距，其中该第一蚀刻过程从该膜堆栈移除由该图案化的光致抗蚀层所暴露的该下层的约40%与约95%之间；在该膜堆栈上运行第二蚀刻过程；及在该第二蚀刻过程完成之后，该等特征就被转移到该膜堆栈中的该上层或该下层中而具有第二间距，其中该第二间距比该第一间距短。

5. 发明专利

TW201921459A 選擇性蝕刻的自對準通孔製程审中-公开
简体标题：选择性蚀刻的自对准通孔制程
公开(公告)号：TW201921459A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107131273
申请日：2018-09-06
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：林永振 , LIN, YUNG-CHEN , 趙清軍 , ZHOU, QINGJUN , 張郢 , ZHANG, YING , 黃和湧 , HWANG, HO-YUNG
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/76
摘要：可施行處理方法以暴露半導體基板上的接觸區。該方法可包括以下步驟：選擇性地使半導體基板上的第一金屬相對於暴露的第一介電材料凹陷。該方法可包括在凹陷的第一金屬和暴露的第一介電材料上形成襯墊。該方法可包括在襯墊上形成第二介電材料。該方法可包括在第二介電材料的選定區域上形成硬遮罩。該方法亦可包括選擇性地去除第二介電材料以暴露覆蓋凹陷的第一金屬的襯墊的一部分。
简体摘要：可施行处理方法以暴露半导体基板上的接触区。该方法可包括以下步骤：选择性地使半导体基板上的第一金属相对于暴露的第一介电材料凹陷。该方法可包括在凹陷的第一金属和暴露的第一介电材料上形成衬垫。该方法可包括在衬垫上形成第二介电材料。该方法可包括在第二介电材料的选定区域上形成硬遮罩。该方法亦可包括选择性地去除第二介电材料以暴露复盖凹陷的第一金属的衬垫的一部分。

6. 发明专利

TW201841233A 自對準磊晶接觸流审中-公开
简体标题：自对准磊晶接触流
公开(公告)号：TW201841233A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107102011
申请日：2018-01-19
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：張郢 , ZHANG, YING , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S. , 鮑新宇 , BAO, XINYU , 佛列德雷吉那吉爾曼尼 , FREED, REGINA GERMANIE , 仲華 , CHUNG, HUA
IPC分类号： H01L21/28
摘要：提供用於形成半導體裝置（如FinFET）的方法。在一個實施例中，用於形成FinFET裝置的方法包含移除複數個鰭片中之每個鰭片之一部分，且每個鰭片之剩餘部分從介電表面凹陷。方法進一步包含在每個鰭片之剩餘部分上形成特徵，藉由介電材料填充在相鄰特徵之間形成的間隙，移除特徵，以及在每個鰭片之剩餘部分上形成填充材料。因為特徵之形狀受控制，所以可控制填充材料之形狀。
简体摘要：提供用于形成半导体设备（如FinFET）的方法。在一个实施例中，用于形成FinFET设备的方法包含移除复数个鳍片中之每个鳍片之一部分，且每个鳍片之剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片之剩余部分上形成特征，借由介电材料填充在相邻特征之间形成的间隙，移除特征，以及在每个鳍片之剩余部分上形成填充材料。因为特征之形状受控制，所以可控制填充材料之形状。

7. 发明专利

TWI625809B 用於製程環上之基於稀土金屬氧化物的薄膜塗層之離子輔助沉積有权
简体标题：用于制程环上之基于稀土金属氧化物的薄膜涂层之离子辅助沉积
公开(公告)号：TWI625809B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW103124575
申请日：2014-07-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 卡農哥比拉賈P , KANUNGO, BIRAJA P. , 菲路茲朵爾維希德 , FIROUZDOR, VAHID , 詹英 , ZHANG, YING
IPC分类号： H01L21/67 , H05H1/00

