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1. 发明专利

TW201839851A 用以降低在電漿蝕刻室中的粒子缺陷的方法及設備审中-公开
简体标题：用以降低在等离子蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备
公开(公告)号：TW201839851A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107127207
申请日：2011-10-14
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希昆 , WANG,XIKUN , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN,ANDREW , 李昌憲 , LEE,CHANGHUN , 賀小明 , HE,XIAOMING , 沈美華 , SHEN,MEIHUA
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：本發明提供用於使用原位沉積之腔室塗層之電漿處理系統的原位低壓腔室清潔及氣體噴嘴設備。用於導體蝕刻應用之某些腔室清潔實施例包括基於NF3之電漿清潔，該電漿清潔在低於30mT之壓力下執行，以自氣體噴嘴孔之內表面移除原位沉積之SiOx塗層。實施例包括具有底部孔之氣體噴嘴，該等底部孔之尺寸足夠小，以減少或防止原位沉積之腔室塗層在噴嘴孔之內表面上積聚SiOx沉積物。
简体摘要：本发明提供用于使用原位沉积之腔室涂层之等离子处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用之某些腔室清洁实施例包括基于NF3之等离子清洁，该等离子清洁在低于30mT之压力下运行，以自气体喷嘴孔之内表面移除原位沉积之SiOx涂层。实施例包括具有底部孔之气体喷嘴，该等底部孔之尺寸足够小，以减少或防止原位沉积之腔室涂层在喷嘴孔之内表面上积聚SiOx沉积物。

2. 发明专利

TWI670769B 用以降低在電漿蝕刻室中的粒子缺陷的方法及設備有权
简体标题：用以降低在等离子蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备
公开(公告)号：TWI670769B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW107127207
申请日：2011-10-14
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希昆 , WANG,XIKUN , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN,ANDREW , 李昌憲 , LEE,CHANGHUN , 賀小明 , HE,XIAOMING , 沈美華 , SHEN,MEIHUA
IPC分类号： H01L21/3065

3. 发明专利

TWI355019B 用水蒸氣和稀釋氣體強化的氫灰化製程 HYDROGEN ASHING ENHANCED WITH WATER VAPOR AND DILUENT GAS 有权
简体标题：用水蒸气和稀释气体强化的氢灰化制程 HYDROGEN ASHING ENHANCED WITH WATER VAPOR AND DILUENT GAS
公开(公告)号：TWI355019B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：TW097114268
申请日：2008-04-18
申请人：美商‧應用材料股份有限公司
发明人：楊單興 , 李昌憲
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02063 , H01L21/31138 , H01L21/76814
摘要：本發明公開了一種無氧的氫電漿灰化製程，特別適用於以氫化的氧碳化矽為主的低介電常數材料。主要的灰化步驟包括將事先被蝕刻的介電層暴露於電漿(48)，該電漿(48)是由氫氣(50)、可選的氮氣(54)、大量的水蒸氣(60)、和大量的氬氣(80)或氦氣所形成。尤其是對於多孔低介電常數介電質來說，主要的灰化電漿額外包括碳氫化合物氣體(84)，例如甲烷。在主要的灰化步驟之前可以有一個短時間的表面處理步驟，該表面處理步驟藉由含氫還原氣體(例如，氫氣和可選的氮氣)的電漿來實施。
简体摘要：本发明公开了一种无氧的氢等离子灰化制程，特别适用于以氢化的氧碳化硅为主的低介电常数材料。主要的灰化步骤包括将事先被蚀刻的介电层暴露于等离子(48)，该等离子(48)是由氢气(50)、可选的氮气(54)、大量的水蒸气(60)、和大量的氩气(80)或氦气所形成。尤其是对于多孔低介电常数介电质来说，主要的灰化等离子额外包括碳氢化合物气体(84)，例如甲烷。在主要的灰化步骤之前可以有一个短时间的表面处理步骤，该表面处理步骤借由含氢还原气体(例如，氢气和可选的氮气)的等离子来实施。

4. 实用新型

TWM462943U 用於電漿處理腔室之蓋環有权
简体标题：用于等离子处理腔室之盖环
公开(公告)号：TWM462943U
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101220514
申请日：2009-09-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李昌憲 , LEE, CHANGHUN , 威沃斯麥克D , WILLWERTH, MICHAEL D. , 蓋葉宏 , NGUYEN, HOAN
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/68735 , H01L21/68757