8. 发明专利

TW201505092A 用於腔室蓋與噴嘴上之稀土氧化物系塗層的離子輔助沉積审中-公开
简体标题：用于腔室盖与喷嘴上之稀土氧化物系涂层的离子辅助沉积
公开(公告)号：TW201505092A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103124797
申请日：2014-07-18
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 卡農哥比拉賈P , KANUNGO, BIRAJA P. , 菲路茲朵爾維希德 , FIROUZDOR, VAHID , 詹英 , ZHANG, YING
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67023 , B65D43/02 , C23C4/01 , C23C4/04 , C23C4/10 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C4/134 , C23C4/14 , C23C4/16 , C23C14/0015 , C23C14/0021 , C23C14/0031 , C23C14/0036 , C23C14/0052 , C23C14/0084 , C23C14/0094 , C23C14/08 , C23C14/081 , C23C14/083 , C23C14/088 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32513 , H01J2237/334 , H01L21/67063 , H01L21/67069 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , Y10T428/131 , Y10T428/1317 , Y10T428/139 , Y10T428/1393
摘要：製造物件的方法包含提供用於蝕刻反應器的蓋或噴嘴。接著進行離子輔助沉積(IAD)，以沉積保護層至蓋或噴嘴的至少一表面上，其中保護層係厚度小於300μm、平均表面粗糙度為10微吋或以下的抗電漿稀土氧化物膜。
简体摘要：制造对象的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。接着进行离子辅助沉积(IAD)，以沉积保护层至盖或喷嘴的至少一表面上，其中保护层系厚度小于300μm、平均表面粗糙度为10微吋或以下的抗等离子稀土氧化物膜。

9. 发明专利

TW201501204A 用於半導體腔室部件之氣膠沉積塗層审中-公开
简体标题：用于半导体腔室部件之气胶沉积涂层
公开(公告)号：TW201501204A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103117933
申请日：2014-05-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 卡農哥比拉賈P , KANUNGO, BIRAJA P. , 邱湯姆 , CHO, TOM , 詹英 , ZHANG, YING
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32807 , C23C24/04 , H01J37/3244 , Y10T428/24413
摘要：一種塗佈在電漿蝕刻之半導體腔室中所用的部件的方法，該方法包括提供該部件且將該部件裝載於沉積腔室中。沉積腔室中的壓力降低至低於大氣壓。透過在近似室溫下將氣膠噴塗至該部件上而將塗層沉積於該部件上，該氣膠包含第一型金屬氧化物奈米顆粒與第二型金屬氧化物奈米顆粒之懸浮液。
简体摘要：一种涂布在等离子蚀刻之半导体腔室中所用的部件的方法，该方法包括提供该部件且将该部件装载于沉积腔室中。沉积腔室中的压力降低至低于大气压。透过在近似室温下将气胶喷涂至该部件上而将涂层沉积于该部件上，该气胶包含第一型金属氧化物奈米颗粒与第二型金属氧化物奈米颗粒之悬浮液。

10. 发明专利

TW201735256A 製造用於半導體應用的環繞式水平閘極裝置的奈米線的方法审中-公开
简体标题：制造用于半导体应用的环绕式水平闸极设备的奈米线的方法
公开(公告)号：TW201735256A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106100112
申请日：2017-01-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：孫冰西 , WOOD, BINGXI SUN , 沃德麥克G , WARD, MICHAEL G. , 孫世宇 , SUN, SHIYU , 恰德席克麥克 , CHUDZIK, MICHAEL , 金男成 , KIM, NAM SUNG , 仲華 , CHUNG, HUA , 黃奕樵 , HUANG, YI-CHIAU , 殷正操 , YING, CHENTSAU , 張穎 , ZHANG, YING , 倪其農 , NI, CHI-NUNG , 董琳 , DONG, LIN , 楊東青 , YANG, DONGQING
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/0673 , H01L21/02115 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/764 , H01L29/0649 , H01L29/0669 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/66795
摘要：本揭示案提供用於形成用於半導體晶片的環繞式水平閘極(hGAA)結構中具有期望的材料的奈米線結構的奈米線間隔物的方法。在一個實例中，形成針對在基板上奈米線結構的奈米線間隔物的方法包含：在基板上實行橫向蝕刻製程，該基板上設置有多材料層，其中該多材料層包含重複成對的第一層及第二層，該第一層及該第二層各自具有分別在該多材料層中曝露的第一側壁及第二側壁，其中橫向蝕刻製程主要蝕刻該第二層穿過該第二層而在該第二層中形成凹部；以介電質材料填充該凹部；以及從該凹部移除過度填充的介電質層。
简体摘要：本揭示案提供用于形成用于半导体芯片的环绕式水平闸极(hGAA)结构中具有期望的材料的奈米线结构的奈米线间隔物的方法。在一个实例中，形成针对在基板上奈米线结构的奈米线间隔物的方法包含：在基板上实行横向蚀刻制程，该基板上设置有多材料层，其中该多材料层包含重复成对的第一层及第二层，该第一层及该第二层各自具有分别在该多材料层中曝露的第一侧壁及第二侧壁，其中横向蚀刻制程主要蚀刻该第二层穿过该第二层而在该第二层中形成凹部；以介电质材料填充该凹部；以及从该凹部移除过度填充的介电质层。

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