5. 发明专利

TW201802938A 用以降低在電漿蝕刻室中的粒子缺陷的方法及設備审中-公开
简体标题：用以降低在等离子蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备
公开(公告)号：TW201802938A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106135228
申请日：2011-10-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希昆 , WANG,XIKUN , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN,ANDREW , 李昌憲 , LEE,CHANGHUN , 賀小明 , HE,XIAOMING , 沈美華 , SHEN,MEIHUA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32862 , H01J37/3244
摘要：本發明提供用於使用原位沉積之腔室塗層之電漿處理系統的原位低壓腔室清潔及氣體噴嘴設備。用於導體蝕刻應用之某些腔室清潔實施例包括基於NF3之電漿清潔，該電漿清潔在低於30mT之壓力下執行，以自氣體噴嘴孔之內表面移除原位沉積之SiOx塗層。實施例包括具有底部孔之氣體噴嘴，該等底部孔之尺寸足夠小，以減少或防止原位沉積之腔室塗層在噴嘴孔之內表面上積聚SiOx沉積物。
简体摘要：本发明提供用于使用原位沉积之腔室涂层之等离子处理系统的原位低压腔室清洁及气体喷嘴设备。用于导体蚀刻应用之某些腔室清洁实施例包括基于NF3之等离子清洁，该等离子清洁在低于30mT之压力下运行，以自气体喷嘴孔之内表面移除原位沉积之SiOx涂层。实施例包括具有底部孔之气体喷嘴，该等底部孔之尺寸足够小，以减少或防止原位沉积之腔室涂层在喷嘴孔之内表面上积聚SiOx沉积物。

6. 发明专利

TW201521521A 應用具有可移除介面之介電導管組件之電漿產生源及相關組件及方法审中-公开
简体标题：应用具有可移除界面之介电导管组件之等离子产生源及相关组件及方法
公开(公告)号：TW201521521A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103139593
申请日：2014-11-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳兆騰 , NG, SIU TANG , 李昌憲 , LEE, CHANGHUN , 道慧奇 , DAO, HUUTRI , 寇雷亞羅伯托西薩 , COTLEAR, ROBERTO CESAR
IPC分类号： H05H1/24 , H01J37/32
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4652
摘要：具有可移除介面的採用介電質導管組件之電漿產生源及相關組件及方法被揭示。該電漿產生源(PGS)包含具有多個內部表面的封閉主體，該等內部表面形成內部腔室，該腔室具有輸入端及輸出端以分別接收用於產生電漿的前驅氣體及卸載該電漿。介電質管組件可導引該氣體及電漿遠離粒子可能被產生的該內部表面。該介電質導管組件包含第一及第二交叉導管區段。該介電質管組件進一步包含平行導管區段，該等平行導管區段從該第二交叉導管區段延伸至遠端，該等遠端不留下縫隙地且可移除地與該第一交叉導管區段的第一交叉導管介面對準。如此，該介電質導管組件簡易地服務，且減少並牽制粒子之產生遠離該輸出端。
简体摘要：具有可移除界面的采用介电质导管组件之等离子产生源及相关组件及方法被揭示。该等离子产生源(PGS)包含具有多个内部表面的封闭主体，该等内部表面形成内部腔室，该腔室具有输入端及输出端以分别接收用于产生等离子的前驱气体及卸载该等离子。介电质管组件可导引该气体及等离子远离粒子可能被产生的该内部表面。该介电质导管组件包含第一及第二交叉导管区段。该介电质管组件进一步包含平行导管区段，该等平行导管区段从该第二交叉导管区段延伸至远程，该等远程不留下缝隙地且可移除地与该第一交叉导管区段的第一交叉导管界面对准。如此，该介电质导管组件简易地服务，且减少并牵制粒子之产生远离该输出端。

7. 发明专利

TWI471963B 用於電漿處理腔室之低傾斜度邊緣環有权
简体标题：用于等离子处理腔室之低倾斜度边缘环
公开(公告)号：TWI471963B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW098129948
申请日：2009-09-04
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：李昌憲 , LEE, CHANGHUN , 威沃斯麥克D , WILLWERTH, MICHAEL D. , 蓋葉宏 , NGUYEN, HOAN
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/68735 , H01L21/68757

8. 发明专利

TWI643262B 用以降低在電漿蝕刻室中的粒子缺陷的方法及設備有权
简体标题：用以降低在等离子蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备
公开(公告)号：TWI643262B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106135228
申请日：2011-10-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希昆 , WANG,XIKUN , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN,ANDREW , 李昌憲 , LEE,CHANGHUN , 賀小明 , HE,XIAOMING , 沈美華 , SHEN,MEIHUA
IPC分类号： H01L21/3065

9. 发明专利

TWI622095B 用以降低在電漿蝕刻室中的粒子缺陷的方法及設備有权
简体标题：用以降低在等离子蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备
公开(公告)号：TWI622095B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW100137411
申请日：2011-10-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王希昆 , WANG, XIKUN , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN, ANDREW , 李昌憲 , LEE, CHANGHUN , 賀小明 , HE, XIAOMING , 沈美華 , SHEN, MEIHUA
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32862 , H01J37/3244

10. 实用新型

TWM492915U 在ＩＣＰ電漿處理腔室中用於高產出、基板極端邊緣缺陷減少之單環設計有权
简体标题：在ＩＣＰ等离子处理腔室中用于高产出、基板极端边缘缺陷减少之单环设计
公开(公告)号：TWM492915U
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103207940
申请日：2014-05-07
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：吳兆騰 , NG, SIU TANG , 李昌憲 , LEE, CHANGHUN , 道慧奇 , DAO, HUUTRI , 藍亞當 , LANE, ADAM , 威沃斯麥克D , WILLWERTH, MICHAEL D.
IPC分类号： C23C14/06
CPC分类号： H01L21/683 , H01J37/32623 , H01J37/32642 , H01L21/32136

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